ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်ဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်
Si3N4 တွင် ချည်နှောင်ထားသော SiC ကြွေထည်ကြမ်းပြင်ပစ္စည်း၊ သန့်စင်သော SIC အမှုန့်နှင့် ဆီလီကွန်မှုန့်တို့နှင့် ရောစပ်ထားပြီး၊ စလစ်ပုံသွင်းခြင်းသင်တန်းပြီးနောက်၊ 1400~1500°C အောက်တွင် လောင်ကျွမ်းစေသော တုံ့ပြန်မှု။မီးဖိုအတွင်း သန့်စင်ထားသော နိုက်ထရိုဂျင်ကို မီးဖိုထဲသို့ ဖြည့်သွင်းပြီးနောက် ဆီလီကွန်သည် နိုက်ထရိုဂျင်နှင့် ဓာတ်ပြုပြီး Si3N4 ကို ထုတ်ပေးသည်၊ ထို့ကြောင့် Si3N4 ချည်နှောင်ထားသော SiC ပစ္စည်းသည် အဓိက ကုန်ကြမ်းအဖြစ် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် (23%) နှင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ် (75%) တို့ပါဝင်သည်။ ၊ အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းဖြင့် ရောစပ်ပြီး အရောအနှော၊ ထုတ်ယူခြင်း သို့မဟုတ် လောင်းခြင်းတို့ဖြင့် ပုံသဏ္ဍာန်ပြုကာ အခြောက်ခံပြီး နိုက်ထရိုဂျင်ဓာတ်ပြုပြီးနောက် ပြုလုပ်သည်။
အင်္ဂါရပ်များနှင့်အားသာချက်များ:
၁။High အပူချိန်သည်းခံနိုင်ရည်
2.High thermal conductivity နှင့် shock resistance
3.High mechanical strength and abrasion resistance
4.Excellent စွမ်းအင်ထိရောက်မှုနှင့်ချေးခုခံ
ကျွန်ုပ်တို့သည် အရည်အသွေးမြင့်မားပြီး တိကျသောစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော NSiC ကြွေထည်အစိတ်အပိုင်းများကို ဆောင်ရွက်ပေးပါသည်။
1.Slip Casting
2.Extruding
3.Uni Axial Pressing
4.Isostatic Pressing
ပစ္စည်းဒေတာစာရွက်
> ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု | ဆစ် | 75% |
Si3N4 | ≥23% | |
အခမဲ့စည် | 0% | |
အစုလိုက်သိပ်သည်းဆ (g/cm3) | 2.70~2.80 | |
ထင်ရှားသော ချွေးပေါက်များ (%) | 12~15 | |
ကွေးနိုင်အား 20 ℃ (MPa) | ၁၈၀~၁၉၀ | |
ကွေးနိုင်အား 1200 ℃ (MPa) | ၂၀၇ | |
ကွေးနိုင်အား 1350 ℃ (MPa) | ၂၁၀ | |
20 ℃ (MPa) တွင် Compressive strength | ၅၈၀ | |
1200 ℃ (w/mk) တွင် အပူစီးကူးမှု | ၁၉.၆ | |
1200 ℃ (x 10-6/၊C) | 4.70 | |
အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည် | မြတ်သော | |
မက်တယ်။အပူချိန် (℃) | ၁၆၀၀ |
WeiTai Energy Technology Co., Ltd. သည် အဆင့်မြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ကြွေထည်များကို ဦးဆောင်ရောင်းချသူဖြစ်ပြီး တရုတ်နိုင်ငံတွင် တစ်ခုတည်းသော ထုတ်လုပ်သူဖြစ်ပြီး သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည် (အထူးသဖြင့် Recrystallized SiC) နှင့် CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို တစ်ပြိုင်နက် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ထို့အပြင်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီသည် အလူမီနာ၊ အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ်၊ ဇာကွန်နီးယား၊ နှင့် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် အစရှိသည့် ကြွေထည်နယ်ပယ်များတွင်လည်း ကတိပြုပါသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏အဓိကထုတ်ကုန်များ အပါအဝင်- ဆီလီကွန်ကာဗိုက် etching disc၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်လှေဆွဲ၊ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဝေဖာလှေ(Photovoltaic&Semiconductor)၊ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်မီးဖိုပြွန်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် cantilever paddle၊ silicon carbide chucks၊ silicon carbide beam၊ Silicon carbide beam နှင့် CVC နှင့် coating အပေါ်ယံပိုင်း။ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု၊ epitaxy၊ etching၊ ထုပ်ပိုးမှု၊ coating နှင့် diffusion furnaces စသည်တို့ကဲ့သို့သော semiconductor နှင့် photovoltaic လုပ်ငန်းများတွင် အဓိကအသုံးပြုသည့် ထုတ်ကုန်များ။
ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီတွင် ပုံသွင်းခြင်း၊ ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ပြုပြင်ခြင်း၊ အပေါ်ယံပစ္စည်းကိရိယာများစသည်ဖြင့် ပြီးပြည့်စုံသော ထုတ်လုပ်မှုကိရိယာများ ရှိပြီး ထုတ်ကုန်ထုတ်လုပ်မှု၏ လိုအပ်သောချိတ်ဆက်မှုများကို ပြီးမြောက်စေပြီး ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကို ပိုမိုထိန်းချုပ်နိုင်မှုရှိသည်။ထုတ်ကုန်၏လိုအပ်ချက်များအလိုက် အကောင်းဆုံးထုတ်လုပ်မှုအစီအစဥ်ကို ရွေးချယ်နိုင်ပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာကာ သုံးစွဲသူများကို ပိုမိုယှဉ်ပြိုင်နိုင်သော ထုတ်ကုန်များကို ပံ့ပိုးပေးခြင်း၊အမှာစာပေးပို့မှုလိုအပ်ချက်များအပေါ် အခြေခံ၍ ထုတ်လုပ်မှုကို လိုက်လျောညီထွေရှိပြီး ထိရောက်စွာ အချိန်ဇယားဆွဲနိုင်ပြီး အွန်လိုင်း မှာယူမှုစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များဖြင့် ဝယ်ယူသူများအား ပိုမိုမြန်ဆန်ပြီး ပိုမိုအာမခံချက်ရှိသော ပေးပို့ချိန်ကို ပေးဆောင်နိုင်ပါသည်။