Silicon carbide (SiC) တစ်ခုတည်းသော crystal material သည် ကြီးမားသော band ကွာဟချက် (~Si 3 ဆ)၊ မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှု (~Si 3.3 အဆ သို့မဟုတ် GaAs 10 ဆ)၊ မြင့်မားသော အီလက်ထရွန် saturation migration rate (~Si 2.5 ဆ) မြင့်မားသော ပြိုကွဲလျှပ်စစ် field (~Si 10 ကြိမ် သို့မဟုတ် GaAs 5 ကြိမ်) နှင့် အခြားသော ထူးခြားသော လက္ခဏာများ။
တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် SiC၊ GaN၊ စိန်စသည်တို့ပါဝင်သည်၊ အကြောင်းမှာ ၎င်း၏ band gap width (Eg) သည် 2.3 electron volts (eV) ထက်ကြီးသော သို့မဟုတ် ညီမျှသောကြောင့်၊ wide band gap semiconductor ပစ္စည်းများဟုလည်းသိကြသည်။ ပထမမျိုးဆက်နှင့် ဒုတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများသည် မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ ပြိုကွဲမှုမြင့်မားသော လျှပ်စစ်စက်ကွင်း၊ ပြည့်ဝသောအီလက်ထရွန်ရွှေ့ပြောင်းမှုနှုန်းနှင့် မြင့်မားသောနှောင်ကြိုးစွမ်းအင်တို့ ရှိပြီး ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်နည်းပညာ၏ လိုအပ်ချက်အသစ်များကို မြင့်မားစွာဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည့် အားသာချက်များရှိသည်။ အပူချိန်၊ ပါဝါမြင့်မားမှု၊ ဖိအားမြင့်မားမှု၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားမှုနှင့် ဓာတ်ရောင်ခြည်ခံနိုင်ရည်နှင့် အခြားကြမ်းတမ်းသော အခြေအနေများ။ နိုင်ငံတော် ကာကွယ်ရေး၊ လေကြောင်း၊ အာကာသ၊ ရေနံရှာဖွေရေး၊ အလင်းကြည့် သိုလှောင်မှု အစရှိသည့် နယ်ပယ်များတွင် အရေးကြီးသော အသုံးချမှု အလားအလာများ ရှိပြီး မဟာဗျူဟာမြောက် စက်မှုလုပ်ငန်း အများအပြား ဖြစ်သည့် ဘရော့ဘန်း ဆက်သွယ်ရေး၊ နေစွမ်းအင်၊ မော်တော်ကား ထုတ်လုပ်ရေး၊ semiconductor lighting နှင့် smart grid တို့သည် လူ့သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် မှတ်တိုင်တစ်ခုဖြစ်သည့် စက်ပစ္စည်းများ၏ ထုထည်ပမာဏကို 75% ထက်ပို၍ လျှော့ချနိုင်သည်။
Semicera စွမ်းအင်သည် သုံးစွဲသူများအား အရည်အသွေးမြင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်း (Conductive)၊ Semi-insulating (Semi-insulating)၊ HPSI (High Purity semi-insulating) ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာဖြင့် သုံးစွဲသူများအား ပေးစွမ်းနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဖောက်သည်များအား တစ်သားတည်းကျပြီး ကွဲပြားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial စာရွက်များကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဖောက်သည်များ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ epitaxial စာရွက်ကိုလည်း စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပြီး အနည်းဆုံးမှာယူမှုပမာဏမရှိပါ။
WAFERING သတ်မှတ်ချက်များ
*n-Pm=n-type Pm-Grade၊n-Ps=n-type Ps-Grade၊Sl=Semi-lnsulating
| ကုသိုလ်ကံ | 8-လက်မ | 6-လက်မ | 4-လက်မ | ||
| nP | n-ညနေ | n-ဆာ | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bow(GF3YFCD)-အကြွင်းမဲ့တန်ဖိုး | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2µm | ||||
| Wafer အစွန်း | Beveling | ||||
မျက်နှာပြင် ပြီးပါပြီ။
*n-Pm=n-type Pm-Grade၊n-Ps=n-type Ps-Grade၊Sl=Semi-Insulating
| ကုသိုလ်ကံ | 8-လက်မ | 6-လက်မ | 4-လက်မ | ||
| nP | n-ညနေ | n-ဆာ | SI | SI | |
| မျက်နှာပြင် အပြီးသတ် | နှစ်ထပ်အခြမ်း Optical Polish၊ Si- မျက်နှာ CMP | ||||
| မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm | |||
| Edge Chips များ | ခွင့်မပြုပါ (အလျားနှင့် အနံ≥၀.၅မီလီမီတာ) | ||||
| အင်တင်းများ | ခွင့်မပြုပါ။ | ||||
| ခြစ်ရာများ (Si-Face) | Qty.≤5၊စုဆောင်းမှု အရှည်≤0.5×wafer အချင်း | Qty.≤5၊စုဆောင်းမှု အရှည်≤0.5×wafer အချင်း | Qty.≤5၊စုဆောင်းမှု အရှည်≤0.5×wafer အချင်း | ||
| ဒါကိုတော့ | ခွင့်မပြုပါ။ | ||||
| အနားသတ် ချန်လှပ်ခြင်း။ | 3mm | ||||
