4" 6" Semi-Insulating SiC အလွှာ

4" 6" Semi-Insulating SiC Substrate အထူးအသားပေးပုံ

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာ SiC အလွှာများသည် ခံနိုင်ရည်အား 100,000Ω·cm ထက် မြင့်မားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာ SiC အလွှာများကို အဓိကအားဖြင့် ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် RF ကိရိယာများနှင့် မြင့်မားသော အီလက်ထရွန်ရွေ့လျားနိုင်သော ထရန်စစ္စတာများ (HEMTs) ကဲ့သို့သော မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် RF ကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန် အဓိကအသုံးပြုပါသည်။ ဤစက်ပစ္စည်းများကို 5G ဆက်သွယ်ရေး၊ ဂြိုလ်တုဆက်သွယ်ရေး၊ ရေဒါများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

Semicera's 4" 6" Semi-Insulating SiC Substrate သည် RF နှင့် power device applications များ၏ တင်းကြပ်သော လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော အရည်အသွေးမြင့် ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ အလွှာသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ကွဲထွက်ဗို့အားကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာဂုဏ်သတ္တိများဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် ၎င်းသည် အဆင့်မြင့် semiconductor ကိရိယာများကို တီထွင်ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

4" 6" Semi-Insulating SiC Substrate သည် မြင့်မားသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော ပစ္စည်းနှင့် တသမတ်တည်း တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာ စွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေရန် ဂရုတစိုက် ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ ၎င်းသည် အလွှာသည် အသံချဲ့စက်များနှင့် ထရန်စစ္စတာများကဲ့သို့သော RF စက်ပစ္စည်းများတွင် လိုအပ်သော လျှပ်စစ်အထီးကျန်မှုကို ပံ့ပိုးပေးကာ ပါဝါမြင့်မားသော အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် လိုအပ်သော အပူစွမ်းအင်ကို ပေးဆောင်ကြောင်း သေချာစေသည်။ ရလဒ်မှာ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ် ထုတ်ကုန် အများအပြားတွင် အသုံးပြုနိုင်သည့် စွယ်စုံသုံး အလွှာတစ်ခု ဖြစ်သည်။

Semicera သည် အရေးကြီးသော semiconductor အပလီကေးရှင်းများအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရသော၊ ချို့ယွင်းချက်မရှိသော အလွှာများကို ပေးဆောင်ခြင်း၏ အရေးပါမှုကို အသိအမှတ်ပြုသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ 4" 6" Semi-Insulating SiC Substrate ကို ပုံဆောင်ခဲချို့ယွင်းချက်များအား နည်းပါးစေပြီး ပစ္စည်းတူညီမှုကို မြှင့်တင်ပေးသည့် အဆင့်မြင့်ကုန်ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာများကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ ၎င်းသည် ထုတ်ကုန်အား ပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်၊ တည်ငြိမ်မှုနှင့် သက်တမ်းတစ်လျှောက် စက်ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရာတွင် ပံ့ပိုးကူညီနိုင်စေပါသည်။

အရည်အသွေးအပေါ် Semicera ၏ ကတိကဝတ်သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ 4" 6" Semi-Insulating SiC Substrate သည် အပလီကေးရှင်းများစွာတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး တသမတ်တည်း စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးဆောင်ပါသည်။ သင်သည် ကြိမ်နှုန်းမြင့်စက်ပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် စွမ်းအင်သက်သာသော ပါဝါဖြေရှင်းချက်များကို တီထွင်နေသည်ဖြစ်စေ ကျွန်ုပ်တို့၏ SiC အလွှာတစ်ပိုင်းလျှပ်ကာပစ္စည်းများသည် မျိုးဆက်သစ်အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၏အောင်မြင်မှုအတွက် အခြေခံအုတ်မြစ်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

အခြေခံဘောင်များ

အရွယ်အစား	၆လက်မ	၄ လက်မ
လုံးပတ်	150.0mm+0mm/-0.2mm	100.0mm+0mm/-0.5mm
Surface Orientation	{0001}±0.2°
Primary Flat Orientation	/	<1120>±5°
SecondaryFlat Orientation	/	Prime flat 士5° မှ 90° CW အထိ ဆီလီကွန်မျက်နှာ
မူလတန်းအလျား	/	32.5 mm 士2.0 mm
Secondary Flat Length	/	18.0 mm 士2.0 mm
Notch Orientation	<1100>±1.0°	/
Notch Orientation	1.0mm+0.25 mm/-0.00 mm	/
Notch ထောင့်	90°+5°/-1°	/
အထူ	500.0um နှင့် 25.0um
လျှပ်ကူးအမျိုးအစား	တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာ

ကြည်လင်အရည်အသွေး အချက်အလက်များ

လမ်	၆လက်မ	၄ လက်မ
ခုခံနိုင်စွမ်း	≥1E9Q·cm
Polytype	ခွင့်မပြုပါ။
Micropipe Density	≤0.5/cm2	≤0.3/cm2
ပြင်းထန်သောအလင်းရောင်ဖြင့် Hex ပြားများ	ခွင့်မပြုပါ။
Visual Carbon Inclusions မြင့်မားသည်။	စုစည်းဧရိယာ≤0.05%