6 lnch n-type sic အလွှာ

6 lnch n-type sic substrate အထူးအသားပေးပုံ

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

6-inch n-type SiC substrate သည် 6-inch wafer size ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် လက္ခဏာရပ်ရှိသော semiconductor material ဖြစ်ပြီး၊ ပိုကြီးသော မျက်နှာပြင်ဧရိယာထက် wafer တစ်ခုတည်းတွင် ထုတ်လုပ်နိုင်သည့် စက်ပစ္စည်းအရေအတွက်ကို တိုးမြင့်စေပြီး စက်ပစ္စည်းအဆင့်ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချပေးပါသည်။ . 6-လက်မ n-type SiC အလွှာများ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် အသုံးချမှုသည် RAF ကြီးထွားမှုနည်းလမ်းကဲ့သို့သော နည်းပညာများ တိုးတက်လာခြင်းမှ အကျိုးကျေးဇူးရရှိခဲ့ပြီး၊ ၎င်းသည် အကွဲအပြဲများနှင့် အပြိုင်လမ်းကြောင်းများတစ်လျှောက် ပုံဆောင်ခဲများကို ဖြတ်တောက်ကာ အရွေ့များကို ဖြတ်တောက်ခြင်းဖြင့် အကွဲအပြဲများကို လျှော့ချပေးသည်။ ဤအလွှာ၏အသုံးချမှုသည်ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုနှင့် SiC ပါဝါစက်ပစ္စည်းများ၏ကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချရန်အတွက်အလွန်အရေးကြီးပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ကုန်ပစ္စည်း တံဆိပ်များ

Silicon carbide (SiC) တစ်ခုတည်းသော crystal material သည် ကြီးမားသော band ကွာဟချက် (~Si 3 ဆ)၊ မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှု (~Si 3.3 အဆ သို့မဟုတ် GaAs 10 ဆ)၊ မြင့်မားသော အီလက်ထရွန် saturation migration rate (~Si 2.5 ဆ) မြင့်မားသော ပြိုကွဲလျှပ်စစ် field (~Si 10 ကြိမ် သို့မဟုတ် GaAs 5 ကြိမ်) နှင့် အခြားသော ထူးခြားသော လက္ခဏာများ။

တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် SiC၊ GaN၊ စိန်စသည်တို့ပါဝင်သည်၊ အကြောင်းမှာ ၎င်း၏ band gap width (Eg) သည် 2.3 electron volts (eV) ထက်ကြီးသော သို့မဟုတ် ညီမျှသောကြောင့်၊ wide band gap semiconductor ပစ္စည်းများဟုလည်းသိကြသည်။ ပထမမျိုးဆက်နှင့် ဒုတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများသည် မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ ပြိုကွဲမှုမြင့်မားသော လျှပ်စစ်စက်ကွင်း၊ ပြည့်ဝသောအီလက်ထရွန်ရွှေ့ပြောင်းမှုနှုန်းနှင့် မြင့်မားသောနှောင်ကြိုးစွမ်းအင်တို့ ရှိပြီး ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်နည်းပညာ၏ လိုအပ်ချက်အသစ်များကို မြင့်မားစွာဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည့် အားသာချက်များရှိသည်။ အပူချိန်၊ ပါဝါမြင့်မားမှု၊ ဖိအားမြင့်မားမှု၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားမှုနှင့် ဓာတ်ရောင်ခြည်ခံနိုင်ရည်နှင့် အခြားကြမ်းတမ်းသော အခြေအနေများ။ နိုင်ငံတော် ကာကွယ်ရေး၊ လေကြောင်း၊ အာကာသ၊ ရေနံရှာဖွေရေး၊ အလင်းကြည့် သိုလှောင်မှု အစရှိသည့် နယ်ပယ်များတွင် အရေးကြီးသော အသုံးချမှု အလားအလာများ ရှိပြီး မဟာဗျူဟာမြောက် စက်မှုလုပ်ငန်း အများအပြား ဖြစ်သည့် ဘရော့ဘန်း ဆက်သွယ်ရေး၊ နေစွမ်းအင်၊ မော်တော်ကား ထုတ်လုပ်ရေး၊ semiconductor lighting နှင့် smart grid တို့သည် လူ့သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် မှတ်တိုင်တစ်ခုဖြစ်သည့် စက်ပစ္စည်းများ၏ ထုထည်ပမာဏကို 75% ထက်ပို၍ လျှော့ချနိုင်သည်။

Semicera စွမ်းအင်သည် သုံးစွဲသူများအား အရည်အသွေးမြင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်း (Conductive)၊ Semi-insulating (Semi-insulating)၊ HPSI (High Purity semi-insulating) ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာဖြင့် သုံးစွဲသူများအား ပေးစွမ်းနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဖောက်သည်များအား တစ်သားတည်းကျပြီး ကွဲပြားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial စာရွက်များကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဖောက်သည်များ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ epitaxial စာရွက်ကိုလည်း စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပြီး အနည်းဆုံးမှာယူမှုပမာဏမရှိပါ။

အခြေခံထုတ်ကုန် သတ်မှတ်ချက်များ

အရွယ်အစား	၆လက်မ
လုံးပတ်	150.0mm+0mm/-0.2mm
Surface Orientation	ဝင်ရိုးပြင်ပ- 4° ဆီသို့ <1120>±0.5°
မူလတန်းအလျား	47.5mm1.5 mm
Primary Flat Orientation	<1120>±1.0°
အလယ်တန်းတိုက်ခန်း	တစ်ခုမှ
အထူ	350.0um±25.0um
Polytype	4H
လျှပ်ကူးအမျိုးအစား	n-အမျိုးအစား

CRYSTAL အရည်အသွေး သတ်မှတ်ချက်များ

၆လက်မ
ကုသိုလ်ကံ	P-MOS အဆင့်	P-SBD အဆင့်
ခုခံနိုင်စွမ်း	0.015Ω·cm-0.025Ω·cm
Polytype	ခွင့်မပြုပါ။
Micropipe Density	≤0.2/cm2	≤0.5/cm2
EPD	≤4000/cm2	≤8000/cm2
TED	≤3000/cm2	≤6000/cm2
BPD	≤1000/cm2	≤2000/cm2
TSD	≤300/cm2	≤1000/cm2
SF (UV-PL-355nm ဖြင့်တိုင်းတာသည်)	ဧရိယာ ≤0.5%	ဧရိယာ ≤1%
ပြင်းထန်သောအလင်းရောင်ဖြင့် Hex ပြားများ	ခွင့်မပြုပါ။
ပြင်းထန်သောအလင်းရောင်ဖြင့် မြင်နိုင်သော ကာဗွန်ပါဝင်မှုများ	စုစည်းဧရိယာ≤0.05%