Semicera သည် အစိတ်အပိုင်းများနှင့် သယ်ဆောင်သူများအတွက် အထူးပြု တန်တလမ်ကာဗိုက် (TaC) အပေါ်ယံပိုင်းကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။Semicera ဦးဆောင်သော coating လုပ်ငန်းစဉ်သည် tantalum carbide (TaC) အပေါ်ယံပိုင်းကို မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု၊ အပူချိန်မြင့်မားမှုနှင့် ဓာတုဒဏ်ခံနိုင်မှုတို့ကို ရရှိစေရန်၊ SIC/GAN crystals နှင့် EPI အလွှာများ၏ ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးသည် (Graphite coated TaC susceptor) နှင့် အဓိက ဓာတ်ပေါင်းဖို အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးခြင်း။tantalum carbide TaC coating ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် အစွန်းပြဿနာကိုဖြေရှင်းရန်နှင့် crystal ကြီးထွားမှုအရည်အသွေးကိုတိုးတက်စေရန်ဖြစ်ပြီး Semicera သည် tantalum carbide coating technology (CVD) ကို နိုင်ငံတကာအဆင့်မြင့်အဆင့်သို့ရောက်ရှိအောင်ဖြေရှင်းနိုင်ခဲ့သည်။
8 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) wafer များ ထွန်းကားလာသည်နှင့်အမျှ၊ အထူးသဖြင့် အပူချိန် 2000 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ထက်ကျော်လွန်နိုင်သော epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အမျိုးမျိုးသော semiconductor လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် လိုအပ်ချက်များသည် ပိုမိုတင်းကျပ်လာသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်ကဲ့သို့သော ရိုးရာအကူပစ္စည်းများသည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် သိမ်မွေ့လာကာ epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်ကို အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေပါသည်။သို့သော်၊ CVD တန်တလမ်ကာဘိုက် (TaC) သည် အပူချိန် 2300 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ခံနိုင်ရည်ရှိကာ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို ပိုရှည်စေသည်။Semicera ကိုဆက်သွယ်ပါs CVD Tantalum Carbide Coated Upper Halfmoonကျွန်ုပ်တို့၏အဆင့်မြင့်ဖြေရှင်းနည်းများအကြောင်း ပိုမိုလေ့လာရန်။
နှစ်ပေါင်းများစွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ပြီးနောက်၊ Semicera သည် နည်းပညာကို သိမ်းပိုက်နိုင်ခဲ့သည်။CVD TaCR&D ဌာန၏ ပူးပေါင်းကြိုးပမ်းမှုဖြင့်။SiC wafers ၏ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင်ချို့ယွင်းချက်များဖြစ်ပေါ်ရန်လွယ်ကူသည်၊ သို့သော်အသုံးပြုပြီးနောက်TaCကွာခြားချက်က သိသာပါတယ်။အောက်တွင်ဖော်ပြထားသော wafers များနှင့် TaC မပါသော wafers များအပြင် တစ်ခုတည်းသော crystal ကြီးထွားမှုအတွက် Simicera ၏အစိတ်အပိုင်းများကို နှိုင်းယှဉ်ထားသည်။
TaC နှင့် မပါဘဲ
TaC သုံးပြီးနောက် (ညာဘက်)
ထို့အပြင်၊ Semicera ၏TaC-coated ထုတ်ကုန်များဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း ပိုကြာပြီး အပူချိန်မြင့်သော ခံနိုင်ရည်အား ပြသသည်။SiC အပေါ်ယံပိုင်း.ဓါတ်ခွဲခန်း တိုင်းတာမှုများသည် ကျွန်ုပ်တို့၏ သရုပ်ပြမှုဖြစ်သည်။TaC အပေါ်ယံပိုင်းအပူချိန် 2300 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ အချိန်ကြာမြင့်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။အောက်တွင် ကျွန်ုပ်တို့၏နမူနာအချို့သည် ဥပမာများဖြစ်သည်။
TaC coated susceptor
TaC coated ဓာတ်ပေါင်းဖိုနှင့်အတူ Graphite
