CVD SiC ဆိုတာဘာလဲ
Chemical vapor deposition (CVD) သည် သန့်ရှင်းမြင့်မြတ်သော အစိုင်အခဲပစ္စည်းများကို ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုသော လေဟာနယ် အစစ်ခံခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်ကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ရေးနယ်ပယ်တွင် မကြာခဏ wafers မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များဖန်တီးရန် အသုံးပြုသည်။ CVD ဖြင့် SiC ကို ပြင်ဆင်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ အလွှာသည် အလိုရှိသော SiC သိုက်ကို အပ်နှံရန်အတွက် အလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် တုံ့ပြန်သည့် တစ်ခု သို့မဟုတ် တစ်ခုထက်ပိုသော မတည်ငြိမ်သော ရှေ့ပြေးနမိတ်များနှင့် ထိတွေ့သည်။ SiC ပစ္စည်းများပြင်ဆင်ခြင်းအတွက် နည်းလမ်းများစွာရှိသည့်အနက်၊ ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်းမှ ပြင်ဆင်ထားသော ထုတ်ကုန်များသည် တူညီမှုနှင့် သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားပြီး နည်းလမ်းသည် ခိုင်မာသောလုပ်ငန်းစဉ်ကို ထိန်းချုပ်နိုင်စွမ်းရှိသည်။
CVD SiC ပစ္စည်းများသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူ၊ လျှပ်စစ်နှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများ ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်ပစ္စည်းများ လိုအပ်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းတွင် အသုံးပြုရန် အလွန်သင့်လျော်ပါသည်။ CVD SiC အစိတ်အပိုင်းများကို etching ကိရိယာများ၊ MOCVD ကိရိယာများ၊ Si epitaxial ကိရိယာများနှင့် SiC epitaxial ကိရိယာများ၊ လျင်မြန်သော အပူပိုင်းလုပ်ဆောင်ခြင်းဆိုင်ရာ ကိရိယာများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။
ခြုံငုံကြည့်လျှင် CVD SiC အစိတ်အပိုင်းများ ၏ အကြီးဆုံးစျေးကွက် အပိုင်းသည် စက်ကိရိယာအစိတ်အပိုင်းများကို ထွင်းထုခြင်း ဖြစ်သည်။ ကလိုရင်းနှင့် ဖလိုရင်းပါရှိသော etching ဓာတ်ငွေ့များဆီသို့ ၎င်း၏ ဓာတ်ပြုနိုင်စွမ်းနှင့် လျှပ်ကူးနိုင်မှု နည်းပါးသောကြောင့် CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ပလာစမာ ထွင်းထုသည့်ကိရိယာရှိ focus rings ကဲ့သို့သော အစိတ်အပိုင်းများအတွက် စံပြပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။
CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အစိတ်အပိုင်းများတွင် အာရုံခံကွင်းများ၊ ဓာတ်ငွေ့ရေချိုးခန်းခေါင်းများ၊ ဗန်းများ၊ အစွန်းကွင်းများ စသည်တို့ ပါဝင်ပါသည်။ အာရုံစူးစိုက်ကွင်းကို နမူနာအဖြစ်ယူ၍ အာရုံကွင်းသည် wafer အပြင်ဘက်တွင် ထားရှိကာ wafer နှင့် တိုက်ရိုက်ထိတွေ့သည့် အရေးကြီးသောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ လက်စွပ်မှတဆင့် ပလာစမာကို အာရုံစူးစိုက်ရန် ဗို့အားကို လက်စွပ်သို့ အသုံးချခြင်းဖြင့်၊ ပလာစမာသည် လုပ်ဆောင်ခြင်း၏ တူညီမှုကို မြှင့်တင်ရန် wafer ကို အာရုံစိုက်သည်။
ရိုးရာအာရုံခံကွင်းများကို ဆီလီကွန် သို့မဟုတ် quartz ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။ ပေါင်းစပ် circuit miniaturization ၏တိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ ပေါင်းစပ် circuit ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် etching လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ လိုအပ်ချက်နှင့် အရေးပါမှုတို့သည် တိုးလာကာ etching plasma ၏ ပါဝါနှင့် စွမ်းအင်တို့သည် ဆက်လက်တိုးလာပါသည်။ အထူးသဖြင့်၊ capacitively coupled (CCP) plasma etching equipment တွင်လိုအပ်သော ပလာစမာစွမ်းအင်သည် မြင့်မားသောကြောင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ်ပစ္စည်းများဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော focus rings များ၏အသုံးပြုမှုနှုန်းသည် တိုးလာပါသည်။ CVD silicon carbide focus ring ၏ schematic diagram ကို အောက်တွင် ပြထားသည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇွန်-၂၀-၂၀၂၄