Semiconductor Die Bonding လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် စက်ကိရိယာဆိုင်ရာ သုတေသနပြုချက်

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ အံသေချည်နှောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကော်ဆက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ eutectic ချည်နှောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ ပျော့ပျောင်းသောဂဟေဆက်နှောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ ငွေရောင်ချည်နှောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ ပူပြင်းသောဖိနှိမ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ Flip ချစ်ပ်နှောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ် အပါအဝင်။ semiconductor die bonding ကိရိယာ၏ အမျိုးအစားများနှင့် အရေးကြီးသော နည်းပညာဆိုင်ရာ အညွှန်းများကို မိတ်ဆက်ပြီး၊ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု အခြေအနေကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာပြီး ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု လမ်းကြောင်းကို မျှော်မှန်းပါသည်။

 

1 ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ငန်းနှင့် ထုပ်ပိုးမှုဆိုင်ရာ ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အထူးသဖြင့် အထက်ပိုင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ပစ္စည်းကိရိယာများ၊ အလယ်အလတ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် ရေအောက်ပိုင်းအသုံးချပရိုဂရမ်များ ပါဝင်သည်။ ကျွန်ုပ်နိုင်ငံ၏ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းသည် နောက်ကျနေပြီဖြစ်သော်လည်း ဆယ်နှစ်နီးပါး လျင်မြန်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာပြီးနောက် ကျွန်ုပ်၏နိုင်ငံသည် ကမ္ဘာ့အကြီးဆုံး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း စားသုံးသူဈေးကွက်နှင့် ကမ္ဘာ့အကြီးဆုံး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းဈေးကွက် ဖြစ်လာခဲ့သည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းသည် စက်ကိရိယာများ၏ မျိုးဆက်တစ်ခု၊ လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုနှင့် ထုတ်ကုန်မျိုးဆက်တစ်ခု၏ ပုံစံတွင် လျင်မြန်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လျက်ရှိသည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် စက်ပစ္စည်းများဆိုင်ရာ သုတေသနသည် စက်မှုလုပ်ငန်း၏ စဉ်ဆက်မပြတ်တိုးတက်မှုအတွက် အဓိကမောင်းနှင်အားဖြစ်ပြီး စက်မှုထွန်းကားရေးနှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်ကုန်များ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အာမခံချက်ဖြစ်သည်။

 

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသမိုင်းသည် ချစ်ပ်များ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို စဉ်ဆက်မပြတ်တိုးတက်ကောင်းမွန်လာစေခြင်းနှင့် စနစ်များ၏ စဉ်ဆက်မပြတ်အသေးစားပြုလုပ်ခြင်း၏သမိုင်းဖြစ်သည်။ ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာ၏ အတွင်းပိုင်း မောင်းနှင်အားသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် စမတ်ဖုန်းများ နယ်ပယ်မှ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ကွန်ပျူတာနှင့် ဉာဏ်ရည်တု ကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များအထိ ပြောင်းလဲလာသည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု အဆင့်လေးဆင့်ကို ဇယား 1 တွင်ပြသထားသည်။

semiconductor lithography လုပ်ငန်းစဉ် node များသည် 10 nm၊ 7 nm၊ 5 nm၊ 3 nm နှင့် 2 nm ဆီသို့ ရွေ့လျားလာသည်နှင့်အမျှ R&D နှင့် ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များ ဆက်လက်မြင့်တက်လာကာ အထွက်နှုန်းကျဆင်းလာပြီး Moore's Law သည် နှေးကွေးလာသည်။ လက်ရှိတွင် ထရန်စစ္စတာသိပ်သည်းဆနှင့် ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များ ကြီးမားလာခြင်းကြောင့် ကန့်သတ်ချက်များကြောင့် စက်မှုဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းများ ရှုထောင့်မှနေ၍ ထုပ်ပိုးမှုသည် သေးငယ်သောအသွင်ပြောင်းခြင်း၊ မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆ၊ မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်၊ မြန်နှုန်းမြင့်၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့် မြင့်မားသောပေါင်းစပ်မှုတို့ဖြစ်သည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းသည် Moore လွန်ခေတ်သို့ဝင်ရောက်လာပြီဖြစ်ပြီး၊ အဆင့်မြင့်လုပ်ငန်းစဉ်များသည် wafer ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာဆိုင်ရာ node များ၏တိုးတက်မှုအပေါ်တွင်သာ အာရုံစိုက်ခြင်းမရှိတော့ဘဲ အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာသို့ တဖြည်းဖြည်းပြောင်းလဲလာပါသည်။ အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာသည် လုပ်ငန်းဆောင်တာများကို မြှင့်တင်ပေးရုံသာမက ထုတ်ကုန်တန်ဖိုးကို မြှင့်တင်ပေးရုံသာမက ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကိုလည်း ထိရောက်စွာ လျှော့ချပေးနိုင်သည့်အပြင် Moore's Law ကို ဆက်လက်လုပ်ဆောင်ရန် အရေးကြီးသောလမ်းကြောင်းတစ်ခု ဖြစ်လာပါသည်။ တစ်ဖက်တွင်၊ ပင်မအမှုန်အမွှားနည်းပညာကို ရှုပ်ထွေးသောစနစ်များကို ကွဲပြားစွာနှင့် ကွဲပြားသောထုပ်ပိုးမှုတွင် ထုပ်ပိုးနိုင်သည့် ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာများစွာကို ခွဲထုတ်ရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ အခြားတစ်ဖက်တွင်၊ ပေါင်းစပ်စနစ်နည်းပညာကို ထူးခြားသောလုပ်ဆောင်မှုဆိုင်ရာအားသာချက်များရှိသည့် မတူညီသောပစ္စည်းများနှင့် တည်ဆောက်ပုံများ၏ စက်ပစ္စည်းများကို ပေါင်းစပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ မတူညီသော ပစ္စည်းများ၏ လုပ်ငန်းဆောင်တာများစွာနှင့် စက်ပစ္စည်းများ၏ ပေါင်းစပ်မှုကို မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်နည်းပညာကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် နားလည်သဘောပေါက်ပြီး ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များမှ ပေါင်းစပ်စနစ်များအထိ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်ကို သိရှိနားလည်ပါသည်။

 

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုပ်ပိုးခြင်းသည် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် အစပြုသည့်အချက်ဖြစ်ပြီး ချစ်ပ်၏အတွင်းကမ္ဘာနှင့် ပြင်ပစနစ်ကြားတွင် တံတားတစ်ခုဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင်၊ ရိုးရာတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်ပိုးခြင်းနှင့်စမ်းသပ်ခြင်းကုမ္ပဏီများအပြင်၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ၊waferစက်ရုံများ၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ဒီဇိုင်းကုမ္ပဏီများနှင့် ပေါင်းစပ်အစိတ်အပိုင်းကုမ္ပဏီများသည် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှု သို့မဟုတ် ဆက်စပ်သော့ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာများကို တက်ကြွစွာ တီထွင်ထုတ်လုပ်လျက်ရှိသည်။

 

ရိုးရာထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာ၏ အဓိက လုပ်ငန်းစဉ်များမှာwaferပါးလွှာခြင်း၊ ဖြတ်တောက်ခြင်း၊ သေဆုံးခြင်း ချည်နှောင်ခြင်း၊ ဝါယာကြိုးချည်ခြင်း၊ ပလပ်စတစ် တံဆိပ်ခတ်ခြင်း၊ လျှပ်စစ်ပလပ်စတစ် ပြုလုပ်ခြင်း၊ နံရိုးဖြတ်ခြင်း နှင့် ပုံသွင်းခြင်း စသည်တို့ ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့အနက် သေဆုံးခြင်း ချည်နှောင်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်သည် အရှုပ်ထွေးဆုံးနှင့် အရေးပါသော ထုပ်ပိုးမှု လုပ်ငန်းစဉ်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်ပြီး သေဆုံးခြင်း ချည်နှောင်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ် ကိရိယာများထဲမှ တစ်ခုလည်း ဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုပ်ပိုးမှုတွင် အရေးပါဆုံးသော အဓိကပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး စျေးကွက်တန်ဖိုးအမြင့်ဆုံးထုပ်ပိုးသည့်ပစ္စည်းများထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာသည် ပုံသဏ္ဍာန်၊ ထွင်းဖောက်ခြင်း၊ သတ္တုထုတ်ခြင်း နှင့် အစီအစဥ်များကဲ့သို့ ရှေ့ဆုံးလုပ်ငန်းစဉ်များကို အသုံးပြုသော်လည်း အရေးကြီးဆုံးသော ထုပ်ပိုးမှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် သေဆုံးနှောင်ကြိုးဖြစ်စဉ်ဖြစ်နေဆဲဖြစ်သည်။

 

2 Semiconductor die bonding လုပ်ငန်းစဉ်

2.1 ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်

Die Bonding လုပ်ငန်းစဉ်ကို chip loading၊ core loading၊ die bonding၊ chip bonding process စသည်တို့ကို ခေါ်သည်။ die bonding process ကို ပုံ 1 တွင် ပြထားသည်။ ယေဘူယျအားဖြင့် Die Bonding သည် ဂဟေခေါင်းကို အသုံးပြု၍ wafer မှ ချစ်ပ်ကို ကောက်ယူခြင်းဖြစ်သည်။ ဖုန်စုပ်စက်ကို အသုံးပြု၍ စုပ်ထုတ်သည့် နော်ဇယ်ကို ခဲဘောင် သို့မဟုတ် ထုပ်ပိုးမှုအလွှာ၏ သတ်မှတ်ထားသော ကွက်လပ်ဧရိယာတွင် ထားကာ အမြင်ဆိုင်ရာ လမ်းညွှန်မှုအောက်တွင် ထားကာ ချစ်ပ်နှင့် ပြားကို ချိတ်ဆက်ထားရန်၊ ပုံသေ။ Die Bonding လုပ်ငန်းစဉ်၏ အရည်အသွေးနှင့် ထိရောက်မှုတို့သည် နောက်ဆက်တွဲ ဝါယာကြိုးချည်နှောင်ခြင်း၏ အရည်အသွေးနှင့် ထိရောက်မှုကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်မည်ဖြစ်သည်၊ ထို့ကြောင့် die bonding သည် semiconductor back-end လုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိကနည်းပညာများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။

 

ကွဲပြားခြားနားသော semiconductor ထုတ်ကုန်ထုပ်ပိုးခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက်၊ လက်ရှိတွင် ကော်ဆက်ခြင်း၊ eutectic bonding၊ soft solder bonding၊ silver sintering bonding၊ hot pressing bonding နှင့် flip-chip bonding တို့ဖြစ်သည်။ chip Bonding ကောင်းကောင်းရရှိရန်၊ အဓိကအားဖြင့် die bonding ပစ္စည်းများ၊ အပူချိန်၊ အချိန်၊ ဖိအားနှင့် အခြားဒြပ်စင်များအပါအဝင် အချင်းချင်း ပူးပေါင်းလုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

 

2. 2 Adhesive bonding လုပ်ငန်းစဉ်

ချစ်ပ်ကိုမထည့်မီ ကော်ပြားတစ်ခုအား ခဲဘောင် သို့မဟုတ် အထုပ်အောက်ခံလွှာသို့ ကပ်ထားရန် လိုအပ်ပြီး ထို့နောက် သေတ္တာချိတ်ခေါင်းသည် ချစ်ပ်ကို ကောက်ယူကာ စက်ရူပါရုံလမ်းညွှန်မှုဖြင့် ချစ်ပ်ကို အချိတ်အဆက်တွင် တိကျစွာချထားပါသည်။ ခဲဘောင် သို့မဟုတ် ကော်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော အထုပ်အလွှာ၏ အနေအထား နှင့် အသေခံခြင်း စက်ခေါင်းမှတဆင့် ချစ်ပ်ပေါ်သို့ သက်ရောက်သော ကော်ပြားအလွှာတစ်ခု ၊ ချစ်ပ်ပြားနှင့် ခဲဘောင် သို့မဟုတ် အထုပ်အလွှာကို ချိတ်ဆက်ခြင်း၊ တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်ခြင်း၏ ရည်ရွယ်ချက်ကို အောင်မြင်စေရန်။ ဤအသေခံချည်နှောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို ကော်ဆက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဟုလည်း ခေါ်တွင်သည်၊ အကြောင်းမှာ ကော်ဆက်ခြင်းကို အသေခံစက်၏ရှေ့တွင် အသုံးချရန်လိုအပ်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။

 

အသုံးများသော ကော်များတွင် epoxy resin နှင့် conductive silver paste ကဲ့သို့သော semiconductor ပစ္စည်းများ ပါဝင်သည်။ Adhesive Bonding သည် လုပ်ငန်းစဉ်အတော်လေးရိုးရှင်းသောကြောင့် ကုန်ကျစရိတ်နည်းပြီး ပစ္စည်းအမျိုးမျိုးကိုအသုံးပြုနိုင်သောကြောင့် အသုံးအများဆုံးသော Semiconductor ချစ်ပ်ပြားများပိတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။

 

2.3 Eutectic bonding လုပ်ငန်းစဉ်

eutectic bonding ကာလအတွင်း၊ eutectic bonding material ကို chip ၏အောက်ခြေ သို့မဟုတ် lead frame တွင် ယေဘူယျအားဖြင့် ကြိုတင်အသုံးပြုထားသည်။ eutectic bonding ကိရိယာသည် ချစ်ပ်ကို ကောက်ယူပြီး ခဲဘောင်၏ သက်ဆိုင်ရာ ဆက်စပ်အနေအထားတွင် ချစ်ပ်ကို တိကျစွာ နေရာချရန် စက်အမြင်စနစ်ဖြင့် လမ်းညွှန်ထားသည်။ ချစ်ပ်နှင့် ခဲဘောင်သည် အပူနှင့် ဖိအား၏ ပေါင်းစပ်လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင် ချစ်ပ်နှင့် အထုပ်အလွှာကြားရှိ eutectic bonding interface တစ်ခုဖြစ်သည်။ eutectic bonding လုပ်ငန်းစဉ်ကို ခဲဘောင်နှင့် ကြွေထည်အလွှာထုပ်ပိုးမှုတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။

 

Eutectic bonding ပစ္စည်းများသည် ယေဘူယျအားဖြင့် သတ်မှတ်ထားသော အပူချိန်တွင် ပစ္စည်းနှစ်ခုဖြင့် ရောစပ်ပါသည်။ အသုံးများသောပစ္စည်းများတွင် ရွှေနှင့် သံဖြူ၊ ရွှေနှင့် ဆီလီကွန် စသည်တို့ ပါဝင်ပါသည်။ eutectic bonding လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြုသောအခါ၊ ခဲဘောင်တည်ရှိရာ ခြေရာခံ ဂီယာ module သည် ဖရိန်ကို ကြိုတင် အပူပေးမည်ဖြစ်သည်။ eutectic bonding လုပ်ငန်းစဉ်၏ နားလည်သဘောပေါက်မှု၏ အဓိကသော့ချက်မှာ eutectic bonding material သည် ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းနှစ်ခု၏ အရည်ပျော်မှတ်အောက် အပူချိန်တွင် အရည်ပျော်နိုင်ပြီး နှောင်ကြိုးကိုဖွဲ့စည်းခြင်းဖြစ်သည်။ eutectic bonding လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ဖရိန်ကို oxidized မဖြစ်စေရန်၊ eutectic bonding process သည် ခဲဘောင်ကို ကာကွယ်ရန်အတွက် လမ်းကြောင်းထဲသို့ ဟိုက်ဒရိုဂျင်နှင့် နိုက်ထရိုဂျင်ရောစပ်ထားသော ဓာတ်ငွေ့ကဲ့သို့သော အကာအကွယ်ဓာတ်ငွေ့များကို မကြာခဏ အသုံးပြုပါသည်။

 

2. 4 Soft solder bonding လုပ်ငန်းစဉ်

ပျော့ပျောင်းသောဂဟေချည်နှောင်သည့်အခါ၊ ချစ်ပ်ကိုမထည့်မီ၊ ခဲဘောင်ပေါ်ရှိ အချိတ်အဆက်အနေအထားကို တင်းပြီးဖိထားသည်၊ သို့မဟုတ် နှစ်ထပ်သွပ်ထားပြီး၊ ခဲဘောင်ကို လမ်းကြောင်းပေါ်တွင် အပူပေးရန်လိုအပ်သည်။ ပျော့ပျောင်းသောဂဟေဆက်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်၏ အားသာချက်မှာ အပူစီးကူးနိုင်မှု ကောင်းမွန်ပြီး အားနည်းချက်မှာ ဓာတ်တိုးရန်လွယ်ကူပြီး လုပ်ငန်းစဉ်သည် အတော်လေး ရှုပ်ထွေးသောကြောင့် ဖြစ်သည်။ ထရန်စစ္စတာ ကောက်ကြောင်းထုပ်ပိုးခြင်းကဲ့သို့သော ပါဝါကိရိယာများ၏ ခဲဘောင်ထုပ်ပိုးခြင်းအတွက် သင့်လျော်သည်။

 

2. 5 Silver sintering bonding လုပ်ငန်းစဉ်

လက်ရှိ တတိယမျိုးဆက် ပါဝါဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ချစ်ပ်အတွက် အလားအလာ အကောင်းဆုံး နှောင်ဖွဲ့မှု လုပ်ငန်းစဉ်မှာ လျှပ်ကူးနိုင်သော ကော်တွင် ချိတ်ဆက်မှုအတွက် တာဝန်ရှိသော epoxy resin ကဲ့သို့သော ပိုလီမာများကို ရောစပ်ထားသည့် သတ္တုအမှုန်အမွှားများကို ရောနှောသည့် နည်းပညာကို အသုံးပြုခြင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်စီးကူးမှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော ဝန်ဆောင်မှုလက္ခဏာများ ပါဝင်သည်။ ၎င်းသည် မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း တတိယမျိုးဆက် semiconductor ထုပ်ပိုးမှုတွင် နောက်ထပ်အောင်မြင်မှုများရရှိရန် အဓိကနည်းပညာတစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။

 

2.6 Thermocompression bonding လုပ်ငန်းစဉ်

စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် သုံးဖက်မြင် ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များ၏ ထုပ်ပိုးမှု အက်ပလီကေးရှင်းတွင် ချစ်ပ်ကြားချိတ်ဆက်အဝင်အထွက်/အထွက်ပေါက်နှုန်းကို ဆက်တိုက်လျှော့ချခြင်းကြောင့်၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကုမ္ပဏီ Intel သည် အဆင့်မြင့်သေးငယ်သော pitch bonding အက်ပလီကေးရှင်းများအတွက် thermocompression bonding လုပ်ငန်းစဉ်ကို စတင်လုပ်ဆောင်ခဲ့ပြီး သေးငယ်သော ချည်နှောင်ခြင်း 40 မှ 50 μm သို့မဟုတ် 10 μm မှအစေးများပါရှိသောအသားတုံးများ။ Thermocompression bonding လုပ်ငန်းစဉ်သည် chip-to-wafer နှင့် chip-to-substrate applications များအတွက် သင့်လျော်သည်။ အဆင့်ပေါင်းများစွာ မြန်ဆန်သော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုအနေဖြင့်၊ thermocompression bonding လုပ်ငန်းစဉ်သည် မညီညာသော အပူချိန်နှင့် မထိန်းနိုင်သော သေးငယ်သော volume solder ၏ အရည်ပျော်ခြင်းကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်ထိန်းချုပ်မှုဆိုင်ရာ ပြဿနာများတွင် စိန်ခေါ်မှုများနှင့် ရင်ဆိုင်နေရသည်။ thermocompression bonding အတွင်း၊ အပူချိန်၊ ဖိအား၊ အနေအထား၊ စသည်တို့သည် တိကျသော ထိန်းချုပ်မှုလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရမည်။

 

2.7 Flip ချစ်ပ်ချိတ်ဆက်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်

Flip chip Bonding လုပ်ငန်းစဉ်၏ နိယာမကို ပုံ 2 တွင် ပြထားသည်။ လှန်ထားသော ယန္တရားသည် ချစ်ပ်ကို wafer မှယူကာ ချစ်ပ်ကိုလွှဲပြောင်းရန် 180° လှန်သည်။ ဂဟေခေါင်း နော်ဇယ်သည် ချစ်ပ်ကို လှန်သည့် ယန္တရားမှ စုပ်ယူလိုက်ပြီး ချစ်ပ်၏ အဖုအထစ်သည် အောက်ဘက်သို့ ကျသွားသည်။ welding head nozzle သည် packaging substrate ၏ထိပ်သို့ရွေ့သွားပြီးနောက်၊ ၎င်းသည် packaging substrate ပေါ်ရှိ ချစ်ပ်ကို ချည်နှောင်ရန် အောက်ဘက်သို့ရွေ့လျားသွားပါသည်။

 

Flip chip packaging သည် အဆင့်မြင့် ချစ်ပ်အချင်းချင်းချိတ်ဆက်မှုနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်ပြီး အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာ၏ အဓိကဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု ဦးတည်ချက်ဖြစ်လာသည်။ ၎င်းသည် မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆ၊ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော၊ ပါးလွှာပြီး တိုတောင်းသောသွင်ပြင်လက္ခဏာများရှိပြီး စမတ်ဖုန်းနှင့် တက်ဘလက်ကဲ့သို့သော လူသုံးအီလက်ထရွန်နစ်ထုတ်ကုန်များ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။ Flip Chip Bonding လုပ်ငန်းစဉ်သည် ထုပ်ပိုးမှုကုန်ကျစရိတ်ကို နိမ့်ကျစေပြီး အထပ်လိုက်ချပ်ပြားများနှင့် သုံးဖက်မြင်ထုပ်ပိုးမှုများကို သိရှိနိုင်သည်။ ၎င်းကို 2.5D/3D ပေါင်းစပ်ထုပ်ပိုးခြင်း၊ wafer အဆင့်ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် စနစ်အဆင့်ထုပ်ပိုးခြင်းကဲ့သို့သော ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာနယ်ပယ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုပါသည်။ Flip Chip Bonding လုပ်ငန်းစဉ်သည် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာတွင် အသုံးအများဆုံးနှင့် အကျယ်ပြန့်ဆုံးသော အခဲသေကြိုးချည်နှောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။