တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် စက်ပစ္စည်း(၄/၇)- ဓာတ်ပုံရိုက်နည်းနှင့် စက်ပစ္စည်း

ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်တစ်ခု

ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ photolithography သည် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ ပေါင်းစပ်မှုအဆင့်ကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည့် အဓိက လုပ်ငန်းစဉ် ဖြစ်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်၏လုပ်ဆောင်ချက်မှာ မျက်နှာဖုံးမှ ဆားကစ်ဂရပ်ဖစ်အချက်အလက်များအား ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းအလွှာသို့ သစ္စာရှိရှိ ပို့လွှတ်ခြင်းနှင့် လွှဲပြောင်းခြင်းဖြစ်ပါသည်။

photolithography လုပ်ငန်းစဉ်၏ အခြေခံနိယာမမှာ မျက်နှာဖုံးပေါ်ရှိ ဆားကစ်ပုံစံကို မှတ်တမ်းတင်ရန်အတွက် အလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ photoresist ၏ photochemical တုံ့ပြန်မှုကို အသုံးပြုကာ ပေါင်းစပ် circuit ပုံစံကို ဒီဇိုင်းမှ substrate သို့လွှဲပြောင်းခြင်း၏ ရည်ရွယ်ချက်ကို ရရှိစေရန်ဖြစ်သည်။

photolithography ၏အခြေခံလုပ်ငန်းစဉ်:

ပထမဦးစွာ၊ photoresist သည် coating machine ကို အသုံးပြု၍ အောက်ခံမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် လိမ်းသည်။
ထို့နောက်၊ photolithography စက်ကို photoresist ဖြင့်ဖုံးလွှမ်းထားသောအလွှာကိုဖော်ထုတ်ရန်အသုံးပြုပြီး photolithography စက်မှပေးပို့သောမျက်နှာဖုံးပုံစံအချက်အလက်များကိုမှတ်တမ်းတင်ရန်၊ မျက်နှာဖုံးပုံစံ၏သစ္စာဖောက်ပြန်မှု၊ လွှဲပြောင်းခြင်းနှင့်ပုံတူပွားခြင်းကိုပြီးစီးစေရန်မျက်နှာဖုံးပုံစံအချက်အလက်များကိုမှတ်တမ်းတင်ရန်အတွက်အသုံးပြုသည်။
နောက်ဆုံးတွင်၊ ထိတွေ့ပြီးနောက် photochemical တုံ့ပြန်မှုခံရသော photoresist ကို ဖယ်ရှားရန် (သို့မဟုတ် ထိန်းသိမ်းရန်) ကို developer မှ အသုံးပြုပါသည်။

 
ဒုတိယ ဓာတ်ပုံရိုက်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်

မျက်နှာဖုံးပေါ်ရှိ ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော ဆားကစ်ပုံစံကို ဆီလီကွန်ဝေဖာသို့ လွှဲပြောင်းရန်အတွက်၊ လွှဲပြောင်းမှုကို ဦးစွာ ထိတွေ့မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုမှတစ်ဆင့် အောင်မြင်ရမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့နောက် ဆီလီကွန်ပုံစံကို ထွင်းထုခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ရရှိရမည်ဖြစ်သည်။

Photolithography ဖြစ်စဉ်ဧရိယာ၏ အလင်းရောင်သည် ဓါတ်ပုံများ အာရုံမခံနိုင်သည့် အဝါရောင်အလင်းရင်းမြစ်ကို အသုံးပြုထားသောကြောင့် ၎င်းကို အဝါရောင်အလင်းဧရိယာဟုလည်း ခေါ်သည်။

Photolithography ကို ပုံနှိပ်စက်လုပ်ငန်းတွင် ပထမဆုံးအသုံးပြုခဲ့ပြီး အစောပိုင်း PCB ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အဓိကနည်းပညာဖြစ်သည်။ 1950 ခုနှစ်များကတည်းက photolithography သည် IC ထုတ်လုပ်မှုတွင် ပုံစံပြောင်းခြင်းအတွက် ပင်မနည်းပညာဖြစ်လာသည်။
lithography လုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိကညွှန်ပြချက်များတွင် ကြည်လင်ပြတ်သားမှု၊ အာရုံခံနိုင်စွမ်း၊ ထပ်ဆင့်တိကျမှု၊ ချွတ်ယွင်းမှုနှုန်း စသည်တို့ ပါဝင်သည်။

Photolithography လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အရေးအကြီးဆုံးအရာမှာ ဓါတ်ပြုနိုင်သောပစ္စည်းဖြစ်သည့် photoresist ဖြစ်သည်။ photoresist ၏ အာရုံခံနိုင်စွမ်းသည် အလင်းရင်းမြစ်၏ လှိုင်းအလျားပေါ်မူတည်၍ g/i line၊ 248nm KrF နှင့် 193nm ArF ကဲ့သို့သော photolithography လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် မတူညီသော photoresist ပစ္စည်းများ လိုအပ်ပါသည်။

ပုံမှန် photolithography လုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိက လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အဆင့်ငါးဆင့် ပါဝင်ပါသည်။:
- အခြေခံရုပ်ရှင်ပြင်ဆင်မှု;
- photoresist နှင့် soft bake လိမ်းပါ။
-Alignment, exposure and post-exposure baking;
- ခက်ခဲသောရုပ်ရှင်ကိုဖန်တီးပါ။
- ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိုထောက်လှမ်းခြင်း။

(၁)အခြေခံရုပ်ရှင်ပြင်ဆင်မှု: အဓိကအားဖြင့် သန့်ရှင်းရေးနှင့် ရေဓာတ်ခန်းခြောက်ခြင်း။ ညစ်ညမ်းမှုမှန်သမျှသည် photoresist နှင့် wafer အကြား ကပ်ငြိမှုကို အားနည်းစေသောကြောင့်၊ စေ့စေ့စပ်စပ် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်းသည် wafer နှင့် photoresist အကြား ကပ်ငြိမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။

(၂)Photoresist coating: ၎င်းသည် ဆီလီကွန် wafer ကို လှည့်ခြင်းဖြင့် အောင်မြင်သည်။ မတူညီသော photoresists များသည် လည်ပတ်မှုအမြန်နှုန်း၊ photoresist thickness နှင့် အပူချိန်တို့အပါအဝင် မတူညီသော coating process parameters များကို လိုအပ်ပါသည်။

ပျော့ပြောင်းသော မုန့်ဖုတ်ခြင်း- မုန့်ဖုတ်ခြင်းသည် photoresist နှင့် silicon wafer အကြား ကပ်ငြိမှုကို တိုးမြင့်စေပြီး photoresist အထူ၏ တူညီမှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်၊ ၎င်းသည် နောက်ဆက်တွဲ etching လုပ်ငန်းစဉ်၏ ဂျီဩမေတြီအတိုင်းအတာများကို တိကျသော ထိန်းချုပ်မှုအတွက် အကျိုးပြုသည်။

(၃)ချိန်ညှိခြင်းနှင့် ထိတွေ့မှု: ချိန်ညှိခြင်းနှင့် အလင်းဝင်ခြင်းတို့သည် ဓါတ်ပုံရိုက်ပုံရိုက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အရေးကြီးဆုံးအဆင့်များဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် မျက်နှာဖုံးပုံစံကို wafer (သို့မဟုတ် ရှေ့အလွှာပုံစံ) ပေါ်ရှိ ရှိပြီးသားပုံစံနှင့် ချိန်ညှိပြီးနောက် ၎င်းအား သီးခြားအလင်းဖြင့် ဖြာထွက်ခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။ အလင်းစွမ်းအင်သည် photoresist ရှိ ဓါတ်ပြုမှုဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများကို အသက်သွင်းစေပြီး မျက်နှာဖုံးပုံစံကို photoresist သို့ လွှဲပြောင်းပေးသည်။

alignment နှင့် exposure အတွက်အသုံးပြုသည့် စက်ပစ္စည်းသည် ပေါင်းစပ် circuit ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးတွင် ဈေးအကြီးဆုံး လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုတည်းဖြစ်သည့် photolithography စက်ဖြစ်သည်။ photolithography စက်၏ နည်းပညာအဆင့်သည် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းတစ်ခုလုံး၏ တိုးတက်မှုအဆင့်ကို ကိုယ်စားပြုသည်။

ထိတွေ့ပြီးနောက် မုန့်ဖုတ်ခြင်း- ထိတွေ့ပြီးနောက် တိုတောင်းသော မုန့်ဖုတ်လုပ်ငန်းစဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်၊ ၎င်းသည် နက်ရှိုင်းသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် ဓာတ်ပုံရိုက်ခြင်းများနှင့် သမားရိုးကျ i-line photoresists များထက် ကွဲပြားသောအကျိုးသက်ရောက်မှုရှိသည်။

နက်ရှိုင်းသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် ဓါတ်ပုံရိုက်ခြင်းအတွက်၊ အလင်းဝင်ပြီးနောက် မုန့်ဖုတ်ခြင်းသည် photoresist အတွင်းရှိ အကာအကွယ်အစိတ်အပိုင်းများကို ဖယ်ရှားပေးကာ photoresist ကို developer တွင် ပျော်ဝင်စေသည်၊ ထို့ကြောင့် post-exposure baking သည် လိုအပ်ပါသည်။
သမားရိုးကျ i-line photoresists အတွက်၊ အလင်းဝင်ပြီးနောက် မုန့်ဖုတ်ခြင်းသည် photoresist ၏ ကပ်ငြိမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီး မတ်တပ်ရပ်နေသော လှိုင်းများကို လျှော့ချနိုင်သည် (ရပ်နေသောလှိုင်းများသည် photoresist ၏ အနားသတ်ပုံသဏ္ဍာန်အပေါ် ဆိုးရွားသော အကျိုးသက်ရောက်မှုများ ရှိလိမ့်မည်)။

(၄)ခက်ခက်ခဲခဲ ဇာတ်ကားကို ပြုစုသည်။: ထိတွေ့ပြီးနောက် photoresist (အပြုသဘောဆောင်သော photoresist) ၏ပျော်ဝင်နေသောအစိတ်အပိုင်းကိုပျော်စေရန် developer ကိုအသုံးပြုကာ၊ photoresist ပုံစံဖြင့်မျက်နှာဖုံးပုံစံကိုတိကျစွာပြသပါ။

ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိကသော့ချက်ဘောင်များတွင် ဖွံ့ဖြိုးမှုအပူချိန်နှင့် အချိန်၊ တီထွင်သူသောက်သုံးသောပမာဏနှင့် အာရုံစူးစိုက်မှု၊ သန့်ရှင်းရေးစသည်ဖြင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတွင် သက်ဆိုင်ရာဘောင်များကို ချိန်ညှိခြင်းဖြင့်၊ ထိတွေ့မှုနှင့် မထိတွေ့ရသေးသော အစိတ်အပိုင်းများကြားတွင် ပျော်ဝင်မှုနှုန်းကို တိုးမြင့်လာစေနိုင်သည်။ လိုချင်သောဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကိုရရှိရန်။

တင်းမာခြင်းကို တင်းမာခြင်း မုန့်ဖုတ်ခြင်းဟုလည်း ခေါ်သည်၊ ၎င်းသည် တီထွင်ထားသော photoresist အတွင်းရှိ ကျန်ရှိသော အညစ်အကြေးများ၊ developer၊ ရေ နှင့် အခြားမလိုအပ်သော အကြွင်းအကျန်များကို ဖယ်ရှားသည့် လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့ကို အပူပေးပြီး အငွေ့ပြန်စေကာ ဆီလီကွန်အလွှာနှင့် photoresist ၏ ကပ်ငြိမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်အတွက်၊ photoresist ၏ etching ခံနိုင်ရည်။

ကွဲပြားသော photoresists နှင့် မာကျောသည့်နည်းလမ်းများပေါ်မူတည်၍ မာကျောခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၏ အပူချိန်သည် ကွဲပြားသည်။ အဓိကအချက်မှာ photoresist ပုံစံသည် ပုံပျက်မသွားဘဲ photoresist ကို လုံလောက်အောင် ခက်ခဲအောင် ပြုလုပ်ထားသင့်သည်။

(၅)ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးစစ်ဆေးရေး: ၎င်းသည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ပြီးနောက် photoresist ပုံစံတွင် ချို့ယွင်းချက်များကို စစ်ဆေးရန်ဖြစ်သည်။ အများအားဖြင့်၊ ရုပ်ပုံအသိအမှတ်ပြုခြင်းနည်းပညာကို ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ပြီးနောက် ချစ်ပ်ပုံစံကို အလိုအလျောက်စကင်န်ဖတ်ပြီး ၎င်းကို ကြိုတင်သိမ်းဆည်းထားသည့် ချို့ယွင်းချက်မရှိသည့် စံပုံစံနှင့် နှိုင်းယှဉ်ရန် အသုံးပြုသည်။ ကွဲလွဲမှုတစ်စုံတစ်ရာတွေ့ရှိပါက ချို့ယွင်းချက်ဟု ယူဆပါသည်။
ချို့ယွင်းချက်အရေအတွက်သည် သတ်မှတ်ထားသောတန်ဖိုးထက် ကျော်လွန်ပါက၊ ဆီလီကွန် wafer သည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုစမ်းသပ်မှု မအောင်မြင်ကြောင်း ဆုံးဖြတ်ပြီး ဖျက်သိမ်းခြင်း သို့မဟုတ် သင့်လျော်သလို ပြန်လည်လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။

ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ လုပ်ငန်းစဉ်အများစုသည် နောက်ပြန်မဆုတ်နိုင်ဘဲ၊ photolithography သည် ပြန်လည်လုပ်ဆောင်နိုင်သည့် အလွန်နည်းသော လုပ်ငန်းစဉ်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။

 
photomasks သုံးခုနှင့် photoresist ပစ္စည်းများ

3.1 Photomask
photolithography mask ဟုလည်းလူသိများသော photomask သည် ပေါင်းစပ် circuit wafer ထုတ်လုပ်ခြင်း၏ photolithography လုပ်ငန်းစဉ်တွင်အသုံးပြုသော master ဖြစ်သည်။

photomask ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် ပေါင်းစပ် circuit ဒီဇိုင်းအင်ဂျင်နီယာများ ရေးဆွဲထားသော wafer ထုတ်လုပ်မှုအတွက် လိုအပ်သော မူရင်းအပြင်အဆင်ဒေတာကို လေဆာပုံစံ ဂျင်နရေတာများ သို့မဟုတ် အီလက်ထရွန်အလင်းတန်း ထိတွေ့မှုဆိုင်ရာကိရိယာများမှ အသိအမှတ်ပြုနိုင်သော ဒေတာဖော်မတ်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲရန်၊ သို့မှသာ ၎င်းကို ထိတွေ့နိုင်စေရန်၊ photomask အလွှာပေါ်ရှိ အထက်ပါပစ္စည်းကိရိယာများသည် photosensitive material ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော၊ ထို့နောက် ၎င်းကို မြေအောက်ခံပစ္စည်းပေါ်ရှိ ပုံစံကို ပြုပြင်ရန် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် ထွင်းထုခြင်းကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များစွာဖြင့် စီမံဆောင်ရွက်သည်။ နောက်ဆုံးတွင်၊ ၎င်းအား မျက်နှာဖုံးထုတ်ကုန်တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန်အတွက် စစ်ဆေးခြင်း၊ ပြုပြင်ခြင်း၊ သန့်စင်ခြင်းနှင့် ဖလင်ပြားဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး အသုံးပြုရန်အတွက် ပေါင်းစပ် circuit ထုတ်လုပ်သူထံ ပေးပို့ပါသည်။

3.2 Photoresist
Photoresist သည် photoresist ဟုလည်းလူသိများသော ဓါတ်ပုံဆိုင်ရာပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင်ရှိသော photosensitive အစိတ်အပိုင်းများသည် အလင်း၏ဓာတ်ရောင်ခြည်အောက်တွင် ဓာတုဗေဒပြောင်းလဲမှုများကို ကြုံတွေ့ရမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် ပျော်ဝင်မှုနှုန်းကို ပြောင်းလဲစေသည်။ ၎င်း၏အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ mask ပေါ်ရှိပုံစံကို wafer ကဲ့သို့သောအလွှာတစ်ခုသို့လွှဲပြောင်းရန်ဖြစ်သည်။

photoresist ၏လုပ်ဆောင်မှုနိယာမ- ပထမဦးစွာ၊ photoresist သည် အလွှာပေါ်တွင် ဖုံးအုပ်ထားပြီး၊

ဒုတိယအနေဖြင့်၊ မျက်နှာဖုံးသည် အလင်းရောင်နှင့် ထိတွေ့ရသောကြောင့် ထိတွေ့ထားသော အစိတ်အပိုင်းရှိ ဓါတ်ရောင်ခြည်သင့်သော အစိတ်အပိုင်းများကို ဓာတုတုံ့ပြန်မှုဖြစ်စေသည်။

ထို့နောက်၊ ထိတွေ့မှုလွန်သောမုန့်ဖုတ်ခြင်းကို လုပ်ဆောင်သည်။

နောက်ဆုံးတွင်၊ photoresist သည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအားဖြင့် တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းပျော်သွားသည် (အပြုသဘောဆောင်သော photoresist အတွက်၊ ထိတွေ့ထားသောနေရာကို ပျော်ဝင်သည်၊ အနုတ် photoresist အတွက်၊ unexposed area သည် ပျော်ဝင်သည်)၊ ထို့ကြောင့် ပေါင်းစပ် circuit ပုံစံမှ mask မှ substrate သို့ လွှဲပြောင်းခြင်းကို နားလည်သဘောပေါက်ပါသည်။

photoresist ၏ အစိတ်အပိုင်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် ဖလင်-ဖွဲ့စည်းသည့် အစေး၊ ဓါတ်ပြုနိုင်သော အစိတ်အပိုင်း၊ ခြေရာခံ ပေါင်းထည့်သော ပစ္စည်းများ နှင့် ပျော်ရည်များ ပါဝင်သည်။

၎င်းတို့တွင်၊ ဖလင်ပုံသဏ္ဍာန်အစေးကို စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ထွင်းထုခံနိုင်ရည်ရှိစေရန်အတွက် အသုံးပြုသည်။ photosensitive အစိတ်အပိုင်းသည် အလင်းအောက်တွင် ဓာတုပြောင်းလဲမှုများကို ကြုံတွေ့ရပြီး ပျော်ဝင်မှုနှုန်းကို ပြောင်းလဲစေသည်။

ခြေရာခံ ပေါင်းထည့်သည့် ပစ္စည်းများတွင် ဆိုးဆေးများ၊ viscosity enhancers စသည်တို့ ပါဝင်သည်။ ပါဝင်ပစ္စည်းများကို အရည်ဖျော်ပြီး အညီအမျှ ရောမွှေရန် ဖျော်ရည်များကို အသုံးပြုသည်။

Photoresist များကို သမားရိုးကျ photoresists နှင့် photochemical တုံ့ပြန်မှု ယန္တရားအရ ဓာတုဗေဒအရ ချဲ့ထွင်ထားသော photoresists ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်ပြီး ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်၊ နက်နဲသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်၊ အစွန်းရောက် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်၊ အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်၊ အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းနှင့် ဓာတ်မှန်ဓါတ်မှန်များကို ခွဲခြားနိုင်သည်။ photosensitivity လှိုင်းအလျား။

 
Photolithography ပစ္စည်းလေးခု

Photolithography နည်းပညာသည် အဆက်အသွယ်/အနီးနားရှိ ပုံသဏ္ဍာန်ပုံသဏ္ဍာန်၊ optical projection lithography၊ တစ်ဆင့်ပြီးတစ်ဆင့် ထပ်တလဲလဲ lithography၊ scanning lithography၊ immersion lithography နှင့် EUV lithography တို့၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များကို ဖြတ်သန်းခဲ့ပါသည်။

4.1 ဆက်သွယ်ရန်/နီးစပ်မှု ပုံသဏ္ဍာန်စက်
Contact lithography နည်းပညာကို 1960 ခုနှစ်များတွင် ပေါ်ထွန်းခဲ့ပြီး 1970 ခုနှစ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုခဲ့သည်။ ၎င်းသည် အသေးစားပေါင်းစပ်ဆားကစ်များခေတ်တွင် အဓိက lithography နည်းလမ်းဖြစ်ပြီး 5μm ထက်ကြီးသော အင်္ဂါရပ်အရွယ်အစားရှိသော ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များကို ထုတ်လုပ်ရန် အဓိကအသုံးပြုခဲ့သည်။

အဆက်အသွယ်/အနီးကပ်ပုံသဏ္ဍာန်စက်တစ်ခုတွင် wafer ကို အများအားဖြင့် ကိုယ်တိုင်ထိန်းချုပ်ထားသော အလျားလိုက်အနေအထားနှင့် လှည့်နေသော အလုပ်စားပွဲပေါ်တွင် ထားရှိလေ့ရှိသည်။ အော်ပရေတာသည် မျက်နှာဖုံးနှင့် wafer ၏တည်နေရာကို တစ်ပြိုင်နက်ကြည့်ရှုရန် သီးခြားအကွက်အဏုကြည့်မှန်ဘီလူးကိုအသုံးပြုကာ မျက်နှာဖုံးနှင့် wafer ကိုချိန်ညှိရန် အလုပ်စားပွဲ၏အနေအထားကို ကိုယ်တိုင်ထိန်းချုပ်သည်။ wafer နှင့် mask တို့ကို ချိန်ညှိပြီးနောက် wafer ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ photoresist နှင့်တိုက်ရိုက်ထိတွေ့စေရန် mask သည် နှစ်ခုကိုအတူတကွဖိထားမည်ဖြစ်သည်။

အဏုကြည့်ကိရိယာကို ဖယ်ရှားပြီးနောက်၊ ဖိထားသော wafer နှင့် မျက်နှာဖုံးများကို ထိတွေ့မှုအတွက် ထိတွေ့မှုဇယားသို့ ရွှေ့သည်။ ပြဒါးမီးခွက်မှ ထုတ်လွှတ်သော အလင်းရောင်သည် မှန်ဘီလူးမှတဆင့် မျက်နှာဖုံးနှင့် အပြိုင်ဖြစ်သည်။ မျက်နှာဖုံးသည် wafer ပေါ်ရှိ photoresist အလွှာနှင့် တိုက်ရိုက်ထိတွေ့နေသောကြောင့် မျက်နှာဖုံးပုံစံကို ထိတွေ့ပြီးနောက် အချိုးအစား 1:1 ဖြင့် photoresist အလွှာသို့ ပြောင်းရွှေ့သည်။

Contact lithography ပစ္စည်းသည် အရိုးရှင်းဆုံးနှင့် စျေးသက်သာဆုံး optical lithography ကိရိယာဖြစ်ပြီး၊ sub-micron လုပ်ဆောင်ချက်အရွယ်အစား ဂရပ်ဖစ်များ၏ ထိတွေ့မှုကို ရရှိစေနိုင်သောကြောင့် ၎င်းကို အသေးစားထုတ်ကုန်ထုတ်လုပ်ရေးနှင့် ဓာတ်ခွဲခန်းသုတေသနတွင် အသုံးပြုဆဲဖြစ်သည်။ အကြီးစားပေါင်းစပ် circuit ထုတ်လုပ်မှုတွင် mask နှင့် wafer အကြား တိုက်ရိုက်ထိတွေ့မှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော lithography ကုန်ကျစရိတ်များ မြင့်တက်ခြင်းကို ရှောင်ရှားရန် proximity lithography နည်းပညာကို မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။

Proximity lithography ကို ၁၉၇၀ ခုနှစ်များအတွင်း သေးငယ်သော ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ ခေတ်နှင့် အလတ်စား ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ အစောပိုင်းခေတ်များအတွင်း တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုခဲ့သည်။ contact lithography နှင့်မတူဘဲ၊ proximity lithography ရှိ mask သည် wafer ပေါ်ရှိ photoresist နှင့် တိုက်ရိုက်ထိတွေ့ခြင်းမရှိသော်လည်း နိုက်ထရိုဂျင်နှင့်ဖြည့်ထားသော ကွာဟချက်တစ်ခု ကျန်နေပါသည်။ မျက်နှာဖုံးသည် နိုက်ထရိုဂျင်ပေါ်တွင် ပေါ်နေပြီး မျက်နှာဖုံးနှင့် ဆပ်ပြာကြားရှိ ကွာဟချက်အရွယ်အစားကို နိုက်ထရိုဂျင်ဖိအားဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။

proximity lithography တွင် wafer နှင့် mask အကြား တိုက်ရိုက် ထိတွေ့မှု မရှိသောကြောင့်၊ lithography လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း မိတ်ဆက်ထားသော ချို့ယွင်းချက်များ လျော့နည်းသွားသည်၊ ထို့ကြောင့် မျက်နှာဖုံး၏ ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပြီး wafer အထွက်နှုန်းကို တိုးတက်စေသည်။ proximity lithography တွင်၊ wafer နှင့် mask အကြားကွာဟမှုသည် wafer ကို Fresnel diffraction area တွင်ထည့်သည်။ Diffraction ပါဝင်မှုသည် proximity lithography ပစ္စည်းများ၏ ကြည်လင်ပြတ်သားမှုကို ကန့်သတ်ထားသောကြောင့် ဤနည်းပညာသည် 3μm အထက်ရှိသော feature အရွယ်အစားရှိသော ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အဓိကအားဖြင့် သင့်လျော်ပါသည်။

4.2 Stepper နှင့် Repeater
stepper သည် wafer lithography ၏သမိုင်းတွင် အရေးကြီးဆုံးပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ sub-micron lithography လုပ်ငန်းစဉ်ကို အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုအဖြစ်သို့မြှင့်တင်ပေးသော wafer lithography ၏သမိုင်းတွင်အရေးကြီးဆုံးကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ stepper သည် 22mm × 22mm ရှိသော ပုံမှန် static exposure အကွက်ကို အသုံးပြု၍ လျှော့ချထားသော အချိုး 5:1 သို့မဟုတ် 4:1 ရှိသော optical projection မှန်ဘီလူးကို အသုံးပြု၍ mask ပေါ်ရှိ ပုံစံကို wafer သို့ လွှဲပြောင်းပေးပါသည်။

တစ်ဆင့်ပြီးတစ်ဆင့် ထပ်ခါတလဲလဲ lithography စက်သည် ယေဘူယျအားဖြင့် အလင်းဝင်စနစ်ခွဲတစ်ခု၊ workpiece stage subsystem၊ mask stage subsystem၊ focus/leveling subsystem၊ alignment subsystem၊ main frame subsystem၊ wafer transfer subsystem၊ mask transfer subsystem တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ အီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်ခွဲတစ်ခု၊ နှင့် ဆော့ဖ်ဝဲလ်ခွဲစနစ်တစ်ခု။

တစ်ဆင့်ပြီးတစ်ဆင့် ထပ်ခါထပ်ခါ lithography စက်၏ ပုံမှန်လုပ်ဆောင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်မှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။:

ပထမဦးစွာ၊ photoresist ဖြင့်ဖုံးလွှမ်းထားသော wafer ကို wafer လွှဲပြောင်းမှုစနစ်ခွဲကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် workpiece table သို့လွှဲပြောင်းပြီး၊ ထိတွေ့ရမည့်မျက်နှာဖုံးကို mask လွှဲပြောင်းမှုစနစ်ခွဲကိုအသုံးပြု၍ mask table သို့လွှဲပြောင်းသည်၊

ထို့နောက် စနစ်သည် ထိတွေ့ရမည့် wafer ၏ မျက်နှာပြင်၏ အမြင့်နှင့် တိမ်းစောင်းသည့် ထောင့်ကဲ့သို့သော သတင်းအချက်အလက်များကို ရယူရန်အတွက် workpiece အဆင့်ရှိ wafer ပေါ်တွင် အချက်ပေါင်းများစွာ အမြင့်တိုင်းတာခြင်း လုပ်ဆောင်ရန် focusing/leveling subsystem ကို အသုံးပြု၍၊ ထိတွေ့မှုဖြစ်စဉ်အတွင်း wafer ကို projection objective ၏ focal depth အတွင်း အမြဲတမ်း ထိန်းချုပ်ထားနိုင်သည်၊နောက်ပိုင်းတွင်၊ စနစ်သည် မျက်နှာဖုံးနှင့် wafer ကိုချိန်ညှိရန် alignment subsystem ကိုအသုံးပြုပြီး exposure လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း mask image ၏ position တိကျမှုနှင့် wafer ပုံစံလွှဲပြောင်းမှုသည် overlay လိုအပ်ချက်များအတွင်းအမြဲရှိနေစေရန်။

နောက်ဆုံးတွင်၊ wafer မျက်နှာပြင်တစ်ခုလုံး၏ step-and-exposure action သည် pattern transfer function ကို နားလည်ရန် သတ်မှတ်ထားသောလမ်းကြောင်းအတိုင်း ပြီးမြောက်သည်။

နောက်ဆက်တွဲ stepper နှင့် scanner lithography စက်သည် အထက်ဖော်ပြပါ အခြေခံလုပ်ဆောင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အပေါ် အခြေခံ၍ အဆင့်မြှင့်တင်ခြင်း → ထိတွေ့မှုကို စကင်န်ဖတ်ခြင်း → ထိတွေ့မှု၊ နှင့် အာရုံစူးစိုက်မှု/ အဆင့်ချိန်ခြင်း → ချိန်ညှိခြင်း → တိုင်းတာခြင်း (အာရုံစူးစိုက်မှု/အဆင့်သတ်မှတ်ခြင်း → ချိန်ညှိခြင်း) နှင့် စကင်ဖတ်စစ်ဆေးခြင်း ပြိုင်တူထိတွေ့မှု။

step-and-scan lithography စက်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက step-and-repeat lithography စက်သည် mask နှင့် wafer ၏ synchronous reverse scanning ကို ရရှိရန် မလိုအပ်ဘဲ၊ scanning mask table နှင့် synchronous scanning control system မလိုအပ်ပါ။ ထို့ကြောင့်၊ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသည်အတော်လေးရိုးရှင်းသည်၊ ကုန်ကျစရိတ်အတော်လေးနည်းသည်၊ လည်ပတ်မှုကိုယုံကြည်စိတ်ချရသည်။

IC နည်းပညာသည် 0.25μm သို့ ဝင်ရောက်ပြီးနောက်၊ စကင်န်ဖတ်သည့် အလင်းဝင်ပေါက် အရွယ်အစားနှင့် ထိတွေ့မှု တူညီမှု အဆင့်ဆင့်နှင့် စကင်န်ပုံသဏ္ဍာန်၏ အားသာချက်များကြောင့် တစ်ဆင့်ပြီးတစ်ဆင့် ထပ်တလဲလဲ လစ်သဂရပ်ဖစ် အသုံးချမှု ကျဆင်းလာသည်။ လက်ရှိတွင်၊ Nikon မှ ပံ့ပိုးပေးသော နောက်ဆုံးပေါ် အဆင့်ဆင့် အထပ်ထပ် ပုံသဏ္ဍာန် ပုံသဏ္ဍာန်သည် အဆင့်-နှင့် စကင်န်ပုံသဏ္ဍာန်ကဲ့သို့ ကြီးမားသော တည်ငြိမ်သော အလင်းဝင်သည့် မြင်ကွင်းတစ်ခု ရှိပြီး တစ်နာရီလျှင် wafer 200 ကျော်ကို ထုတ်လုပ်မှု ထိရောက်မှုဖြင့် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ ဤ lithography စက်အမျိုးအစားကို လက်ရှိတွင် အရေးပါသောမဟုတ်သော IC အလွှာများထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အဓိကအသုံးပြုသည်။

4.3 Stepper စကင်နာ
Step-and-scan lithography ကို 1990 ခုနှစ်များတွင် စတင်အသုံးပြုခဲ့သည်။ မတူညီသောအလင်းရင်းမြစ်များကို ပုံစံသတ်မှတ်ခြင်းဖြင့်၊ အဆင့်နှင့်စကင်န်နည်းပညာသည် 365nm၊ 248nm၊ 193nm နှစ်မြှုပ်ခြင်းမှ EUV lithography အထိ မတူညီသော လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။ တစ်ဆင့်ပြီးတစ်ဆင့် ထပ်တလဲလဲ lithography နှင့်မတူဘဲ၊ step-and-scan lithography ၏ single-field exposure သည် dynamic scanning ကို လက်ခံရရှိသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ mask plate သည် wafer နှင့် ဆက်စပ်နေသည့် scanning လှုပ်ရှားမှုကို ပြီးမြောက်စေသည်။ လက်ရှိ field exposure ပြီးစီးပြီးနောက်၊ wafer ကို workpiece အဆင့်ဖြင့်သယ်ဆောင်ပြီး နောက် scanning field အနေအထားသို့ ခြေလှမ်းပြီး ထပ်ခါတလဲလဲ ထိတွေ့မှုကို ဆက်လက်လုပ်ဆောင်နေပါသည်။ wafer တစ်ခုလုံး၏ ကွက်လပ်အားလုံးကို မထိတွေ့မချင်း အကြိမ်ပေါင်းများစွာ ထိတွေ့မှုစကင်န်ကို ထပ်လုပ်ပါ။

မတူညီသောအလင်းရင်းမြစ်များ (ဥပမာ i-line၊ KrF၊ ArF ကဲ့သို့)၊ stepper-scanner သည် semiconductor front-end လုပ်ငန်းစဉ်၏ နည်းပညာအားလုံးနီးပါးကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။ ပုံမှန် ဆီလီကွန်အခြေခံ CMOS လုပ်ငန်းစဉ်များသည် 0.18μm node မှစပြီး ပမာဏများစွာဖြင့် stepper-scanners ကို လက်ခံရရှိခဲ့ပါသည်။ 7nm အောက်ရှိ process node များတွင် လက်ရှိအသုံးပြုနေသော အလွန်အမင်းခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် (EUV) lithography စက်များသည် stepper-scanning ကို အသုံးပြုပါသည်။ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်း လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် ပြုပြင်မွမ်းမံပြီးနောက်၊ stepper-scanner သည် MEMS၊ ပါဝါကိရိယာများနှင့် RF စက်များကဲ့သို့သော ဆီလီကွန်မဟုတ်သော လုပ်ငန်းစဉ်များစွာ၏ သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုများကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည်။

Step-and-scan projection lithography စက်များ၏ အဓိကထုတ်လုပ်သူများမှာ ASML (နယ်သာလန်)၊ Nikon (Japan)၊ Canon (Japan) နှင့် SMEE (China) တို့ ပါဝင်သည်။ ASML သည် 2001 ခုနှစ်တွင် TWINSCAN စီးရီး၏ step-and-scan lithography စက်များကို စတင်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် စက်ပစ္စည်းများ၏ ထွက်နှုန်းကို ထိရောက်စွာ မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည့် Dual-stage စနစ်ဗိသုကာကို အသုံးပြုထားပြီး အသုံးအများဆုံးအဆင့်မြင့် ပုံတူစာရိုက်စက် ဖြစ်လာခဲ့သည်။

4.4 နှစ်မြှုပ်ပုံသဏ္ဍာန်
Rayleigh ဖော်မြူလာမှ ရှုမြင်နိုင်ပြီး၊ အလင်းဝင်ပေါက် လှိုင်းအလျား မပြောင်းလဲပါက ပုံရိပ်ကြည်လင်ပြတ်သားမှုကို ပိုမိုတိုးတက်ကောင်းမွန်စေရန် ထိရောက်သောနည်းလမ်းမှာ ပုံရိပ်ဖော်စနစ်၏ ကိန်းဂဏာန်းအလင်းဝင်ပေါက်ကို တိုးမြင့်စေခြင်းပင်ဖြစ်သည်။ 45nm နှင့်အထက် ပုံရိပ်ပြတ်သားမှုများအတွက်၊ ArF ခြောက်သွေ့သောထိတွေ့မှုနည်းလမ်းသည် လိုအပ်ချက်များနှင့်မပြည့်မီနိုင်တော့ပါ (၎င်းသည် အမြင့်ဆုံးပုံရိပ်ပုံရိပ်ကြည်လင်ပြတ်သားမှုကို 65nm ပံ့ပိုးပေးသောကြောင့်) ထို့ကြောင့် immersion lithography နည်းလမ်းကိုမိတ်ဆက်ပေးရန် လိုအပ်ပါသည်။ သမားရိုးကျ ပုံသဏ္ဍာန်နည်းပညာတွင်၊ မှန်ဘီလူးနှင့် ဖိုတိုခုခံမှုအကြား ကြားခံသည် လေဖြစ်ပြီး၊ နှစ်မြှုပ်ထားသော လစ်သရိုက်နည်းပညာသည် လေကို အရည်ဖြင့် အစားထိုးသည် (ပုံမှန်အားဖြင့် အလွန်သန့်စင်သောရေသည် အလင်းယိုင်အညွှန်းကိန်း 1.44) ဖြစ်သည်။

အမှန်မှာ၊ နှစ်မြှုပ်ထားသော lithography နည်းပညာသည် ကြည်လင်ပြတ်သားမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အရည်ကြားခံကို အလင်းဖြတ်သန်းပြီးနောက် အလင်းရင်းမြစ်၏ လှိုင်းအလျားကို အတိုချုံးပြီး အသုံးပြုကာ အတိုကောက်အချိုးသည် အရည်ကြားခံ၏ အလင်းယပ်ညွှန်းကိန်းဖြစ်သည်။ နှစ်မြှုပ်ခြင်းပုံသဏ္ဍာန်စက်သည် အဆင့်ဆင့်စကင်န်ပုံသဏ္ဍာန်စက်အမျိုးအစားဖြစ်သော်လည်း ၎င်း၏စက်ပစ္စည်းစနစ်ဖြေရှင်းချက်မှာ မပြောင်းလဲသေးသော်လည်း ၎င်းသည် အဓိကနည်းပညာများနှင့်ပတ်သက်သည့် အဓိကနည်းပညာများကို မိတ်ဆက်ခြင်းကြောင့် ArF အဆင့်နှင့်စကင်ဖတ်ပုံရိုက်စက်ကို ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းနှင့် ချဲ့ထွင်ခြင်းပင်ဖြစ်သည်။ နှစ်မြှုပ်ရန်။

immersion lithography ၏ အားသာချက်မှာ စနစ်၏ ကိန်းဂဏာန်း အလင်းဝင်ပေါက် တိုးလာခြင်းကြောင့် stepper-scanner lithography စက်၏ ပုံရိပ်ကြည်လင်ပြတ်သားမှု စွမ်းရည်ကို မြှင့်တင်ပေးကာ 45nm အောက် ပုံရိပ်ပုံရိပ်ပြတ်သားမှု လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။

နှစ်မြှုပ်ထားသော lithography စက်သည် ArF အလင်းရင်းမြစ်ကို အသုံးပြုနေဆဲဖြစ်သောကြောင့်၊ လုပ်ငန်းစဉ်၏ စဉ်ဆက်မပြတ်မှုကို အာမခံထားပြီး အလင်းအရင်းအမြစ်၊ စက်ကိရိယာများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ R&D ကုန်ကျစရိတ်ကို သက်သာစေပါသည်။ ဤအခြေခံဖြင့် ဂရပ်ဖစ်မျိုးစုံနှင့် ကွန်ပျူတာပုံသဏ္ဍာန်နည်းပညာဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော နှစ်မြှုပ်ထားသော lithography စက်ကို 22nm နှင့် အောက်ရှိ process node များတွင် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ EUV lithography စက်ကို အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်ခြင်းမပြုမီတွင် မြှုပ်နှံထားသော lithography စက်ကို တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုခဲ့ပြီး 7nm node ၏ လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ခဲ့သည်။ သို့သော် နှစ်မြှုပ်ခြင်းအရည်ကို မိတ်ဆက်ခြင်းကြောင့် စက်ကိရိယာများကိုယ်တိုင်၏ အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ အခက်အခဲမှာ သိသိသာသာ တိုးလာပါသည်။

၎င်း၏အဓိကနည်းပညာများတွင် နှစ်မြှုပ်ခြင်းအရည်ထောက်ပံ့မှုနှင့် ပြန်လည်ရယူခြင်းနည်းပညာ၊ နှစ်မြှုပ်ထားသောအရည်စက်ကွင်းပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုနည်းပညာ၊ နှစ်မြှုပ်ထားသော lithography ညစ်ညမ်းမှုနှင့် ချို့ယွင်းချက်ထိန်းချုပ်မှုနည်းပညာ၊ အလွန်ကြီးမားသော ဂဏန်းအပါချာနှစ်မြှုပ်ခြင်းဆိုင်ရာ မှန်ဘီလူးများကို ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်းနှင့် နစ်မြှုပ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် ပုံရိပ်အရည်အသွေးသိရှိနိုင်မှုနည်းပညာတို့ ပါဝင်ပါသည်။

လက်ရှိတွင် စီးပွားဖြစ် ArFi အဆင့်နှင့်စကင်န်ပုံသဏ္ဍာန်စက်များကို နယ်သာလန်နိုင်ငံမှ ASML နှင့် ဂျပန်နိုင်ငံမှ Nikon မှ ကုမ္ပဏီနှစ်ခုမှ အဓိကပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ၎င်းတို့အနက် ASML NXT1980 Di တစ်လုံး၏စျေးနှုန်းသည် ယူရိုသန်း 80 ခန့်ဖြစ်သည်။

4.4 အလွန်အမင်း ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် Lithography စက်
photolithography ၏ ကြည်လင်ပြတ်သားမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် excimer light source ကိုအသုံးပြုပြီးနောက် excimer light source ကိုအသုံးပြုပြီးနောက် exposure wavelength ကို ပိုမိုတိုတောင်းပြီး၊ လှိုင်းအလျား 10 မှ 14 nm ရှိသော ultraviolet light ကို exposure light source အဖြစ် မိတ်ဆက်ပေးပါသည်။ လွန်ကဲသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်၏ လှိုင်းအလျားသည် အလွန်တိုတောင်းပြီး အသုံးပြုနိုင်သော အလင်းပြန်အလင်းပြန်စနစ်သည် များသောအားဖြင့် Mo/Si သို့မဟုတ် Mo/Be ကဲ့သို့သော multilayer film reflectors များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။

၎င်းတို့အနက် 13.0 မှ 13.5nm အတွင်း လှိုင်းအလျားအကွာအဝေးရှိ Mo/Si multilayer ရုပ်ရှင်၏ သီအိုရီ အမြင့်ဆုံး ရောင်ပြန်ဟပ်မှုသည် 70% ခန့်ဖြစ်ပြီး Mo/Be multilayer film ၏ တိုတောင်းသော လှိုင်းအလျား 11.1nm တွင် သီအိုရီအရ အများဆုံး ရောင်ပြန်ဟပ်မှုသည် 80% ခန့်ဖြစ်သည်။ Mo/Be multilayer film reflectors များ၏ ရောင်ပြန်ဟပ်မှုသည် ပိုမြင့်သော်လည်း Be သည် အလွန်အဆိပ်သင့်သောကြောင့် EUV lithography နည်းပညာကို တီထွင်သောအခါတွင် ထိုပစ္စည်းများအပေါ် သုတေသနပြုခြင်းကို စွန့်လွှတ်ခဲ့သည်။လက်ရှိ EUV lithography နည်းပညာသည် Mo/Si multilayer film ကိုအသုံးပြုထားပြီး ၎င်း၏အလင်းဝင်ပေါက်လှိုင်းအလျားကိုလည်း 13.5nm ဟုသတ်မှတ်ထားသည်။

ပင်မ အစွန်းရောက် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် အရင်းအမြစ်သည် အလင်းရောင်ထုတ်လွှတ်ရန် ပူနေသော အရည်ပျော် Sn ပလာစမာများကို လှုံ့ဆော်ရန် လေဆာမှ ထုတ်လုပ်သော ပလာစမာ (LPP) နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ အချိန်ကြာမြင့်စွာ၊ အလင်းရင်းမြစ်၏ပါဝါနှင့်ရရှိနိုင်မှုသည် EUV lithography စက်များ၏ထိရောက်မှုကိုကန့်သတ်ပိတ်ဆို့မှုများဖြစ်ခဲ့သည်။ master oscillator ပါဝါအသံချဲ့စက်၊ ကြိုတင်ခန့်မှန်းထားသော ပလာစမာ (PP) နည်းပညာနှင့် in-situ collection mirror cleaning နည်းပညာဖြင့် EUV အလင်းရင်းမြစ်များ၏ ပါဝါနှင့် တည်ငြိမ်မှုကို အလွန်တိုးတက်ကောင်းမွန်လာခဲ့သည်။

EUV lithography စက်သည် အဓိကအားဖြင့် အလင်းရင်းမြစ်၊ အလင်းရောင်၊ ရည်ရွယ်ချက်မှန်ဘီလူး၊ workpiece stage၊ mask stage၊ wafer alignment၊ focusing/leveling၊ mask transmission၊ wafer transmission နှင့် vacuum frame ကဲ့သို့သော subsystems များဖြင့် အဓိကဖွဲ့စည်းထားပါသည်။ Multi-layer coated reflectors များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည့် အလင်းရောင်စနစ်အား ဖြတ်သန်းပြီးနောက်၊ လွန်ကဲသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်သည် ရောင်ပြန်မျက်နှာဖုံးပေါ်တွင် ရောင်ခြည်ဖြာထွက်နေသည်။ မျက်နှာဖုံးမှ ရောင်ပြန်ဟပ်သောအလင်းသည် အလင်းပြန်များအစီအရီဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသော optical Total ရောင်ပြန်ဟပ်မှုပုံရိပ်စနစ်ထဲသို့ ဝင်ရောက်သွားပြီး နောက်ဆုံးတွင် မျက်နှာဖုံး၏ထင်ဟပ်သောပုံရိပ်ကို လေဟာနယ်ပတ်ဝန်းကျင်ရှိ wafer ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ပြသထားသည်။

EUV lithography စက်၏ မြင်ကွင်း၏ အလင်းဝင်အကွက်နှင့် ပုံရိပ်ဖော်ခြင်းအကွက်သည် ထောင့်ပုံသဏ္ဍာန် နှစ်မျိုးလုံးဖြစ်ပြီး အထွက်နှုန်းကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် wafer exposure အပြည့်ရရှိရန် အဆင့်ဆင့်စကင်န်ဖတ်နည်းကို အသုံးပြုပါသည်။ ASML ၏အဆင့်မြင့်ဆုံး NXE စီးရီး EUV lithography စက်သည် 13.5nm လှိုင်းအလျားရှိသော အလင်းရင်းမြစ်တစ်ခု၊ ရောင်ပြန်မျက်နှာဖုံး (6° oblique ဖြစ်ပွားမှု)၊ 4x လျှော့ချထားသော ရောင်ပြန်ပရိုဂျက်တာစနစ် (6-mirror ဖွဲ့စည်းပုံ (NA=0.33))၊ a 26mm × 33mm မြင်ကွင်းကို စကင်န်ဖတ်ခြင်းနယ်ပယ်နှင့် လေဟာနယ် ထိတွေ့မှုပတ်ဝန်းကျင်။

နှစ်မြှုပ်ထားသော lithography စက်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက လွန်ကဲသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် အရင်းအမြစ်များကို အသုံးပြုထားသော EUV lithography စက်များ၏ တစ်ခုတည်းသော ထိတွေ့မှု ကြည်လင်ပြတ်သားမှုမှာ အလွန်ကောင်းမွန်လာကာ ကြည်လင်ပြတ်သားမှုမြင့်မားသော ဓါတ်ပုံရိုက်နည်းအတွက် လိုအပ်သော ရှုပ်ထွေးသော လုပ်ငန်းစဉ်များကို ထိရောက်စွာ ရှောင်ရှားနိုင်မည်ဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင်၊ ဂဏန်းအလင်းဝင်ပေါက် 0.33 ရှိသော NXE 3400B lithography စက်၏ single exposure resolution သည် 13nm သို့ရောက်ရှိပြီး output rate သည် 125 pieces/h သို့ရောက်ရှိပါသည်။

Moore's Law ၏နောက်ထပ်တိုးချဲ့မှုလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန်အတွက်အနာဂတ်တွင်၊ ဂဏန်းအလင်းဝင်ပေါက် 0.5 ရှိသော EUV lithography စက်များသည် 0.25 ကြိမ် / 0.125 ကြိမ်မညီမညွတ်ချဲ့ထွင်မှုကိုအသုံးပြု၍ ဗဟိုအလင်းပိတ်ဆို့ခြင်းနှင့်အတူ projection objective system ကိုအသုံးပြုလိမ့်မည်။ scanning exposure မြင်ကွင်းကို 26m × 33mm မှ 26mm × 16.5mm သို့ လျှော့ချမည်ဖြစ်ပြီး၊ exposure resolution သည် 8nm အောက်တွင်ရောက်ရှိနိုင်သည်။

————————————————————————————————————————————————————— ————————————

Semicera ပေးစွမ်းနိုင်ပါတယ်။ဖိုက်တာအပိုင်း, ပျော့ပျောင်း / မာကျောသောခံစားမှု, ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အစိတ်အပိုင်းများ, CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အစိတ်အပိုင်းများ, နှင့်SiC/TaC coated အစိတ်အပိုင်းများရက် 30 အတွင်း semiconductor လုပ်ငန်းစဉ်အပြည့်ဖြင့်။

အထက်ဖော်ပြပါ semiconductor ထုတ်ကုန်များကို စိတ်ဝင်စားပါက၊ကျေးဇူးပြု၍ ပထမအကြိမ်တွင် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ရန် တုံ့ဆိုင်းမနေပါနှင့်။

Tel: +86-13373889683

WhatsAPP: +86-15957878134

Email: sales01@semi-cera.com