Epitaxial Growth သည် ပုံဆောင်ခဲ၏ အပြင်ဘက်သို့ ပျံ့နှံ့သွားသကဲ့သို့ တူညီသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာ (Substrate) ပေါ်တွင် ပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခု (Substrate) တစ်ခုပေါ်တွင် ကြီးထွားလာသော နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ အသစ်စိုက်ပျိုးထားသော ဤပုံဆောင်ခဲတစ်ခုတည်းအလွှာသည် လျှပ်ကူးနိုင်သောအမျိုးအစား၊ ခံနိုင်ရည်ရှိမှုစသည်ဖြင့် ကွဲပြားနိုင်ပြီး အထူနှင့် ကွဲပြားခြားနားသောလိုအပ်ချက်များဖြင့် အလွှာပေါင်းစုံမှ crystals များကို ပေါက်ပွားနိုင်သောကြောင့် စက်ပစ္စည်းဒီဇိုင်းနှင့် စက်စွမ်းဆောင်ရည်၏ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ကို များစွာတိုးတက်စေသည်။ ထို့အပြင်၊ epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်ကို ပေါင်းစည်းထားသော circuit များတွင် PN junction isolation technology နှင့် အကြီးစား integrated circuits များတွင် ပစ္စည်းအရည်အသွေး မြှင့်တင်ရာတွင်လည်း တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုပါသည်။
epitaxy ၏ အမျိုးအစား ခွဲခြားမှုသည် အဓိကအားဖြင့် အလွှာနှင့် epitaxial အလွှာ၏ မတူညီသော ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုများနှင့် မတူညီသော ကြီးထွားမှုနည်းလမ်းများအပေါ် အခြေခံသည်။
ကွဲပြားခြားနားသောဓာတုဖွဲ့စည်းမှုများအရ epitaxial ကြီးထွားမှုကို အမျိုးအစားနှစ်မျိုး ခွဲခြားနိုင်သည်။
1. Homoepitaxial- ဤကိစ္စတွင်၊ epitaxial အလွှာသည် အလွှာနှင့် တူညီသော ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု ရှိသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဆီလီကွန် epitaxial အလွှာများကို ဆီလီကွန်အလွှာပေါ်တွင် တိုက်ရိုက် စိုက်ပျိုးသည်။
2. Heteroepitaxy- ဤတွင်၊ epitaxial အလွှာ၏ ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုမှာ အလွှာနှင့် ကွဲပြားသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ် epitaxial အလွှာကို နီလာအလွှာပေါ်တွင် စိုက်ပျိုးသည်။
မတူညီသော ကြီးထွားမှုနည်းလမ်းများအရ၊ epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းပညာကိုလည်း အမျိုးအစားများစွာ ခွဲခြားနိုင်သည်-
1. Molecular beam epitaxy (MBE)- ၎င်းသည် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာများတွင် သေးငယ်သော ဖလင်ပြားများကို ကြီးထွားစေရန်အတွက် နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် အလွန်မြင့်မားသော လေဟာနယ်တွင် အလင်းတန်းများ မော်လီကျူလာစီးဆင်းမှုနှုန်းနှင့် အလင်းတန်းသိပ်သည်းဆကို တိကျစွာ ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် ရရှိသော နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။
2. သတ္တု-အော်ဂဲနစ် ဓာတုအငွေ့များ စုပုံခြင်း (MOCVD)- ဤနည်းပညာသည် လိုအပ်သော ပါးလွှာသော ဖလင်ပစ္စည်းများကို ထုတ်ပေးရန်အတွက် မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများ လုပ်ဆောင်ရန်အတွက် သတ္တု-အော်ဂဲနစ်ဒြပ်ပေါင်းများနှင့် ဓာတ်ငွေ့အဆင့် ဓာတ်ပြုမှုများကို အသုံးပြုသည်။ ၎င်းတွင် ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် စက်ပစ္စည်းများပြင်ဆင်မှုတွင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုများရှိသည်။
3. Liquid phase epitaxy (LPE)- အရည်ပစ္စည်းတစ်မျိုးတည်းကို ပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခုသို့ ပေါင်းထည့်ကာ အချို့သောအပူချိန်တွင် အပူကုသမှုကို လုပ်ဆောင်ခြင်းဖြင့် အရည်သည် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲဖလင်တစ်ခုအဖြစ် ပုံဆောင်ခဲဖြစ်သွားသည်။ ဤနည်းပညာဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော ရုပ်ရှင်များသည် ရာဇ၀တ်သားများနှင့် ကိုက်ညီပြီး ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် စက်ပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ရာတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။
4. Vapor phase epitaxy (VPE) - လိုအပ်သော ပါးလွှာသော ဖလင်ပစ္စည်းများကို ထုတ်ပေးရန်အတွက် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများ လုပ်ဆောင်ရန် ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်သော ဓာတ်ပြုပစ္စည်းများကို အသုံးပြုသည်။ ဤနည်းပညာသည် ကြီးမားသော၊ အရည်အသွေးမြင့် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲရုပ်ရှင်များကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက် သင့်လျော်ပြီး ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် စက်ပစ္စည်းများပြင်ဆင်မှုတွင် အထူးကောင်းမွန်ပါသည်။
5. Chemical beam epitaxy (CBE)- ဤနည်းပညာသည် ဓာတုရောင်ခြည်ဖြာထွက်နှုန်းနှင့် အလင်းသိပ်သည်းဆကို တိကျစွာထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် ရရှိနိုင်သော တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲအလွှာများတွင် တစ်ခုတည်းသော crystal films များကို ကြီးထွားစေရန် ဓာတုရောင်ခြည်များကို အသုံးပြုပါသည်။ အရည်အသွေးမြင့် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲပါးပါး ရုပ်ရှင်များ ပြင်ဆင်မှုတွင် ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှုများ ပါဝင်သည်။
6. Atomic layer epitaxy (ALE): atomic layer deposition နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ လိုအပ်သော ပါးလွှာသော ဖလင်ပစ္စည်းများကို crystal substrate တစ်ခုတည်းတွင် အလွှာတစ်ခုပြီးတစ်ခု အပ်နှံပါသည်။ ဤနည်းပညာသည် ကြီးမားသော၊ အရည်အသွေးမြင့် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲရုပ်ရှင်များကို ပြင်ဆင်နိုင်ပြီး ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် စက်ပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ရာတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။
7. Hot wall epitaxy (HWE) - အပူချိန်မြင့်သော အပူပေးခြင်းဖြင့်၊ ဓါတ်ငွေ့ဓာတ်ပြုပစ္စည်းများသည် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် စုဆောင်းထားခြင်းဖြစ်သည်။ ဤနည်းပညာသည် ကြီးမားသော၊ အရည်အသွေးမြင့် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲရုပ်ရှင်များကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက်လည်း သင့်လျော်ပြီး ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် စက်ပစ္စည်းများပြင်ဆင်မှုတွင် အထူးသဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။
စာတိုက်အချိန်- မေလ-၀၆-၂၀၂၄