ဟိMOCVDနည်းလမ်းသည် အရည်အသွေးမြင့် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲလွှာ ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များ ပေါက်ပွားရန် စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် လက်ရှိအသုံးပြုနေသော အတည်ငြိမ်ဆုံး လုပ်ငန်းစဉ်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည့် အဆင့်တစ်ဆင့် InGaN epilayers၊ III-N ပစ္စည်းများ၊ နှင့် multi quantum well structures ရှိသော semiconductor films များဖြစ်ပြီး ၎င်းတွင် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနှင့် optoelectronic ကိရိယာများထုတ်လုပ်ခြင်း။
ဟိSiC coating MOCVD susceptorဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော အထူးပြု wafer ကိုင်ဆောင်သူဖြစ်သည်။epitaxial သတ္တုအော်ဂဲနစ် ဓာတုအငွေ့ထုတ်ခြင်း (MOCVD) လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ကြီးထွားလာသည်။
SiC coating သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော ဓာတုခံနိုင်ရည်နှင့် အပူတည်ငြိမ်မှုရှိပြီး ၎င်းသည် epitaxial ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်များတောင်းဆိုရာတွင်အသုံးပြုသည့် MOCVD susceptors များအတွက် စံပြရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။
MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိက အစိတ်အပိုင်းမှာ ထုတ်လုပ်ထားသော ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များ၏ တူညီမှုနှင့် အရည်အသွေးကို သေချာစေရန် အဓိက ဒြပ်စင်ဖြစ်သည့် susceptor ဖြစ်သည်။
suceptor ဆိုတာဘာလဲ။ susceptor သည် MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အသုံးပြုသည့် အထူးပြုအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး ပါးလွှာသောဖလင်များကို စုဆောင်းထားသည့်အလွှာကို ပံ့ပိုးပေးပြီး အပူပေးသည်။ ၎င်းတွင် လျှပ်စစ်သံလိုက်စွမ်းအင်ကို စုပ်ယူခြင်း၊ အပူအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် အလွှာပေါ်ရှိ အပူများကို အညီအမျှ ဖြန့်ဝေပေးခြင်းအပါအဝင် လုပ်ဆောင်ချက်များစွာပါရှိသည်။ ဤယူနီဖောင်းအပူပေးခြင်းသည် တိကျသောအထူနှင့်ဖွဲ့စည်းမှုရှိသော ယူနီဖောင်းပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များကြီးထွားမှုအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။
susceptors အမျိုးအစားများ
1. Graphite susceptors များ- Graphite susceptors များကို အကာအကွယ်အလွှာဖြစ်သည့် မကြာခဏ ဖုံးအုပ်ထားသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC)၎င်း၏မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့်တည်ငြိမ်မှုအတွက်လူသိများသည်။ ဟိSiC အပေါ်ယံပိုင်းမြင့်မားသောအပူချိန်တွင် သံချေးတက်ခြင်းနှင့် ပျက်စီးခြင်းတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော မာကျောသော၊ အကာအကွယ်ပေးသည့် မျက်နှာပြင်ကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။
2. Silicon carbide (SiC) susceptors- ဤ susceptors များသည် SiC ဖြင့် လုံး၀ပြုလုပ်ထားပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ SiC susceptors များသည် အပူချိန်မြင့်သော လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် သံချေးတက်သော ပတ်ဝန်းကျင်များအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။
MOCVD တွင် susceptors အလုပ်လုပ်ပုံ-
MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ ၎င်းတို့သည် ပြိုကွဲသွားကာ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ပါးလွှာသော ဖလင်တစ်ချပ်ဖြစ်စေသည့် တုံ့ပြန်မှုခန်းထဲသို့ ရှေ့ပြေးနမိတ်များကို မိတ်ဆက်ပေးသည်။ Substrate သည် အညီအမျှ အပူရှိစေရန် သေချာစေခြင်းဖြင့် susceptor သည် အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေပြီး၊ ၎င်းသည် မျက်နှာပြင်တစ်ခုလုံးတွင် တစ်သမတ်တည်း ရုပ်ရှင်ဂုဏ်သတ္တိများ ရရှိစေရန် အရေးကြီးပါသည်။ အပူချိန်အကွာအဝေးနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ လိုက်ဖက်ညီမှုကဲ့သို့သော အစစ်ခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရန် စုပ်ခံကိရိယာ၏ ပစ္စည်းနှင့် ဒီဇိုင်းကို ဂရုတစိုက်ရွေးချယ်ထားသည်။
အရည်အသွေးမြင့် susceptors အသုံးပြုခြင်း၏ အကျိုးကျေးဇူးများ
• ပိုမိုကောင်းမွန်သောရုပ်ရှင်အရည်အသွေး- တူညီသောအပူဖြန့်ဖြူးပေးခြင်းဖြင့်၊ ဆက်ခံကိရိယာသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာများ၏စွမ်းဆောင်ရည်အတွက်အရေးပါသည့်တစ်သမတ်တည်းအထူနှင့်ဖွဲ့စည်းမှုရှိသောရုပ်ရှင်များကိုရရှိစေရန်ကူညီပေးသည်။
• ပိုမိုကောင်းမွန်သော လုပ်ငန်းစဉ်ထိရောက်မှု- အရည်အသွေးမြင့် susceptors များသည် ချို့ယွင်းချက်များ ဖြစ်နိုင်ခြေကို လျှော့ချပြီး အသုံးပြုနိုင်သော ရုပ်ရှင်များ၏ အထွက်နှုန်းကို တိုးမြင့်စေခြင်းဖြင့် MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်၏ အလုံးစုံစွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးစေသည်။
• သက်တမ်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု- SiC ကဲ့သို့သော တာရှည်ခံပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် Susceptors များသည် ရေရှည်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချပေးသည်။
susceptor သည် MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အရေးပါသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး ပါးလွှာသော ဖလင်အစစ်ခံခြင်း၏ အရည်အသွေးနှင့် ထိရောက်မှုကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်သည်။ ရရှိနိုင်သောအရွယ်အစားများ၊ MOCVD susceptors နှင့်စျေးနှုန်းများအတွက် နောက်ထပ်အချက်အလက်များအတွက်၊ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ရန် မတွန့်ဆုတ်ပါနှင့်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ အင်ဂျင်နီယာများသည် သင့်အား သင့်လျော်သောပစ္စည်းများအတွက် အကြံဉာဏ်ပေးကာ သင့်မေးခွန်းအားလုံးကို ဖြေကြားပေးပါမည်။
ဖုန်း: +86-13373889683
WhatsAPP: +86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
တင်ချိန်- သြဂုတ်-၁၂-၂၀၂၄