Rolling သည် စိန်ကြိတ်ဘီးကို အသုံးပြု၍ လိုအပ်သော အချင်း၏ အချင်း၏ စီလီကွန်တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲတံ၏ အပြင်ဘက်အချင်းကို ကြိတ်ခွဲခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်ကို ရည်ညွှန်းပြီး ပြားချပ်ချပ်ချပ်အစွန်း ရည်ညွှန်းသော မျက်နှာပြင် သို့မဟုတ် ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုတည်း၏ နေရာချထားသော groove ကို ကြိတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို ရည်ညွှန်းပါသည်။
ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုတည်းမီးဖိုမှပြင်ဆင်ထားသောတစ်ခုတည်းသောသလင်းကျောက်၏အပြင်ဘက်အချင်းသည် ချောမွေ့ခြင်းမရှိသည့်အပြင် ၎င်း၏အချင်းသည် နောက်ဆုံးအပလီကေးရှင်းတွင်အသုံးပြုသည့်ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏အချင်းထက် ပိုကြီးသည်။ ပြင်ပအချင်းကို လှိမ့်ပေးခြင်းဖြင့် လိုအပ်သော လှံတံအချင်းကို ရနိုင်သည်။
လှိမ့်စက်တွင် လိုအပ်သော အချင်းရှိသော ဆီလီကွန်တစ်ခုတည်း ကျောက်ဆောင်တံ၏ ပြန့်ပြူးသော အစွန်းရည်ညွှန်းမျက်နှာပြင် သို့မဟုတ် နေရာချထားခြင်း groove ကို ကြိတ်ချေခြင်း လုပ်ဆောင်ချက်ပါရှိပါသည်။ တူညီသော ကြိတ်စက်ကိရိယာတွင်၊ ပြားချပ်ချပ်အစွန်းရည်ညွှန်းသည့်မျက်နှာပြင် သို့မဟုတ် သလင်းကျောက်တစ်ခုတည်း၏ တည်နေရာပြကွက်သည် မြေပြင်ဖြစ်သည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်၊ အချင်း 200 မီလီမီတာအောက်ရှိသော တစ်ခုတည်းသော crystal rods များသည် flat edge ရည်ညွှန်းသောမျက်နှာပြင်များကိုအသုံးပြုကြပြီး အချင်း 200mm နှင့်အထက်ရှိသော crystal rods များသည် positioning grooves ကိုအသုံးပြုသည်။ အချင်း 200 မီလီမီတာရှိသော တစ်ခုတည်းသော သလင်းကျောက်ချောင်းများကို လိုအပ်သလို လိုအပ်သလို ပြားချပ်ချပ်အစွန်း ရည်ညွှန်းသည့် မျက်နှာပြင်များဖြင့်လည်း ပြုလုပ်နိုင်ပါသည်။ တစ်ခုတည်းသော crystal rod orientation ရည်ညွှန်းမျက်နှာပြင်၏ ရည်ရွယ်ချက်မှာ ပေါင်းစပ် circuit ထုတ်လုပ်မှုတွင် လုပ်ငန်းစဉ်ဆိုင်ရာ စက်ကိရိယာများ၏ အလိုအလျောက်နေရာချထားခြင်းဆိုင်ရာ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးရန်ဖြစ်သည်။ ထုတ်လုပ်မှုစီမံခန့်ခွဲမှုကို လွယ်ကူချောမွေ့စေရန် ဆီလီကွန် wafer ၏ crystal orientation နှင့် conductivity အမျိုးအစားကို ညွှန်ပြရန်၊ ပင်မနေရာချခြင်းအစွန်း သို့မဟုတ် နေရာချထားခြင်း groove သည် <110> ဦးတည်ချက်နှင့် ထောင့်မှန်ပါသည်။ ချစ်ပ်ထုပ်ပိုးမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ အတုံးလိုက်လုပ်ခြင်းသည် wafer ၏သဘာဝကွဲအက်မှုကိုဖြစ်စေနိုင်ပြီး နေရာချထားခြင်းသည် အပိုင်းအစများဖြစ်ပေါ်ခြင်းကို ဟန့်တားနိုင်သည်။
အဝိုင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိကရည်ရွယ်ချက်များတွင် ပါဝင်သည်- မျက်နှာပြင်အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ခြင်း- အဝိုင်းပတ်ခြင်းသည် ဆီလီကွန် wafer များ၏ မျက်နှာပြင်ရှိ burrs နှင့် မညီညာမှုများကို ဖယ်ရှားနိုင်ပြီး နောက်ဆက်တွဲ photolithography နှင့် etching လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အလွန်အရေးကြီးသည့် ဆီလီကွန် wafers များ၏ မျက်နှာပြင်ချောမွေ့မှုကို တိုးတက်စေပါသည်။ စိတ်ဖိစီးမှုကို လျှော့ချခြင်း- ဆီလီကွန် wafer များကို ဖြတ်တောက်ခြင်းနှင့် စီမံဆောင်ရွက်နေစဉ်အတွင်း စိတ်ဖိစီးမှုကို ထုတ်ပေးနိုင်သည်။ Rounding သည် ဤဖိစီးမှုများကို လွတ်မြောက်စေပြီး နောက်ဆက်တွဲ လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ဆီလီကွန် wafer များ ကွဲထွက်ခြင်းကို တားဆီးနိုင်သည်။ ဆီလီကွန် wafers များ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှုကို တိုးတက်စေခြင်း- အဝိုင်းခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ ဆီလီကွန် wafers များ၏ အစွန်းများသည် ချောမွေ့လာမည်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် ဆီလီကွန် wafers များ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနှင့် အသုံးပြုချိန်အတွင်း ပျက်စီးမှုကို လျှော့ချပေးပါသည်။ အတိုင်းအတာတိကျမှုကိုသေချာစေခြင်း- အဝိုင်းလိုက်ခြင်းဖြင့်၊ ဆီလီကွန် wafers များ၏ အတိုင်းအတာတိကျမှုကို သေချာစေနိုင်ပြီး၊ ၎င်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။ ဆီလီကွန် wafers များ၏ လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိကို မြှင့်တင်ခြင်း- ဆီလီကွန် wafers များ၏ အစွန်းများ ပြုပြင်ခြင်းသည် ၎င်းတို့၏ လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများအပေါ်တွင် အရေးပါသော သက်ရောက်မှုရှိပါသည်။ Rounding သည် ယိုစိမ့်လျှပ်စီးကြောင်းကို လျှော့ချခြင်းကဲ့သို့သော ဆီလီကွန် wafers များ၏ လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။ Aesthetics- ဆီလီကွန် wafers များ၏ အစွန်းများသည် အဝိုင်းလိုက်ပြီးနောက် ပိုမိုချောမွေ့ပြီး လှပနေသည်၊ ၎င်းသည် အချို့သော application scenarios များအတွက်လည်း လိုအပ်ပါသည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇူလိုင်-၃၀-၂၀၂၄