-
Semiconductor Device များသည် အဘယ်ကြောင့် "Epitaxial Layer" လိုအပ်ပါသနည်း။
"Epitaxial Wafer" အမည်၏မူလအစ Wafer ပြင်ဆင်မှုတွင် အဓိကအဆင့်နှစ်ဆင့်ပါဝင်သည်- အလွှာပြင်ဆင်မှုနှင့် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်။ အလွှာအား semiconductor တစ်ခုတည်းသော crystal material ဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီး ပုံမှန်အားဖြင့် semiconductor ကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန် လုပ်ဆောင်သည်။ ၎င်းသည် epitaxial pro ကိုလည်းခံနိုင်သည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Silicon Nitride Ceramics ဆိုတာ ဘာလဲ။
အဆင့်မြင့်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံ ကြွေထည်များအဖြစ် စီလီကွန်နိုက်ထရိတ် (Si₃N₄) ကြွေထည်များသည် အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ ခိုင်ခံ့မှုမြင့်မားခြင်း၊ မာကျောခြင်း၊ မြင့်မားသော မာကျောခြင်း၊ ပုတ်ခြင်းခံနိုင်ရည်၊ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှုနှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းစသည့် အထူးကောင်းမွန်သော ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။ ထို့အပြင် ၎င်းတို့သည် ကောင်းမွန်သော လက်ဆောင်များကို ပေးဆောင်သည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
SK Siltron သည် ဆီလီကွန်ကာဘိုင် wafer ထုတ်လုပ်မှုကို တိုးချဲ့ရန်အတွက် DOE ထံမှ ချေးငွေဒေါ်လာ ၅၄၄ သန်း ရရှိခဲ့သည်။
US စွမ်းအင်ဌာန (DOE) သည် SK Group လက်အောက်ရှိ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ၏ အရည်အသွေးမြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ချဲ့ထွင်မှုကို ပံ့ပိုးရန်အတွက် အမေရိကန်ဒေါ်လာ 481.5 သန်း (အဓိကငွေ 481.5 သန်းနှင့် အတိုးနှုန်း $62.5 သန်း အပါအဝင်) ချေးငွေ $544 သန်းကို မကြာသေးမီက အတည်ပြုခဲ့သည်။ ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ALD စနစ် (Atomic Layer Deposition) ဆိုတာ ဘာလဲ၊
Semicera ALD Susceptors- တိကျမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုဖြင့် Atomic Layer Deposition (ALD) သည် အီလက်ထရွန်းနစ်၊ စွမ်းအင်၊ ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များအပါအဝင် နည်းပညာမြင့်စက်မှုလုပ်ငန်းအမျိုးမျိုးတွင် အက်တမ်စကေး တိကျမှုကို ပေးစွမ်းသည့် နောက်ဆုံးပေါ်နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Front End of Line (FEOL)- အခြေခံအုတ်မြစ်ချခြင်း။
ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများ၏ ရှေ့၊ အလယ်နှင့် နောက်စွန်းများ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်ကို အကြမ်းဖျင်းအားဖြင့် အဆင့်သုံးဆင့် ခွဲခြားနိုင်သည်- ၁) ရှေ့ဆုံးလိုင်း ၂) မျဥ်းအလယ်အဆုံး ၃) မျဉ်း၏ နောက်ကျောအဆုံး ကျွန်ုပ်တို့သည် အိမ်ဆောက်ခြင်းကဲ့သို့ ရိုးရှင်းသော ဥပမာကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ ရှုပ်ထွေးတဲ့ ပရိုဂရမ်ကို စူးစမ်းဖို့...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
photoresist coating လုပ်ငန်းစဉ်အကြောင်း အကျဉ်းချုပ် ဆွေးနွေးခြင်း။
photoresist ၏ အပေါ်ယံအလွှာကို ယေဘူယျအားဖြင့် spin coating၊ dip coating နှင့် roll coating ဟူ၍ ခွဲခြားထားပြီး ၎င်းတို့တွင် spin coating ကို အသုံးအများဆုံးဖြစ်သည်။ Spin coating ဖြင့်၊ photoresist သည် substrate ပေါ်တွင် စိမ့်နေပြီး၊ substrate ကိုရရှိရန် အရှိန်ပြင်းပြင်းဖြင့် လှည့်နိုင်သည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Photoresist- ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများအတွက် ဝင်ရောက်ရန် မြင့်မားသော အတားအဆီးများပါရှိသော အဓိကပစ္စည်း
Photoresist ကို optoelectronic သတင်းအချက်အလက်စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ကောင်းမွန်သော ဂရပ်ဖစ်ဆားကစ်များ လုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုပါသည်။ photolithography လုပ်ငန်းစဉ်၏ကုန်ကျစရိတ်သည် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံး၏ 35% ခန့်ရှိပြီး အချိန်သုံးစွဲမှုမှာ 40% မှ 60 အထိရှိသည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Wafer မျက်နှာပြင်ညစ်ညမ်းမှုနှင့်၎င်း၏ထောက်လှမ်းနည်းလမ်း
wafer မျက်နှာပြင်၏ သန့်ရှင်းမှုသည် နောက်ဆက်တွဲ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် ထုတ်ကုန်များ၏ အရည်အချင်းနှုန်းကို များစွာ ထိခိုက်စေမည်ဖြစ်သည်။ wafer မျက်နှာပြင်ညစ်ညမ်းမှုကြောင့် အထွက်နှုန်းဆုံးရှုံးမှုအားလုံး၏ 50% အထိဖြစ်သည်။ လျှပ်စစ်ပရိုဖရှင်းအတွင်း မထိန်းချုပ်နိုင်သော အပြောင်းအလဲများကို ဖြစ်စေနိုင်သော အရာများ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Semiconductor Die Bonding လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် စက်ကိရိယာဆိုင်ရာ သုတေသနပြုချက်
ကော်ပတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ eutectic bonding လုပ်ငန်းစဉ်၊ ပျော့ပျောင်းသောဂဟေဆက်နှောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ ငွေ sintering bonding လုပ်ငန်းစဉ်၊ ပူပြင်းသောဖိနှောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ flip chip bonding လုပ်ငန်းစဉ်အပါအဝင် semiconductor die bonding လုပ်ငန်းစဉ်ကို လေ့လာပါ။ အမျိုးအစားများနှင့် အရေးကြီးသော နည်းပညာဆိုင်ရာ အညွှန်းများ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဆောင်းပါးတစ်ပုဒ်တွင် ဆီလီကွန်မှတစ်ဆင့် (TSV) နှင့် (TGV) နည်းပညာမှတစ်ဆင့် ဖန်ခွက်များအကြောင်း လေ့လာပါ။
ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အရေးကြီးဆုံးလုပ်ငန်းစဉ်များထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ အထုပ်၏ပုံသဏ္ဍာန်အရ၎င်းကို socket package၊ surface mount package၊ BGA package၊ chip size package (CSP)၊ single chip module package (SCM၊ ဝိုင်ယာကြိုးကြားရှိကွာဟမှု) ဟူ၍ခွဲခြားနိုင်သည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Chip ထုတ်လုပ်ခြင်း- Etching စက်ကိရိယာနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ etching နည်းပညာသည် ရှုပ်ထွေးသော circuit ပုံစံများဖန်တီးရန် အလွှာပေါ်ရှိ မလိုလားအပ်သောပစ္စည်းများကို တိကျစွာဖယ်ရှားရန်အတွက် အရေးကြီးသောလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤဆောင်းပါးသည် ပင်မရေစီးကြောင်း ထွင်းထုခြင်းနည်းပညာနှစ်ခုကို အသေးစိတ်ဖော်ပြသည် - capacitively coupled plasma...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဆီလီကွန် wafer ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ် အသေးစိတ်
ပထမဦးစွာ၊ polycrystalline silicon နှင့် dopants များကို တစ်ခုတည်းသော crystal furnace အတွင်းရှိ quartz crucible ထဲသို့ထည့်ကာ အပူချိန်ကို 1000 ဒီဂရီထက်ပို၍ မြှင့်ပေးပြီး polycrystalline silicon ကို သွန်းသောအခြေအနေတွင် ရယူပါ။ Silicon ingot ကြီးထွားမှုသည် polycrystalline silicon ကို crystal s တစ်ခုတည်းအဖြစ်သို့ဖြစ်စေသောလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ