စက်မှုသတင်း

  • ဆောင်းပါးတစ်ပုဒ်တွင် ဆီလီကွန်မှတစ်ဆင့် (TSV) နှင့် (TGV) နည်းပညာမှတစ်ဆင့် ဖန်ခွက်များအကြောင်း လေ့လာပါ။

    ဆောင်းပါးတစ်ပုဒ်တွင် ဆီလီကွန်မှတစ်ဆင့် (TSV) နှင့် (TGV) နည်းပညာမှတစ်ဆင့် ဖန်ခွက်များအကြောင်း လေ့လာပါ။

    ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အရေးကြီးဆုံးလုပ်ငန်းစဉ်များထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ အထုပ်၏ပုံသဏ္ဍာန်အရ၎င်းကို socket package၊ surface mount package၊ BGA package၊ chip size package (CSP)၊ single chip module package (SCM၊ ဝိုင်ယာကြိုးကြားရှိကွာဟမှု) ဟူ၍ခွဲခြားနိုင်သည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • Chip ထုတ်လုပ်ခြင်း- Etching စက်ကိရိယာနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်

    Chip ထုတ်လုပ်ခြင်း- Etching စက်ကိရိယာနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်

    တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ etching နည်းပညာသည် ရှုပ်ထွေးသော circuit ပုံစံများဖန်တီးရန် အလွှာပေါ်ရှိ မလိုလားအပ်သောပစ္စည်းများကို တိကျစွာဖယ်ရှားရန်အတွက် အရေးကြီးသောလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤဆောင်းပါးတွင် ပင်မ ထွင်းထုခြင်းနည်းပညာနှစ်ခုကို အသေးစိတ်ဖော်ပြပါမည် - capacitively coupled plasma...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဆီလီကွန် wafer ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ် အသေးစိတ်

    ဆီလီကွန် wafer ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ် အသေးစိတ်

    ပထမဦးစွာ၊ polycrystalline silicon နှင့် dopants များကို တစ်ခုတည်းသော crystal furnace အတွင်းရှိ quartz crucible ထဲသို့ထည့်ကာ အပူချိန်ကို 1000 ဒီဂရီထက်ပို၍ မြှင့်ပေးပြီး polycrystalline silicon ကို သွန်းသောအခြေအနေတွင် ရယူပါ။ Silicon ingot ကြီးထွားမှုသည် polycrystalline silicon ကို crystal s တစ်ခုတည်းအဖြစ်သို့ဖြစ်စေသောလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • quartz လှေထောက်ခံမှုထက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် လှေထောက်ခံမှု၏ အားသာချက်များ

    ဆီလီကွန်ကာဗိုက် လှေထောက် နှင့် quartz သင်္ဘော ပံ့ပိုးမှု ၏ အဓိက လုပ်ဆောင်ချက် သည် အတူတူပင် ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် သင်္ဘောပံ့ပိုးမှုမှာ အလွန်ကောင်းမွန်သော်လည်း စျေးနှုန်းမြင့်မားသည်။ ၎င်းသည် ခက်ခဲကြမ်းတမ်းသော လုပ်ငန်းခွင်အခြေအနေများဖြင့် ဘက်ထရီ စီမံဆောင်ရွက်ပေးသည့် စက်များတွင် quartz လှေပံ့ပိုးမှုဖြင့် အစားထိုးဆက်ဆံရေးတစ်ခုအဖြစ် ဖွဲ့စည်းထားပါသည် (ထိုကဲ့သို့သော ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • Semiconductor Field တွင် Silicon Carbide Ceramics ကိုအသုံးပြုခြင်း။

    Semiconductor Field တွင် Silicon Carbide Ceramics ကိုအသုံးပြုခြင်း။

    တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း- တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းသည် "နည်းပညာမျိုးဆက်တစ်ခု၊ လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုနှင့် စက်ကိရိယာမျိုးဆက်တစ်ခု" ၏ စက်မှုဥပဒေနှင့်အညီဖြစ်ပြီး၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို အဆင့်မြှင့်တင်ခြင်းနှင့် ထပ်ခါထပ်ခါလုပ်ဆောင်ခြင်းသည် တိကျမှု၏နည်းပညာဆိုင်ရာ အောင်မြင်မှုပေါ်တွင် အဓိကမူတည်ပါသည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • semiconductor-grade glassy carbon coating မိတ်ဆက်

    semiconductor-grade glassy carbon coating မိတ်ဆက်

    I. glassy ကာဗွန်တည်ဆောက်ပုံသွင်ပြင်လက္ခဏာများ- (1) glassy carbon ၏မျက်နှာပြင်သည် ချောမွေ့ပြီး glassy structure ရှိသည်။ (၂) Glassy carbon သည် မြင့်မားသော မာကျောပြီး ဖုန်မှုန့်ထုတ်လုပ်မှုနည်းသည်။ (၃) Glassy carbon သည် ကြီးမားသော ID/IG တန်ဖိုးနှင့် graphitization ဒီဂရီ အလွန်နည်းပါးပြီး ၎င်း၏ အပူပိုင်း လျှို...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • Silicon Carbide စက်ထုတ်လုပ်ခြင်းဆိုင်ရာ အကြောင်းအရာများ (အပိုင်း 2)

    Silicon Carbide စက်ထုတ်လုပ်ခြင်းဆိုင်ရာ အကြောင်းအရာများ (အပိုင်း 2)

    Ion implantation သည် ၎င်းတို့၏ လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို ပြောင်းလဲရန် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများထဲသို့ အချို့သော ပမာဏနှင့် အညစ်အကြေးများကို ပေါင်းထည့်သည့် နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ အညစ်အကြေးပမာဏနှင့် ဖြန့်ဖြူးမှုကို တိကျစွာ ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။ အပိုင်း ၁ ပါဝါ semiconduc ထုတ်လုပ်ရာတွင် ဘာကြောင့် အိုင်းယွန်း စိုက်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြုရသနည်း။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • SiC Silicon Carbide Device ထုတ်လုပ်ရေး လုပ်ငန်းစဉ် (၁)၊

    SiC Silicon Carbide Device ထုတ်လုပ်ရေး လုပ်ငန်းစဉ် (၁)၊

    ကျွန်ုပ်တို့သိကြသည့်အတိုင်း တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနယ်ပယ်တွင်၊ တစ်ခုတည်းသော crystal silicon (Si) သည် ကမ္ဘာပေါ်တွင် အသုံးအများဆုံးနှင့် ထုထည်အကြီးဆုံး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအခြေခံပစ္စည်းဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်ကုန်များ၏ 90% ကျော်သည် ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်လျက်ရှိသည်။ ဓာတ်အား လိုအပ်ချက် မြင့်မားလာမှုနှင့်အတူ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • Silicon carbide ကြွေထည်နည်းပညာနှင့် photovoltaic နယ်ပယ်တွင်၎င်း၏လျှောက်လွှာ

    Silicon carbide ကြွေထည်နည်းပညာနှင့် photovoltaic နယ်ပယ်တွင်၎င်း၏လျှောက်လွှာ

    I. Silicon carbide တည်ဆောက်ပုံနှင့် ဂုဏ်သတ္တိများ Silicon carbide SiC တွင် ဆီလီကွန် နှင့် ကာဗွန်များ ပါဝင်သည်။ ၎င်းသည် အဓိကအားဖြင့် α-SiC (မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်သောအမျိုးအစား) နှင့် β-SiC (နိမ့်သောအပူချိန်တည်ငြိမ်သောအမျိုးအစား) အပါအဝင် ပုံမှန်ပိုလီမိုရစ်ဒြပ်ပေါင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ β-SiC နှင့် 2H- ၏ 3C-SiC တို့တွင် polymorphs 200 ကျော်ရှိသည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • အဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများတွင် တောင့်တင်းသောခံစားမှု၏ဘက်စုံအသုံးပြုနိုင်သောအသုံးချမှုများ

    အဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများတွင် တောင့်တင်းသောခံစားမှု၏ဘက်စုံအသုံးပြုနိုင်သောအသုံးချမှုများ

    အထူးသဖြင့် C/C composites နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အစိတ်အပိုင်းများ ထုတ်လုပ်မှုတွင် အမျိုးမျိုးသော စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးများတွင် အရေးပါသော ပစ္စည်းတစ်ခုအဖြစ် တောင့်တင်းသောခံစားမှုသည် ပေါ်ထွက်လာပါသည်။ ထုတ်လုပ်သူအများအပြားအတွက် ရွေးချယ်စရာထုတ်ကုန်တစ်ခုအနေဖြင့်၊ Semicera သည် လိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီသော အရည်အသွေးမြင့် တောင့်တင်းသောခံစားမှုကို ပေးစွမ်းသည့်အတွက် ဂုဏ်ယူပါသည်။...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • C/C ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ၏ အသုံးချမှုများနှင့် အကျိုးကျေးဇူးများကို ရှာဖွေခြင်း။

    C/C ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ၏ အသုံးချမှုများနှင့် အကျိုးကျေးဇူးများကို ရှာဖွေခြင်း။

    Carbon Carbon Composites ဟုလည်းသိကြသော C/C ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများသည် ၎င်းတို့၏ထူးခြားသော ပေါ့ပါးကြံ့ခိုင်မှုနှင့် အပူချိန်လွန်ကဲမှုတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် အမျိုးမျိုးသော နည်းပညာမြင့်စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အာရုံစိုက်လာကြသည်။ ဤအဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများကို ကာဗွန်မက်ထရစ်ကို အားဖြည့်ခြင်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားခြင်းဖြစ်သည်...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • Wafer လှော်တက်ဆိုတာဘာလဲ

    Wafer လှော်တက်ဆိုတာဘာလဲ

    တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းနယ်ပယ်တွင်၊ wafer လှော်တက်သည် လုပ်ငန်းစဉ်အမျိုးမျိုးအတွင်း wafers များကို ထိရောက်တိကျသောကိုင်တွယ်မှုသေချာစေရန်အတွက် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်ပါသည်။ ၎င်းကို polycrystalline silicon wafers သို့မဟုတ် monocrystalline silicon wafers များ၏ (ပျံ့နှံ့မှု) coating process တွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
123456နောက်တစ်ခု >>> စာမျက်နှာ ၁/၁၂