ဆီလီကွန်အခြေခံ GaN epitaxy

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

Semicera Energy Technology Co., Ltd. သည် အဆင့်မြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ကြွေထည်များကို ဦးဆောင်ရောင်းချသူဖြစ်ပြီး တရုတ်နိုင်ငံတွင် တစ်ခုတည်းသော ထုတ်လုပ်သူဖြစ်ပြီး သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည် (အထူးသဖြင့် Recrystallized SiC) နှင့် CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို တစ်ပြိုင်နက် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ထို့အပြင်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီသည် အလူမီနာ၊ အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ်၊ ဇာကွန်နီးယား၊ နှင့် ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် အစရှိသည့် ကြွေထည်နယ်ပယ်များတွင်လည်း ကတိပြုပါသည်။

 

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

ဆီလီကွန်အခြေခံ GaN epitaxy

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီသည် ဂရပ်ဖိုက်၊ ကြွေထည်များနှင့် အခြားပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် SiC coating process ဝန်ဆောင်မှုများကို ဆောင်ရွက်ပေးလျက်ရှိပြီး ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်ပါရှိသော အထူးဓာတ်ငွေ့များကို မြင့်မားသော သန့်စင်သော SiC မော်လီကျူးများ၊ SIC အကာအကွယ်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းသည်။

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ-

1. မြင့်မားသောအပူချိန် oxidation resistance:

အပူချိန် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ မြင့်မားနေချိန်တွင် ဓာတ်တိုးမှု ခုခံမှုမှာ အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။

2. မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု : မြင့်မားသောအပူချိန် ကလိုရင်းဓာတ်အခြေအနေအောက်တွင် ဓာတုအငွေ့ထွက်မှုဖြင့် ပြုလုပ်သည်။

3. တိုက်စားခံနိုင်ရည်- မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ ကျစ်လစ်သော မျက်နှာပြင်၊ ကောင်းမွန်သော အမှုန်များ။

4. သံချေးတက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ။

CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications

SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ

အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ

FCC β အဆင့်

သိပ်သည်းမှု

g/cm ³

၃.၂၁

မာကျောခြင်း။

Vickers မာကျောမှု

၂၅၀၀

စပါးအရွယ်အစား

µm

၂~၁၀

ဓာတုသန့်စင်မှု

%

၉၉.၉၉၉၉၅

အပူစွမ်းရည်

J·kg-1 ·K-1

၆၄၀

Sublimation အပူချိန်

၂၇၀၀

Felexural Strength

MPa (RT 4 မှတ်)

၄၁၅

Young's Modulus

Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃)

၄၃၀

အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (CTE)

10-6K-1

၄.၅

အပူစီးကူးမှု

(W/mK)

၃၀၀

Semicera အလုပ်နေရာ
Semicera အလုပ်နေရာ ၂
စက်ကိရိယာ
CNN လုပ်ဆောင်ခြင်း၊ ဓာတုသန့်ရှင်းရေး၊ CVD အပေါ်ယံပိုင်း
ကျွန်ုပ်တို့၏ဝန်ဆောင်မှု

  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု: