Silicon Carbide Coating ဖြင့် Graphite Susceptor 8 လက်မ wafer Carrier

CVD-SiC အပေါ်ယံပိုင်းတူညီသောဖွဲ့စည်းပုံ၊ ကျစ်လစ်သောပစ္စည်း၊ မြင့်မားသောအပူချိန်ခုခံမှု၊ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှု၊ မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု၊ အက်ဆစ်နှင့်အယ်ကာလီခုခံမှုနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ၊ တည်ငြိမ်သောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများပါရှိသည်။
 
သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဂရပ်ဖိုက်သည် 400C တွင် oxidize စတင်သည်၊ ၎င်းသည် ဓာတ်တိုးမှုကြောင့် အမှုန့်များဆုံးရှုံးစေပြီး အရံပစ္စည်းများနှင့် လေဟာနယ်ခန်းများသို့ ပတ်ဝန်းကျင်ညစ်ညမ်းစေကာ သန့်စင်မြင့်ပတ်ဝန်းကျင်၏ အညစ်အကြေးများကို တိုးပွားစေသည်။
သို့သော်၊SiC အပေါ်ယံပိုင်းရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုကို 1600 ဒီဂရီတွင် ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပြီး၊ ၎င်းကို ခေတ်မီစက်မှုလုပ်ငန်း၊ အထူးသဖြင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ငန်းတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုသည်။