ဖော်ပြချက်
ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီသည် ဂရပ်ဖိုက်၊ ကြွေထည်များနှင့် အခြားပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် SiC coating process ဝန်ဆောင်မှုများကို ဆောင်ရွက်ပေးလျက်ရှိပြီး ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်ပါရှိသော အထူးဓာတ်ငွေ့များကို မြင့်မားသော သန့်စင်သော SiC မော်လီကျူးများ၊ SIC အကာအကွယ်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းသည်။
အဓိကအင်္ဂါရပ်များ
1 .High purity SiC coated graphite
2. သာလွန်သောအပူခံနိုင်ရည် & အပူတူညီမှု
3. ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်အတွက် Fine SiC crystal coated
4. ဓာတုဆေးကြောသန့်စင်မှုကို ခံနိုင်ရည်မြင့်မားသည်။
CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications
| SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ | ||
| အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ | FCC β အဆင့် | |
| သိပ်သည်းမှု | g/cm ³ | ၃.၂၁ |
| မာကျောခြင်း။ | Vickers မာကျောမှု | ၂၅၀၀ |
| စပါးအရွယ်အစား | µm | ၂~၁၀ |
| ဓာတုသန့်စင်မှု | % | ၉၉.၉၉၉၉၅ |
| အပူစွမ်းရည် | J·kg-1 ·K-1 | ၆၄၀ |
| Sublimation အပူချိန် | ℃ | ၂၇၀၀ |
| Felexural Strength | MPa (RT 4 မှတ်) | ၄၁၅ |
| Young's Modulus | Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃) | ၄၃၀ |
| အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (CTE) | 10-6K-1 | ၄.၅ |
| အပူစီးကူးမှု | (W/mK) | ၃၀၀ |
-
Silicon Carbide Coated Epitaxial Reactor Barrel
-
Silicon Carbide SiC Coated Epitaxial ဓာတ်ပေါင်းဖို ဗ...
-
မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော တန်တလမ်ကာဗိုက် ထုတ်ကုန်ကို စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ခြင်း။
-
SiC Epitaxy Wafer Carrier
-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဆီလီကွန်ကာဘိုင် wafer လှေသည် ...
-
Silicon Carbide-Coated Barrel Susceptor