ဖော်ပြချက်
ကျွန်တော်တို့ ကုမ္ပဏီက ဆောင်ရွက်ပေးတယ်။SiC အပေါ်ယံပိုင်းဂရပ်ဖိုက်၊ ကြွေထည်နှင့် အခြားပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ CVD နည်းလမ်းဖြင့် ဆောင်ရွက်ပေးသည်၊ သို့မှသာ ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်ပါဝင်သော အထူးဓာတ်ငွေ့များသည် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော SiC မော်လီကျူးများရရှိရန် မြင့်မားသော သန့်စင်မှုရှိသော SiC မော်လီကျူးများ၊coatedပစ္စည်းများ၊ SIC အကာအကွယ်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းသည်။
SiC ရေချိုးခေါင်းများ ၏ ထူးခြားချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။
1. Corrosion resistance- SiC ပစ္စည်းသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော သံချေးတက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အမျိုးမျိုးသော ဓာတုအရည်များနှင့် ဖြေရှင်းချက်များ၏ တိုက်စားမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အမျိုးမျိုးသော ဓာတုပြုပြင်ခြင်းနှင့် မျက်နှာပြင် ကုသမှု လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။
2. မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှု-SiC နော်ဇယ်များမြင့်မားသောအပူချိန်ပတ်ဝန်းကျင်တွင်ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုကိုထိန်းသိမ်းနိုင်ပြီးမြင့်မားသောအပူချိန်ကုသမှုလိုအပ်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက်သင့်လျော်သည်။
3. ယူနီဖောင်းဖြန်းခြင်း-SiC နော်ဇယ်ဒီဇိုင်းတွင် တူညီသောအရည်များ ဖြန့်ဖြူးမှုရရှိစေရန်နှင့် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ညီညီညာညာ ဖုံးအုပ်ထားကြောင်း သေချာစေသည့် ပက်ဖြန်းထိန်းချုပ်မှု စွမ်းဆောင်ရည် ကောင်းမွန်ပါသည်။
4. မြင့်မားသောဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်- SiC ပစ္စည်းသည် မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ရေရှည်အသုံးပြုမှုနှင့် ပွတ်တိုက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
SiC ရေချိုးခေါင်းများကို အရည်ကုသမှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ဓာတုပြုပြင်ခြင်း၊ မျက်နှာပြင်အပေါ်ယံလွှာ၊ လျှပ်စစ်ပလပ်စတစ်နှင့် အခြားစက်မှုနယ်ပယ်များတွင် အသုံးများသည်။ ပြုပြင်ခြင်းနှင့် ကုသမှု၏ အရည်အသွေးနှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိမှုကို သေချာစေရန် တည်ငြိမ်၊ တစ်ပြေးညီနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော ပက်ဖြန်းမှုအကျိုးသက်ရောက်မှုများကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။
အဓိကအင်္ဂါရပ်များ
1. မြင့်မားသောအပူချိန် oxidation resistance:
အပူချိန် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ မြင့်မားနေချိန်တွင် ဓာတ်တိုးမှု ခုခံမှုမှာ အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။
2. မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု- မြင့်မားသောအပူချိန် ကလိုရင်းဓာတ်အခြေအနေအောက်တွင် ဓာတုအငွေ့ထွက်မှုဖြင့် ပြုလုပ်သည်။
3. တိုက်စားခံနိုင်ရည်- မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ ကျစ်လစ်သော မျက်နှာပြင်၊ ကောင်းမွန်သော အမှုန်များ။
4. သံချေးတက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ။
CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications
SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ | ||
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ | FCC β အဆင့် | |
သိပ်သည်းမှု | g/cm ³ | ၃.၂၁ |
မာကျောခြင်း။ | Vickers မာကျောမှု | ၂၅၀၀ |
စပါးအရွယ်အစား | µm | ၂~၁၀ |
ဓာတုသန့်စင်မှု | % | ၉၉.၉၉၉၉၅ |
အပူစွမ်းရည် | J·kg-1 ·K-1 | ၆၄၀ |
Sublimation အပူချိန် | ℃ | ၂၇၀၀ |
Felexural Strength | MPa (RT 4 မှတ်) | ၄၁၅ |
Young's Modulus | Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃) | ၄၃၀ |
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (CTE) | 10-6K-1 | ၄.၅ |
အပူစီးကူးမှု | (W/mK) | ၃၀၀ |






-
မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အမှုန့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူး...
-
VEECO အတွက် Silicon Carbide Epitaxial Wafer Discs များ
-
ဖုန်စုပ်မီးဖို စိတ်ကြိုက် Graphite လျှပ်စစ်အပူပေးစက်
-
Silicon Carbide SiC Coated Epitaxial ဓာတ်ပေါင်းဖို ဗ...
-
Silicon Carbide Coatin ဖြင့် Graphite Suscepctor...
-
SiC Epitaxy Wafer Carrier