အဓိကအင်္ဂါရပ်များ-
1. မြင့်မားသောအပူချိန် oxidation resistance:
အပူချိန် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ မြင့်မားနေချိန်တွင် ဓာတ်တိုးမှု ခုခံမှုမှာ အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။
2. မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု : မြင့်မားသောအပူချိန် ကလိုရင်းဓာတ်အခြေအနေအောက်တွင် ဓာတုအငွေ့ထွက်မှုဖြင့် ပြုလုပ်သည်။
3. တိုက်စားခံနိုင်ရည်- မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ ကျစ်လစ်သော မျက်နှာပြင်၊ ကောင်းမွန်သော အမှုန်များ။
4. သံချေးတက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ။
အဓိက Specifications များCVD-SIC အပေါ်ယံပိုင်း
| SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ | ||
| အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ | FCC β အဆင့် | |
| သိပ်သည်းဆ | g/cm ³ | ၃.၂၁ |
| မာကျောခြင်း။ | Vickers မာကျောမှု | ၂၅၀၀ |
| စပါးအရွယ်အစား | µm | ၂~၁၀ |
| ဓာတုသန့်စင်မှု | % | ၉၉.၉၉၉၉၅ |
| အပူစွမ်းရည် | J·kg-1 ·K-1 | ၆၄၀ |
| Sublimation အပူချိန် | ℃ | ၂၇၀၀ |
| Felexural Strength | MPa (RT 4 မှတ်) | ၄၁၅ |
| Young's Modulus | Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃) | ၄၃၀ |
| အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (CTE) | 10-6K-1 | ၄.၅ |
| အပူစီးကူးမှု | (W/mK) | ၃၀၀ |
