အပိုင်း 1
SiC နှင့် AIN တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲမီးဖိုတွင် PVT နည်းလမ်းဖြင့် Crucible၊ အစေ့ကိုင်ဆောင်ခြင်းနှင့် လမ်းညွှန်လက်စွပ်တို့ကို စိုက်ပျိုးခဲ့သည်
ပုံ 2 [1] တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း SiC ကိုပြင်ဆင်ရန် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအခိုးအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနည်းလမ်း (PVT) ကိုအသုံးပြုသောအခါ၊ အစေ့ပုံဆောင်ခဲသည် အပူချိန်နိမ့်သောနေရာတွင်ရှိပြီး SiC ကုန်ကြမ်းသည် အပူချိန်မြင့်မားသောဒေသ (2400 ထက်) တွင်ရှိသည်။℃) နှင့် SiXCy (အဓိကအားဖြင့် Si၊ SiC အပါအဝင်) ထုတ်လုပ်ရန် ကုန်ကြမ်းများ ပြိုကွဲသွားပါသည်။₂၊စည်₂C စသည်ဖြင့်)။အခိုးအငွေ့အဆင့်ပစ္စည်းကို အပူချိန်မြင့်မားသောဒေသမှ အပူချိန်နိမ့်ဒေသရှိ မျိုးစေ့ပုံဆောင်ခဲသို့ ပို့ဆောင်သည်။, fအစေ့မှ နျူကလိယကို ပြုပြင်ခြင်း၊ ကြီးထွားလာပြီး တစ်ခုတည်းသော crystals များကို ထုတ်ပေးသည်။ဤလုပ်ငန်းစဉ်တွင်အသုံးပြုသည့် အပူအကွက်များ၊ စီးဆင်းမှုလမ်းညွှန်ကွင်း၊ မျိုးစေ့ပုံဆောင်ခဲကိုင်ဆောင်ထားသူများသည် မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသင့်ပြီး SiC ကုန်ကြမ်းများနှင့် SiC တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲများကို ညစ်ညမ်းစေမည်မဟုတ်ပါ။အလားတူပင်၊ AlN တစ်ခုတည်းပုံဆောင်ခဲများ၏ ကြီးထွားမှုတွင် အပူဒြပ်စင်များသည် Al vapor၊ N ကို ခံနိုင်ရည်ရှိရန် လိုအပ်ပါသည်။₂သံချေးတက်ခြင်း၊ မြင့်မားသော eutectic အပူချိန်ရှိရန် လိုအပ်သည် (အတူ AlN) ပုံဆောင်ခဲပြင်ဆင်မှုကာလကို တိုစေပါသည်။
SiC[2-5] နှင့် AlN[2-3] တို့က ပြင်ဆင်ထားကြောင်း တွေ့ရှိရပါသည်။TaC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ဂရပ်ဖိုက်အပူကွက်လပ်ပစ္စည်းများသည် ပိုမိုသန့်ရှင်းသည်၊ ကာဗွန် (အောက်ဆီဂျင်၊ နိုက်ထရိုဂျင်) နှင့် အခြားအညစ်အကြေးများ မရှိသလောက်နည်းသည်၊ အနားသတ်ချို့ယွင်းချက်နည်းပါးသည်၊ ဒေသတစ်ခုစီတွင် ခံနိုင်ရည်ပိုနည်းလာပြီး micropore density နှင့် etching pits တွင်းသိပ်သည်းဆတို့သည် သိသိသာသာ လျော့ကျသွားသည် (KOH etching ပြီးနောက်) နှင့် crystal quality၊ အလွန်တိုးတက်ခဲ့သည်။ဖြည့်စွက်ကာ,TaC crucibleကိုယ်အလေးချိန်ကျဆင်းမှုနှုန်းသည် သုညနီးပါးဖြစ်ပြီး အသွင်အပြင်သည် အဖျက်အဆီးမရှိ၊ အသစ်ပြန်လည်အသုံးပြုနိုင်သည် (အသက် 200 နာရီအထိ)၊ ထိုကဲ့သို့ တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲပြင်ဆင်မှု၏ ရေရှည်တည်တံ့မှုနှင့် ထိရောက်မှုကို တိုးတက်စေနိုင်သည်။
သဖန်းသီး။2. (က) PVT နည်းလမ်းဖြင့် SiC တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ ပေါက်နေသော ကိရိယာ၏ ဇယားကွက်
(ခ) ထိပ်တန်းTaC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။မျိုးစေ့ကွင်း (SiC မျိုးစေ့အပါအဝင်)
(ဂ)TAC-coated ဂရပ်ဖိုက်လမ်းညွှန်လက်စွပ်
အပိုင်း 2
MOCVD GaN epitaxial အလွှာကြီးထွားလာအပူပေးစက်
ပုံ 3 (က) တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း MOCVD GaN ကြီးထွားမှုသည် အငွေ့ epitaxial ကြီးထွားမှုဖြင့် ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များကို ကြီးထွားစေရန် organometrical decomposition တုံ့ပြန်မှုကို အသုံးပြု၍ ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်းနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။အပေါက်အတွင်းရှိ အပူချိန်တိကျမှုနှင့် တူညီမှုသည် အပူပေးစက်ကို MOCVD ကိရိယာ၏ အရေးကြီးဆုံးသော အစိတ်အပိုင်းဖြစ်လာစေသည်။အလွှာကို လျင်မြန်စွာနှင့် အချိန်ကြာမြင့်စွာ အပူပေးနိုင်သည်ဖြစ်စေ (ထပ်ခါတလဲလဲ အအေးခံခြင်း)၊ မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် တည်ငြိမ်မှု (ဓာတ်ငွေ့ချေးယူမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း) နှင့် ဖလင်၏ သန့်စင်မှုသည် ဖလင်အစစ်ခံခြင်း၏ အရည်အသွေးကို တိုက်ရိုက် ထိခိုက်စေမည်၊ အထူ ညီညွတ်မှု၊ chip ၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်။
MOCVD GaN ကြီးထွားမှုစနစ်တွင် အပူပေးစက်၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပြန်လည်အသုံးပြုခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်၊TAC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်ကို အောင်မြင်စွာ မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။သမားရိုးကျအပူပေးစက် (pBN coating ကိုအသုံးပြု၍ စိုက်ပျိုးထားသည့် GaN epitaxial အလွှာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက TaC အပူပေးစက်မှ စိုက်ပျိုးထားသော GaN epitaxial အလွှာသည် တူညီသောပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ၊ အထူတူညီမှု၊ ပင်ကိုယ်ချွတ်ယွင်းချက်များ၊ အညစ်အကြေးဆေးများနှင့် ညစ်ညမ်းမှုနီးပါးရှိသည်။ထို့အပြင်၊TaC အပေါ်ယံပိုင်းခံနိုင်ရည်နည်းပြီး မျက်နှာပြင်ထုတ်လွှတ်မှု နည်းပါးသောကြောင့် အပူပေးကိရိယာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် တူညီမှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သောကြောင့် ပါဝါသုံးစွဲမှုနှင့် အပူဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးသည်။အပူပေးကိရိယာ၏ ဓာတ်ရောင်ခြည်လက္ခဏာများကို ပိုမိုတိုးတက်ကောင်းမွန်လာစေရန်နှင့် ၎င်း၏ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးရန် လုပ်ငန်းစဉ်ဘောင်များကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် အပေါ်ယံလွှာ၏ porosity ကို ချိန်ညှိနိုင်သည်။ဒီလို အားသာချက်တွေကို ဖြစ်စေပါတယ်။TaC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်များသည် MOCVD GaN ကြီးထွားမှုစနစ်များအတွက် အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်။
သဖန်းသီး။3. (က) GaN epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် MOCVD စက်၏ ဇယားကွက်
(ခ) MOCVD စနစ်ထည့်သွင်းမှုတွင် ထည့်သွင်းထားသော ပုံသွင်းထားသော TAC-coated ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်သည် အခြေခံနှင့် ကွင်းစကွင်းပိတ် (အခြေနှင့် အပူရှိန်ကွင်းကို ပြသသည့် သရုပ်ဖော်ပုံ)
(ဂ) 17 GaN epitaxial ကြီးထွားပြီးနောက် TAC-coated ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်။[6]
အပိုင်း/၃
epitaxy (wafer carrier) အတွက် coated susceptor
Wafer carrier သည် SiC, AlN, GaN နှင့် အခြားသော တတိယတန်းစား ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ wafers နှင့် epitaxial wafer ကြီးထွားမှုအတွက် အရေးကြီးသော ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။wafer carriers အများစုကို ဂရပ်ဖိုက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး လုပ်ငန်းစဉ်ဓာတ်ငွေ့များမှ ချေးယူခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန်အတွက်၊ epitaxial temperature range 1100 မှ 1600 အတွင်း၊°C၊ နှင့် အကာအကွယ်အလွှာ၏ ချေးခံနိုင်ရည်သည် wafer carrier ၏အသက်တာတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်ပါသည်။ရလဒ်များအရ TaC ၏ ချေးနှုန်းသည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် အမိုးနီးယားရှိ SiC ထက် 6 ဆ နှေးကွေးကြောင်း ပြသသည်။အပူချိန်မြင့်သော ဟိုက်ဒရိုဂျင်တွင်၊ ချေးနှုန်းသည် SiC ထက် ၁၀ ဆ ပိုနှေးသည်။
TaC ပါသော ဗူးခွံများသည် အပြာရောင်အလင်းတန်း GaN MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ကောင်းစွာလိုက်ဖက်မှုရှိသည်ကို ပြသပြီး အညစ်အကြေးများကို မိတ်ဆက်ခြင်းမရှိကြောင်း စမ်းသပ်မှုများဖြင့် သက်သေပြခဲ့သည်။အကန့်အသတ်ရှိသော လုပ်ငန်းစဉ်များကို ချိန်ညှိပြီးနောက်၊ TaC ဝန်ဆောင်မှုပေးသူများကို အသုံးပြု၍ ကြီးထွားလာသော ဦးဆောင်သူများသည် သမားရိုးကျ SiC သယ်ဆောင်သူများကဲ့သို့ တူညီသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် တူညီမှုကို ပြသသည်။ထို့ကြောင့် TAC-coated Pallet များ၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းသည် ကျောက်တုံးမှင်နှင့် ဗလာကျင်းများထက် ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။SiC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ဖိုက်တင်များ။
စာတိုက်အချိန်- မတ်လ-၀၅-၂၀၂၄