အင်္ဂါရပ်များ:
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများပါရှိသော ကြွေထည်များ၏ခံနိုင်ရည်အားမှာ 10-5~107ω.cm ခန့်ရှိပြီး၊ ကြွေထည်ပစ္စည်းများ၏ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများကို stoichiometric သွေဖည်မှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ရာဇမတ်ကွက်ချို့ယွင်းချက်များကို တားမြစ်ဆေးဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။ဤနည်းလမ်းကို အသုံးပြုထားသော ကြွေထည်များတွင် TiO2၊
ZnO၊ CdS၊ BaTiO3၊ Fe2O3၊ Cr2O3 နှင့် SiC။ကွဲပြားခြားနားသောလက္ခဏာများsemiconductor ကြွေထည်များကြွေထည်အထိခိုက်မခံတဲ့ ကိရိယာ အမျိုးအစား အမျိုးမျိုးကို ဖန်တီးရာမှာ အသုံးပြုနိုင်တဲ့ သူတို့ရဲ့ လျှပ်စစ်စီးကူးမှုဟာ ပတ်ဝန်းကျင်နဲ့ ပြောင်းလဲနေပါတယ်။
အပူဒဏ်မခံနိုင်သော၊ ဓာတ်ငွေ့အထိခိုက်မခံသော၊ စိုထိုင်းဆအထိခိုက်မခံသော၊ ဖိအားအထိခိုက်မခံသော၊ အလင်းအာရုံခံကိရိယာများနှင့် အခြားအာရုံခံကိရိယာများကဲ့သို့သော။Fe3O4 ကဲ့သို့ semiconductor spinel ပစ္စည်းများကို ထိန်းချုပ်ထားသော အစိုင်အခဲဖြေရှင်းချက်များတွင် MgAl2O4 ကဲ့သို့သော စပယ်ယာမဟုတ်သော စပနဲလ်ပစ္စည်းများနှင့် ရောနှောထားသည်။
MgCr2O4 နှင့် Zr2TiO4 ကို အပူချိန်အလိုက် ကွဲပြားသော ဂရုတစိုက် ထိန်းချုပ်ထားသော ခံနိုင်ရည်ရှိသော ကိရိယာများဖြစ်သည့် အပူချိန်ထိန်းကိရိယာအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။Bi၊ Mn၊ Co နှင့် Cr ကဲ့သို့သော အောက်ဆိုဒ်များကို ပေါင်းထည့်ခြင်းဖြင့် ZnO ကို ပြုပြင်နိုင်သည်။
ဤအောက်ဆိုဒ်အများစုသည် ZnO တွင် ခိုင်မာစွာပျော်ဝင်ခြင်းမရှိသော်လည်း ZnO varistor ကြွေထည်ပစ္စည်းများကိုရရှိရန်အတွက် အတားအဆီးအလွှာတစ်ခုအဖြစ် ဆန်စပါးနယ်နိမိတ်တွင် လှည့်ထွက်ကာ varistor ကြွေထည်များတွင် အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ပစ္စည်းတစ်မျိုးဖြစ်သည်။
SiC doping (ဥပမာ လူ့ကာဗွန် အနက်ရောင်၊ ဂရပ်ဖိုက်မှုန့်) ကို ပြင်ဆင်နိုင်သည်။semiconductor ပစ္စည်းများမြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှုနှင့်အတူ၊ အမျိုးမျိုးသောခံနိုင်ရည်ရှိသောအပူပေးသည့်ဒြပ်စင်များဖြစ်သော၊ ဆိုလိုသည်မှာ၊ အပူချိန်မြင့်မားသောလျှပ်စစ်မီးဖိုများတွင် ဆီလီကွန်ကာဗွန်ချောင်းများကိုအသုံးပြုသည်။အလိုရှိရာမှန်သမျှကို ရရှိရန် SiC ၏ ခံနိုင်ရည်နှင့် အပိုင်းကို ထိန်းချုပ်ပါ။
လည်ပတ်မှုအခြေအနေများ (1500 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ) သည်၎င်း၏ခုခံနိုင်စွမ်းကိုတိုးမြှင့်ခြင်းနှင့်အပူဒြပ်စင်၏ဖြတ်ကျော်မှုလျှော့ချခြင်းဖြင့်ထုတ်ပေးသောအပူကိုတိုးစေသည်။လေထဲတွင် ဆီလီကွန်ကာဗွန်လှံတံသည် ဓာတ်တိုးတုံ့ပြန်မှုဖြစ်ပေါ်မည်ဖြစ်ပြီး၊ အပူချိန်အသုံးပြုမှုကို ယေဘူယျအားဖြင့် 1600°C အောက်တွင် ကန့်သတ်ထားပြီး သာမန်ဆီလီကွန်ကာဗွန်တံအမျိုးအစား၊
ဘေးကင်းသောလည်ပတ်မှုအပူချိန်မှာ 1350°C ဖြစ်သည်။SiC တွင် Si အက်တမ်ကို N အက်တမ်ဖြင့် အစားထိုးသည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် N တွင် အီလက်ထရွန်များ ပိုများသောကြောင့်၊ ပိုလျှံနေသော အီလက်ထရွန်များ ရှိနေသောကြောင့် ၎င်း၏ စွမ်းအင်အဆင့်သည် အောက် conduction band နှင့် နီးကပ်နေပြီး conduction band သို့ မြှင့်တင်ရန် လွယ်ကူသောကြောင့် ဤစွမ်းအင်အခြေအနေ ဒါယိကာမအဆင့်ဟုလည်းခေါ်သည်၊ ဤတစ်ဝက်၊
conductors များသည် N-type semiconductors သို့မဟုတ် electronically conducting semiconductors များဖြစ်သည်။Si အက်တမ်ကို အစားထိုးရန်အတွက် အယ်လ်အက်တမ်ကို SiC တွင် အသုံးပြုပါက၊ အီလက်ထရွန်မရှိခြင်းကြောင့် ဖွဲ့စည်းထားသော ပစ္စည်းစွမ်းအင်အခြေအနေသည် အထက်ရှိ valence အီလက်ထရွန်ကြိုးဝိုင်းနှင့် နီးစပ်သောကြောင့် အီလက်ထရွန်ကို လက်ခံရန် လွယ်ကူသောကြောင့် လက်ခံသူဟု ခေါ်သည်။
လစ်လပ်နေသော အနေအထားသည် positive charge carrier နှင့် တူညီသောကြောင့် လစ်လပ်နေသော အီလက်ထရွန်များကို သယ်ဆောင်နိုင်သော valence band တွင် လစ်လပ်နေသော အနေအထားကို ချန်ထားနိုင်သည့် အဓိက စွမ်းအင်အဆင့်ကို P-type semiconductor သို့မဟုတ် hole semiconductor (H. Sarman,1989) ဟုခေါ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- စက်တင်ဘာ-၀၂-၂၀၂၃