တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial disk များကို ရှာဖွေခြင်း- စွမ်းဆောင်ရည် အားသာချက်များနှင့် အသုံးချမှုအလားအလာ

ယနေ့ခေတ် အီလက်ထရွန်နစ်နည်းပညာနယ်ပယ်တွင် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများသည် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်လျက်ရှိသည်။၎င်းတို့အနက်၊ မြင့်မားသောပြိုကွဲလျှပ်စစ်စက်ကွင်း၊ ရွှဲရွှဲအရှိန်မြင့်မှု၊ အပူစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်းစသည်ဖြင့် ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်အားသာချက်များနှင့်အတူ ကျယ်ပြန့်သော band gap တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် ဆီလီကွန်ကာဘိုင် (SiC) သည် သုတေသီများနှင့် အင်ဂျင်နီယာများ၏ အာရုံစိုက်မှုဖြစ်လာသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial disk သည် ၎င်း၏ အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအနေဖြင့် ကြီးမားသော အသုံးချမှု အလားအလာကို ပြသထားသည်။

一、epitaxial disk စွမ်းဆောင်ရည်- အပြည့်အဝအားသာချက်များ
1. အလွန်မြင့်မားသော ပြိုကွဲပျက်စီးနေသော လျှပ်စစ်စက်ကွင်း- သမားရိုးကျ ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်၏ ဓာတ်ခွဲစက်ကွင်းသည် 10 ဆ ပိုများသည်။ဆိုလိုသည်မှာ တူညီသောဗို့အားအခြေအနေအောက်တွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial disks များကိုအသုံးပြုထားသော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများသည် မြင့်မားသောလျှပ်စီးကြောင်းများကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဗို့အားမြင့်၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်၊ ပါဝါမြင့်သော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို ဖန်တီးနိုင်သည်ဟု ဆိုလိုသည်။
2. High-speed saturation speed- silicon carbide ၏ saturation speed သည် silicon ထက် 2 ဆ ပိုများသည်။မြင့်မားသော အပူချိန်နှင့် မြန်နှုန်းမြင့်တွင် လည်ပတ်နေသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial disk သည် ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၏ တည်ငြိမ်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သိသိသာသာ တိုးတက်စေသည်။
3. စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏အပူစီးကူးမှုသည် ဆီလီကွန်ထက် 3 ဆပိုများသည်။ဤအင်္ဂါရပ်သည် စဉ်ဆက်မပြတ် ပါဝါမြင့်မားသော လုပ်ဆောင်ချက်အတွင်း အီလက်ထရွန်းနစ် စက်ပစ္စည်းများကို ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ စုပ်ယူနိုင်စေခြင်းဖြင့် အပူလွန်ကဲခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးပြီး စက်ဘေးကင်းမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။
4. အထူးကောင်းမွန်သော ဓာတုတည်ငြိမ်မှု- မြင့်မားသော အပူချိန်၊ ဖိအားမြင့်မားခြင်းနှင့် ပြင်းထန်သော ရောင်ခြည်ဖြာထွက်ခြင်းကဲ့သို့သော လွန်ကဲသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် ယခင်ကဲ့သို့ တည်ငြိမ်နေဆဲဖြစ်သည်။ဤအင်္ဂါရပ်သည် ရှုပ်ထွေးသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားရန် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial disk ကို အသုံးပြုနိုင်မည်ဖြစ်သည်။
二、ကုန်ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်- ဂရုတစိုက် ထွင်းထုခြင်း။
SIC epitaxial disk ထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် အဓိကလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (PVD)၊ ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (CVD) နှင့် epitaxial ကြီးထွားမှုတို့ ပါဝင်သည်။ဤလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုစီတွင် ၎င်း၏ကိုယ်ပိုင်လက္ခဏာများရှိပြီး အကောင်းဆုံးရလဒ်များရရှိရန် အမျိုးမျိုးသော ကန့်သတ်ဘောင်များကို တိကျစွာထိန်းချုပ်ရန် လိုအပ်သည်။
1. PVD လုပ်ငန်းစဉ်- အငွေ့ပျံခြင်း သို့မဟုတ် ဖျန်းခြင်း နှင့် အခြားနည်းလမ်းများဖြင့်၊ SiC ပစ်မှတ်ကို ဖလင်တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် အလွှာပေါ်တွင် အပ်နှံသည်။ဤနည်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော ရုပ်ရှင်သည် မြင့်မားသော သန့်စင်မှုနှင့် ကောင်းမွန်သော ပုံဆောင်ခဲများ ပါသော်လည်း ထုတ်လုပ်မှု အရှိန်မှာ အတော်လေး နှေးကွေးပါသည်။
2. CVD လုပ်ငန်းစဉ်- မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ရင်းမြစ်ဓာတ်ငွေ့ကို ကွဲအက်ခြင်းဖြင့် ပါးလွှာသောဖလင်တစ်ခုဖြစ်လာစေရန် အလွှာပေါ်တွင် မြှုပ်နှံထားသည်။ဤနည်းလမ်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော ဖလင်၏ အထူနှင့် တူညီမှုကို ထိန်းချုပ်နိုင်သော်လည်း သန့်ရှင်းမှုနှင့် ပုံဆောင်ခဲသည် ညံ့ဖျင်းပါသည်။
3. Epitaxial ကြီးထွားမှု- ဓာတုအငွေ့ထုတ်နည်းဖြင့် monocrystalline silicon သို့မဟုတ် အခြားသော monocrystalline ပစ္စည်းများပေါ်တွင် SiC epitaxial အလွှာ ကြီးထွားမှု။ဤနည်းလမ်းဖြင့်ပြင်ဆင်ထားသော epitaxial အလွှာသည် အောက်ခြေပစ္စည်းနှင့် ကိုက်ညီပြီး ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော်လည်း ကုန်ကျစရိတ်မှာ အတော်လေးမြင့်မားပါသည်။
三、လျှောက်လွှာအလားအလာ- အနာဂတ်ကို တောက်ပစေခြင်း။
ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်နည်းပညာ၏စဉ်ဆက်မပြတ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရသောအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများဝယ်လိုအားတိုးလာခြင်းကြောင့်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial disk သည် semiconductor စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတွင်ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုအလားအလာရှိသည်။ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ခလုတ်များ၊ အင်ဗာတာများ၊ rectifier စသည်တို့ကဲ့သို့သော ကြိမ်နှုန်းမြင့် ပါဝါမြင့်မားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများထုတ်လုပ်ရာတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုပါသည်။ ထို့အပြင်၊ ၎င်းကို ဆိုလာဆဲလ်များ၊ LED နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင်လည်း တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုပါသည်။
၎င်း၏ထူးခြားသောစွမ်းဆောင်ရည်အားသာချက်များနှင့်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်၏စဉ်ဆက်မပြတ်တိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial disk သည် semiconductor နယ်ပယ်တွင်၎င်း၏ကြီးမားသောအလားအလာကိုပြသနေသည်။အနာဂတ်တွင် သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာသည် ပိုမိုအရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်လာမည်ဟု ကျွန်ုပ်တို့ယုံကြည်ရန် အကြောင်းပြချက်ရှိသည်။