【အနှစ်ချုပ်ဖော်ပြချက်】 ခေတ်မီ C၊ N၊ B နှင့် အခြားအောက်ဆိုဒ်မဟုတ်သော နည်းပညာမြင့် သတ္တုဓာတ်ကုန်ကြမ်းများတွင်၊ လေထုဖိအားကို လောင်ကျွမ်းစေသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ကျယ်ဝန်းပြီး စျေးသက်သာပြီး emery သို့မဟုတ် refractory သဲဟု ဆိုနိုင်ပါသည်။သန့်စင်သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် အရောင်မရှိသော ဖောက်ထွင်းမြင်ရနိုင်သော သလင်းကျောက်ဖြစ်သည်။ဒါဆို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ရဲ့ ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံနဲ့ လက္ခဏာတွေက ဘာလဲ။
လေထုဖိအားကို sintered ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံ-
စက်မှုလုပ်ငန်းတွင်အသုံးပြုသော လေထုဖိအား လောင်ကျွမ်းစေသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် အညစ်အကြေးအမျိုးအစားနှင့် ပါဝင်မှုအရ အဝါဖျော့ဖျော့၊ အစိမ်း၊ အပြာနှင့် အနက်ရောင်ဖြစ်ပြီး သန့်ရှင်းမှု ကွာခြားပြီး ပွင့်လင်းမြင်သာမှု ကွဲပြားသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံအား စကားလုံးခြောက်လုံး သို့မဟုတ် စိန်ပုံစံ ပလူတိုနီယမ်နှင့် ကုဗပလူတိုနီယမ်-ဆစ် ဟူ၍ ပိုင်းခြားထားသည်။Plutonium-sic သည် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံရှိ ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်အက်တမ်များ၏ ကွဲပြားသော အစုအပုံအစီအစဉ်ကြောင့် ပုံပျက်ခြင်းအမျိုးမျိုးကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ပုံသဏ္ဍာန်ပုံစံ ၇၀ ကျော်ကို တွေ့ရှိခဲ့သည်။beta-SIC သည် 2100 အထက် alpha-SIC အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲသွားပါသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ စက်မှုလုပ်ငန်း လုပ်ငန်းစဉ်ကို အရည်အသွေးမြင့် quartz သဲနှင့် ရေနံ coke ဖြင့် ခံနိုင်ရည်ရှိသော မီးဖိုထဲတွင် သန့်စင်ထားသည်။သန့်စင်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တုံးများကို ကြေမွခြင်း၊ အက်ဆစ်အခြေခံ သန့်ရှင်းရေး၊ သံလိုက်ဖြင့် ခွဲထုတ်ခြင်း၊ စစ်ဆေးခြင်း သို့မဟုတ် ရေရွေးချယ်ခြင်း သို့မဟုတ် အမှုန်အမွှားအရွယ်အစား ထုတ်ကုန်အမျိုးမျိုးကို ထုတ်လုပ်ရန်။
လေထုဖိအားကို sintered ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာလက္ခဏာများ-
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ကောင်းမွန်သောဓာတုတည်ငြိမ်မှု၊ အပူစီးကူးမှု၊ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်း၊ ဝတ်ဆင်မှုဒဏ်တို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် အညစ်အကြေးအသုံးပြုမှုအပြင်၊ ဥပမာအားဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်မှုန့်ကို တာဘိုင်ပန်ကာ သို့မဟုတ် ဆလင်ဒါဘလောက်၏အတွင်းနံရံတွင် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပြီး သက်တမ်းကို 1 မှ 2 ဆအထိ တိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည့် အထူးလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခု။အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ သေးငယ်သောအရွယ်အစား၊ ပေါ့ပါးသော၊ မြင့်မားသော အစွမ်းသတ္တိရှိသော သတ္တုဓာတ်ပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသောကြောင့် စွမ်းအင်ထိရောက်မှု အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။အရည်အသွေးနိမ့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (85% SiC အပါအဝင်) သည် သံမဏိထုတ်လုပ်မှု အရှိန်တိုးမြှင့်ရန်နှင့် သံမဏိအရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုကို လွယ်ကူစွာ ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် အကောင်းဆုံး deoxidizer တစ်ခုဖြစ်သည်။ထို့အပြင်၊ လေထုဖိအားကို sintered silicon carbide သည် ဆီလီကွန်ကာဗွန်ချောင်းများ၏ လျှပ်စစ်အစိတ်အပိုင်းများထုတ်လုပ်ရာတွင်လည်း တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုပါသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် အလွန်မာကျောသည်။Morse hardness သည် 9.5 ဖြစ်ပြီး ကမ္ဘာ့မာကျောသော စိန် (10) ထက် ဒုတိယသာ ရှိပြီး အပူစီးကူးနိုင်မှု အထူးကောင်းမွန်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ဖြစ်ပြီး မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် ဓာတ်တိုးမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် ပုံဆောင်ခဲအမျိုးအစား ၇၀ အနည်းဆုံးရှိသည်။Plutonium-silicon carbide သည် အပူချိန် 2000 အထက်တွင် ဖြစ်ပေါ်ပြီး ဆဋ္ဌဂံပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ (wurtzite နှင့် ဆင်တူသည်) ရှိသော ဘုံအိုင်ဆိုမီတစ်ခုဖြစ်သည်။လေထုဖိအားအောက်တွင် Sintered ဆီလီကွန်ကာဗိုက်
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းတွင် အသုံးပြုခြင်း။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းစက်မှုလုပ်ငန်းကွင်းဆက်တွင် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အမှုန့်၊ တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲအလွှာ၊ epitaxial စာရွက်၊ ပါဝါအစိတ်အပိုင်းများ၊ မော်ဂျူးထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် terminal applications များပါဝင်သည်။
1. Single crystal substrate တစ်ခုတည်း crystal substrate သည် semiconductor အထောက်အပံ့ပစ္စည်း၊ conductive material နှင့် epitaxial growth substrate ဖြစ်သည်။လက်ရှိတွင်၊ SiC တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ၏ ကြီးထွားမှုနည်းလမ်းများတွင် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အခိုးအငွေ့ လွှဲပြောင်းနည်း (PVT နည်းလမ်း)၊ အရည်အဆင့်နည်းလမ်း (LPE နည်းလမ်း) နှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော ဓာတုအငွေ့ပျံခြင်းနည်းလမ်း (HTCVD နည်းလမ်း) တို့ ပါဝင်သည်။လေထုဖိအားအောက်တွင် Sintered ဆီလီကွန်ကာဗိုက်
2. Epitaxial Sheet Silicon carbide epitaxial sheet၊ silicon carbide sheet၊ single crystal film (epitaxial layer) သည် silicon carbide substrate အတွက် လိုအပ်ချက်အချို့ရှိသော substrate crystal နှင့် တူညီသောဦးတည်ချက်ဖြင့်၊လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင်၊ wide band gap တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို epitaxial အလွှာတွင်ထုတ်လုပ်ထားပြီး၊ GaN epitaxial အလွှာ၏အလွှာအပါအဝင် ဆီလီကွန်ချစ်ပ်ကို အလွှာအဖြစ်သာအသုံးပြုသည်။
3. High-purity silicon carbide powder High-purity silicon carbide powder သည် PVT နည်းလမ်းဖြင့် silicon carbide single crystal ကြီးထွားမှုအတွက် ကုန်ကြမ်းဖြစ်ပြီး၊ ထုတ်ကုန်၏ သန့်စင်မှုသည် silicon carbide single crystal ၏ ကြီးထွားမှု အရည်အသွေးနှင့် လျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများကို တိုက်ရိုက် သက်ရောက်မှုရှိပါသည်။
4. ပါဝါကိရိယာသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားပြီး ထိရောက်မှုမြင့်မားသော လက္ခဏာများပါရှိသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော ကျယ်ပြန့်သောပါဝါကိရိယာဖြစ်သည်။စက်ပစ္စည်း၏လည်ပတ်မှုပုံစံအရ SiC ပါဝါထောက်ပံ့ရေးကိရိယာတွင် အဓိကအားဖြင့် ပါဝါဒိုင်အိုဒနှင့် ပါဝါခလုတ်တစ်ခုတို့ ပါဝင်ပါသည်။
5. Terminal တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ အသုံးချပရိုဂရမ်များတွင်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများသည် gallium nitride တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ဖြည့်စွက်နိုင်သည့် အားသာချက်ရှိသည်။မြင့်မားသောကူးပြောင်းမှုထိရောက်မှု၊ အပူပေးမှုနည်းသောလက္ခဏာများ၊ ပေါ့ပါးပြီး SiC စက်များ၏အခြားအားသာချက်များကြောင့်၊ ရေအောက်စက်မှုလုပ်ငန်း၏ဝယ်လိုအားသည်ဆက်လက်တိုးမြင့်လာပြီး SiO2 ကိရိယာများကိုအစားထိုးရန်လမ်းကြောင်းတစ်ခုရှိပါသည်။
တင်ချိန်- အောက်တိုဘာ ၁၆-၂၀၂၃