-
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial disk များကို ရှာဖွေခြင်း- စွမ်းဆောင်ရည် အားသာချက်များနှင့် အသုံးချမှုအလားအလာ
ယနေ့ခေတ် အီလက်ထရွန်နစ်နည်းပညာနယ်ပယ်တွင် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများသည် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်လျက်ရှိသည်။ ၎င်းတို့တွင်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည် အားသာချက်များဖြစ်သည့် မြင့်မားသောပြိုကွဲလျှပ်စစ်စက်ကွင်း၊ မြင့်မားသော ရွှဲအရှိန်၊ ဇ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Graphite hard ခံစားမှု - ဆန်းသစ်သောပစ္စည်း၊ သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာခေတ်သစ်ကိုဖွင့်ပါ။
ပစ္စည်းအသစ်တစ်ခုအနေနဲ့ ဂရပ်ဖိုက်မာကျောတယ်လို့ခံစားရတဲ့အတွက် ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ဟာ အတော်လေးထူးခြားပါတယ်။ ရောစပ်ခြင်းနှင့် ခံစားခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ graphene အမျှင်များနှင့် ဖန်မျှင်တို့သည် မြင့်မားသောလျှပ်စစ်စီးကူးမှုနှင့် graphene ၏အစွမ်းသတ္တိကို ထိန်းထားနိုင်သော ပစ္စည်းအသစ်တစ်ခုအဖြစ် ဖြစ်ပေါ်လာစေရန် အပြန်အလှန်အကျိုးသက်ရောက်သည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
semiconductor silicon carbide (SiC) wafer ဆိုတာဘာလဲ
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) wafers၊ ဤပစ္စည်းအသစ်သည် မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း ၎င်း၏ထူးခြားသောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများဖြင့် တဖြည်းဖြည်းပေါ်ထွက်လာခဲ့ပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းအတွက် တက်ကြွမှုအသစ်ကို ထိုးသွင်းခဲ့သည်။ ကုန်ကြမ်းအဖြစ် monocrystals ကိုအသုံးပြုထားသော SiC wafers များသည် ဂရုတစိုက် ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Silicon carbide wafer ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာကို ကုန်ကြမ်းအဖြစ် သန့်စင်မြင့်ဆီလီကွန်မှုန့်နှင့် သန့်စင်သောကာဗွန်အမှုန့်များဖြင့် ပြုလုပ်ထားကာ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲကို ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့လွှဲပြောင်းနည်း (PVT) ဖြင့် စိုက်ပျိုးပြီး ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာအဖြစ် စီမံဆောင်ရွက်ပါသည်။ 1.Raw material ပေါင်းစပ်မှု- သန့်စင်မှုမြင့်မားသော sili...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သမိုင်းနှင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာအလွှာ
Silicon Carbide (SiC) ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် အသုံးချမှုများ 1. SiC ၏ ရာစုနှစ်တစ်ခု၏ ဆန်းသစ်တီထွင်မှု SiC th ၏စက်မှုလုပ်ငန်းထုတ်လုပ်မှုကိုရရှိရန် ကာဗွန်ပစ္စည်းများကိုအသုံးပြု၍ SiC th ၏ထုတ်လုပ်မှုအောင်မြင်ရန် 1893 ခုနှစ်တွင် စတင်ခဲ့သည်။ .။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာများ- ပစ္စည်းများသိပ္ပံတွင် အောင်မြင်မှုအသစ်များ
သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ ပစ္စည်းအသစ်ဖြစ်သော ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာသည် ကျွန်ုပ်တို့၏ဘဝများကို တဖြည်းဖြည်းပြောင်းလဲစေသည်။ အစိတ်အပိုင်းများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ သို့မဟုတ် ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း၊ ပက်ဖြန်းခြင်းနှင့် အခြားနည်းလမ်းများဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသည့် ဤအလွှာသည် အလွန်ဆွဲဆောင်မှုရှိသော...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
SiC Coated Graphite Barrel
MOCVD စက်၏အဓိကအစိတ်အပိုင်းများထဲမှတစ်ခုအနေဖြင့်၊ ဂရပ်ဖိုက်အခြေခံသည်အလွှာ၏သယ်ဆောင်ရေးနှင့်အပူပေးကိုယ်ထည်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည်ဖလင်ပစ္စည်း၏တူညီမှုနှင့်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုကိုတိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်ပေးသောကြောင့်၎င်း၏အရည်အသွေးသည် epitaxial စာရွက်ပြင်ဆင်မှုနှင့်တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်သည်။ .။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာကိုပြင်ဆင်ခြင်းနည်းလမ်း
လက်ရှိတွင် SiC အပေါ်ယံပိုင်းပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် gel-sol method၊ embedding method၊ brush coating method၊ plasma spraying method၊ chemical gas reaction method (CVR) နှင့် chemical vapor deposition method (CVD) တို့ပါဝင်သည်။ မြှပ်နှံနည်း- နည်းလမ်းသည် အမြင့်တစ်မျိုးဖြစ်သည်..။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
စတော့ရှယ်ယာစျေးနှုန်းမြင့်တက်မှုအတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ (Semicera)၊ ပါတနာ၊ SAN 'an Optoelectronics အား ဂုဏ်ပြုပါသည်။
အောက်တိုဘာ 24 - San'an Optoelectronics တွင် ရှယ်ယာများ 3.8 တက်လာပြီးသည်နှင့် ဆွဇ်နည်းပညာကုမ္ပဏီကြီး ST Microelectronics နှင့် ကုမ္ပဏီ၏ အော်တိုချစ်ပ်များကို ပံ့ပိုးပေးမည့် ၎င်း၏ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်စက်ရုံသည် ၎င်း၏ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်စက်ရုံမှ ဆွဇ်နည်းပညာကုမ္ပဏီကြီး ST Microelectronics နှင့် ဖက်စပ်လုပ်ကိုင်မည်ဟု ပြောကြားပြီးနောက် ယနေ့တွင် ရှယ်ယာများ တက်လာခဲ့သည်။ .ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Silicon Carbide Epitaxy နည်းပညာတွင် အောင်မြင်မှု- တရုတ်တွင် Silicon/Carbide Epitaxial ဓာတ်ပေါင်းဖိုထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ဦးဆောင်လမ်းစ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxy နည်းပညာတွင် ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီ၏ ကျွမ်းကျင်မှုတွင် အထွတ်အထိပ်အောင်မြင်မှုတစ်ခုကို ကြေညာရခြင်းအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ ဝမ်းမြောက်မိပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံသည် တရုတ်နိုင်ငံရှိ ဆီလီကွန်/ကာဗိုက် epitaxial ဓာတ်ပေါင်းဖိုများကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည့် ထိပ်တန်းထုတ်လုပ်သူများထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည့်အတွက် ဂုဏ်ယူပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ကတိကဝတ်များဖြင့် ထူးခြားသော အရည်အသွေး...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
အသစ်သော အောင်မြင်မှု- ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီသည် အစိတ်အပိုင်း၏ သက်တမ်းကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် အထွက်နှုန်းကို မြှင့်တင်ရန် တန်တလမ် ကာဘိုင်အလွှာကို အုပ်ထားသော နည်းပညာကို အနိုင်ယူခဲ့သည်။
Zhejiang၊ 20/10/2023 - နည်းပညာဆိုင်ရာ တိုးတက်မှုဆီသို့ သိသာထင်ရှားသော ခြေလှမ်းတစ်ရပ်တွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီသည် Tantalum Carbide (TaC) အပေါ်ယံပိုင်းနည်းပညာ၏ အောင်မြင်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို ဂုဏ်ယူစွာ ကြေငြာခဲ့ပါသည်။ ဤအောင်မြင်မှု အောင်မြင်မှုသည် စက်မှုလုပ်ငန်းကို သိသိသာသာ တော်လှန်ပြောင်းလဲပစ်မည်ဟု ကတိပြုသည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
အလူမီနာ ကြွေထည်တည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများ အသုံးပြုခြင်းအတွက် ကြိုတင်ကာကွယ်မှုများ
မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း အလူမီနီယမ် ကြွေထည်များကို ကိရိယာတန်ဆာပလာ၊ အစားအသောက်ဆေးဘက်ဆိုင်ရာကုသမှု၊ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး photovoltaic၊ စက်နှင့်လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ၊ လေဆာတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ ရေနံစက်များ၊ မော်တော်ယာဥ်စစ်ဘက်ဆိုင်ရာလုပ်ငန်း၊ အာကာသယာဉ်နှင့် အခြားသော...ပိုပြီးဖတ်ပါ