အပိုင်း 1
CVD (Chemical Vapor Deposition) နည်းလမ်း-
900-2300 ℃ တွင် TaCl ကိုအသုံးပြုသည်။5တန်တလမ်နှင့် ကာဗွန်အရင်းအမြစ်များအဖြစ် CnHm၊ လေထုလျှော့ချခြင်းအဖြစ် H₂၊ Ar₂as သယ်ဆောင်သည့်ဓာတ်ငွေ့၊ တုံ့ပြန်မှု အစစ်ခံရုပ်ရှင်။ပြင်ဆင်ထားသော အပေါ်ယံပိုင်းသည် ကျစ်လျစ်သော၊ တစ်ပြေးညီဖြစ်ပြီး သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသည်။သို့သော်၊ ရှုပ်ထွေးသောလုပ်ငန်းစဉ်၊ စျေးကြီးသောကုန်ကျစရိတ်၊ လေဝင်လေထွက်ထိန်းချုပ်မှုခက်ခဲခြင်းနှင့် စုဆောင်းမှုထိရောက်မှုနည်းပါးခြင်းစသည့် ပြဿနာအချို့ရှိပါသည်။
အပိုင်း 2
Slurry sintering နည်းလမ်း
ကာဗွန်အရင်းအမြစ်၊ တန်တလမ်အရင်းအမြစ်၊ အကွဲအပြဲနှင့် binder ပါ၀င်သော slurry ကို ဂရပ်ဖိုက်ပေါ်တွင် ဖုံးအုပ်ထားပြီး အခြောက်ခံပြီးနောက် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် လောင်ကျွမ်းစေပါသည်။ပြင်ဆင်ထားသော အပေါ်ယံပိုင်းသည် ပုံမှန်ဦးတည်ခြင်းမရှိဘဲ ကြီးထွားလာပြီး ကုန်ကျစရိတ်နည်းပြီး အကြီးစားထုတ်လုပ်မှုအတွက် သင့်လျော်သည်။ဂရပ်ဖိုက်ကြီးများပေါ်တွင် ယူနီဖောင်းနှင့် အပြည့်အဝအပေါ်ယံပိုင်းရရှိရန်၊ ပံ့ပိုးမှုချို့ယွင်းချက်များကို ဖယ်ရှားရန်နှင့် coating bonding force မြှင့်တင်ရန် စူးစမ်းလေ့လာရန်ကျန်နေသေးသည်။
အပိုင်း/၃
ပလာစမာဖြန်းခြင်းနည်းလမ်း
TaC အမှုန့်ကို မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် ပလာစမာ arc ဖြင့် အရည်ပျော်ပြီး မြန်နှုန်းမြင့် ဂျက်လေယာဉ်ဖြင့် မြင့်မားသော အပူချိန် အမှုန်အမွှားများအဖြစ် အက်တမ်ဖြစ်အောင် လုပ်ပြီး ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်သို့ ဖြန်းသည်။လေဟာနယ်မဟုတ်သော အောက်ဆိုက်အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ဖွဲ့စည်းရန် လွယ်ကူပြီး စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုသည် ကြီးမားသည်။
ပုံGaN epitaxial စိုက်ပျိုးထားသော MOCVD စက် (Veeco P75) တွင်အသုံးပြုပြီးနောက် Wafer ဗန်း။ဘယ်ဘက်ခြမ်းကို TaC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားပြီး ညာဘက်တွင် တစ်လုံးကို SiC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။
TaC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ဖိုက်တာအပိုင်းတွေကို ဖြေရှင်းဖို့ လိုပါတယ်။
အပိုင်း 1
ချိတ်ဆွဲအား-
TaC နှင့် ကာဗွန်ပစ္စည်းများကြားရှိ အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းနှင့် အခြားရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများသည် ကွဲပြားသည်၊ အပေါ်ယံအချိတ်အဆက်ခိုင်ခံ့မှု နည်းပါးသည်၊ အက်ကွဲကြောင်းများ၊ ချွေးပေါက်များနှင့် အပူဖိစီးမှုများကို ရှောင်ရှားရန် ခက်ခဲပြီး အပေါ်ယံပိုင်းသည် ပုပ်ပွခြင်းနှင့် ပါဝင်သော ပကတိလေထုတွင် အလွယ်တကူ ကွဲထွက်လွယ်သည်။ ထပ်ခါတလဲလဲ မြင့်တက်ခြင်းနှင့် အအေးပေးခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်။
အပိုင်း 2
သန့်ရှင်းမှု-
TaC အပေါ်ယံပိုင်းမြင့်မားသောအပူချိန်အခြေအနေများအောက်တွင် အညစ်အကြေးများနှင့် လေထုညစ်ညမ်းမှုကို ရှောင်ရှားရန် အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှုဖြစ်ရန် လိုအပ်ပြီး မျက်နှာပြင်နှင့် မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ကာဗွန်နှင့် ပင်ကိုယ်အညစ်အကြေးများ အပြည့်အ၀ရှိသော ထိရောက်သောပါဝင်မှုစံချိန်စံညွှန်းများနှင့် လက္ခဏာရပ်ဆိုင်ရာစံနှုန်းများကို သဘောတူညီရန် လိုအပ်ပါသည်။
အပိုင်း/၃
တည်ငြိမ်မှု-
မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်နှင့်ဓာတုလေထုခုခံမှု 2300 ℃အထက်တွင် coating ၏တည်ငြိမ်မှုကိုစမ်းသပ်ရန်အရေးကြီးဆုံးညွှန်ကိန်းများဖြစ်သည်။တွင်းပေါက်များ၊ အက်ကွဲကြောင်းများ၊ ထောင့်များလွဲမှားခြင်းနှင့် လမ်းကြောင်းတစ်ခုတည်း ကောက်နှံနယ်နိမိတ်များသည် အဆိပ်ဓာတ်ငွေ့များ ဂရပ်ဖိုက်အတွင်းသို့ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်ရန် လွယ်ကူစေပြီး အပေါ်ယံအကာအကွယ်ချို့ယွင်းမှုကို ဖြစ်စေသည်။
အပိုင်း/၄
ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှု-
TaC သည် 500 ℃ နှင့် အထက်ရှိသောအခါတွင် Ta2O5 သို့ oxidize လုပ်ပြီး အပူချိန်နှင့် အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်မှု တိုးလာသဖြင့် ဓာတ်တိုးနှုန်း သိသိသာသာ တိုးလာသည်။မျက်နှာပြင်တွင် ဓာတ်တိုးမှုသည် စပါးနယ်နိမိတ်များနှင့် အစေ့အဆန်ငယ်များမှ စတင်ကာ တဖြည်းဖြည်း ကော်လံမာပုံဆောင်ခဲများနှင့် ကွဲအက်နေသော ပုံဆောင်ခဲများ ဖြစ်ပေါ်ကာ ကွက်လပ်နှင့် အပေါက်များ အများအပြား ဖြစ်ပေါ်ကာ အပေါ်ယံလွှာ မကျွတ်မချင်း အောက်ဆီဂျင် စိမ့်ဝင်မှု ပြင်းထန်လာသည်။ထွက်ပေါ်လာသော အောက်ဆိုဒ်အလွှာသည် အပူစီးကူးမှု ညံ့ဖျင်းပြီး အသွင်အပြင်တွင် အရောင်မျိုးစုံရှိသည်။
အပိုင်း/၅
တူညီမှုနှင့် ကြမ်းတမ်းမှု-
အပေါ်ယံမျက်နှာပြင်၏ မညီမညာ ဖြန့်ဖြူးမှုသည် ဒေသတွင်း အပူဖိစီးမှုအာရုံစူးစိုက်မှုကို ဖြစ်စေနိုင်ပြီး ကွဲအက်ခြင်းနှင့် ကွဲထွက်နိုင်ခြေကို တိုးစေသည်။ထို့အပြင်၊ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုသည် အပေါ်ယံလွှာနှင့် ပြင်ပပတ်ဝန်းကျင်ကြား အပြန်အလှန်အကျိုးသက်ရောက်မှုကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်စေပြီး ကြမ်းကြမ်းတမ်းတမ်းများလွန်းပါက wafer နှင့် မညီညာသောအပူစက်နှင့် ပွတ်တိုက်မှုတိုးလာစေသည်။
အပိုင်း/၆
စပါးအရွယ်အစား
တူညီသောစပါးအရွယ်အစားသည် အပေါ်ယံပိုင်းတည်ငြိမ်မှုကို အထောက်အကူပြုသည်။စပါးအရွယ်အစားသေးငယ်ပါက အချည်အနှောင်သည် တင်းကျပ်မှုမရှိသည့်အပြင် ဓာတ်ပြုခံရလွယ်ကာ ကြေမွပျက်စီးလွယ်ကာ စပါးအစွန်းရှိ အက်ကြောင်းများနှင့် အပေါက်များ အများအပြားဖြစ်ပေါ်ကာ အပေါ်ယံပိုင်း၏ အကာအကွယ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို လျော့နည်းစေသည်။စပါးစေ့အရွယ်အစား အလွန်ကြီးပါက၊ ၎င်းသည် အတော်လေး ကြမ်းတမ်းပြီး အလွှာသည် အပူဖိစီးမှုအောက်တွင် ဖယ်ထုတ်ရန် လွယ်ကူသည်။
စာတိုက်အချိန်- မတ်လ-၀၅-၂၀၂၄