Semiconductor wafer ဂီယာအတွက် PSS စီမံဆောင်ရွက်ပေးသည့် ကယ်ရီယာ

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားပြီး စွမ်းဆောင်ရည်ကောင်းမွန်သော ကြွေထည်ပစ္စည်းအမျိုးအစားအသစ်ဖြစ်သည်။မြင့်မားသောခိုင်ခံ့မှုနှင့် မာကျောမှု၊ မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်၊ ကြီးမားသောအပူစီးကူးမှုနှင့် ဓာတုချေးခံနိုင်ရည်တို့ကဲ့သို့သော အင်္ဂါရပ်များကြောင့်၊ Silicon Carbide သည် ဓာတုပစ္စည်းအားလုံးနီးပါးကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ထို့ကြောင့် SiC ကို ရေနံတူးဖော်ရေး၊ ဓာတုဗေဒ၊ စက်ယန္တရားများနှင့် လေပိုင်နက်တို့တွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြပြီး နျူကလီးယား စွမ်းအင်ကိုပင် စစ်တပ်က SIC တွင် ၎င်းတို့၏ အထူးတောင်းဆိုမှုများ ရှိသည်။ကျွန်ုပ်တို့ပေးဆောင်နိုင်သော သာမန်အပလီကေးရှင်းအချို့မှာ ပန့်၊ အဆို့ရှင်နှင့် အကာအကွယ်ချပ်ဝတ်တန်ဆာ စသည်တို့အတွက် တံဆိပ်ကွင်းများဖြစ်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့သည် သင့်တိကျသောအတိုင်းအတာများအလိုက် အရည်အသွေးကောင်းမွန်ပြီး သင့်လျော်သောပို့ဆောင်ချိန်ဖြင့် ဒီဇိုင်းဆွဲပြီး ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။


ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီသည် ဂရပ်ဖိုက်၊ ကြွေထည်များနှင့် အခြားပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ CVD နည်းလမ်းဖြင့် SiC coating process ဝန်ဆောင်မှုများကို ဆောင်ရွက်ပေးသည်၊ ထို့ကြောင့် ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်ပါဝင်သော အထူးဓာတ်ငွေ့များသည် မြင့်မားသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော SiC မော်လီကျူးများ၊ SIC အကာအကွယ်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းသည်။

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ-

1. မြင့်မားသောအပူချိန် oxidation resistance:

အပူချိန် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ မြင့်မားနေချိန်တွင် ဓာတ်တိုးမှု ခုခံမှုမှာ အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။

2. မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု : မြင့်မားသောအပူချိန် ကလိုရင်းဓာတ်အခြေအနေအောက်တွင် ဓာတုအငွေ့ထွက်မှုဖြင့် ပြုလုပ်သည်။

3. တိုက်စားခံနိုင်ရည်- မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ ကျစ်လစ်သော မျက်နှာပြင်၊ ကောင်းမွန်သော အမှုန်များ။

4. သံချေးတက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ။

CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications

SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ

အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ

FCC β အဆင့်

သိပ်သည်းဆ

g/cm ³

၃.၂၁

မာကျောခြင်း။

Vickers မာကျောမှု

၂၅၀၀

စပါးအရွယ်အစား

µm

၂~၁၀

ဓာတုသန့်စင်မှု

%

၉၉.၉၉၉၉၅

အပူစွမ်းရည်

J·kg-1 ·K-1

၆၄၀

Sublimation အပူချိန်

၂၇၀၀

Felexural Strength

MPa (RT 4 မှတ်)

၄၁၅

Young's Modulus

Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃)

၄၃၀

အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (CTE)

10-6K-1

၄.၅

အပူစီးကူးမှု

(W/mK)

၃၀၀

Semicera အလုပ်နေရာ
Semicera အလုပ်နေရာ ၂
စက်ကိရိယာ
CNN လုပ်ဆောင်မှု၊ ဓာတုသန့်ရှင်းရေး၊ CVD အပေါ်ယံပိုင်း
ကျွန်ုပ်တို့၏ဝန်ဆောင်မှု

  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု: