CVD TaC အပေါ်ယံပိုင်း

CVD TaC Coating မိတ်ဆက်:

CVD TaC Coating သည် အလွှာတစ်ခု၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် tantalum carbide (TaC) coating ပြုလုပ်ရန် ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်းကို အသုံးပြုသည့် နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ Tantalum carbide သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ကြွေထည်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ CVD လုပ်ငန်းစဉ်သည် ဓာတ်ငွေ့တုံ့ပြန်မှုမှတစ်ဆင့် အလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ယူနီဖောင်း TaC ဖလင်ကို ထုတ်ပေးသည်။

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ:

အလွန်ကောင်းမွန်သော မာကျောမှုနှင့် ခံနိုင်ရည်အားTantalum carbide သည် အလွန်မာကျောပြီး CVD TaC Coating သည် အလွှာ၏ ခံနိုင်ရည်အား သိသိသာသာ တိုးတက်စေနိုင်သည်။ ၎င်းသည် ဖြတ်တောက်ခြင်းကိရိယာများနှင့် မှိုများကဲ့သို့သော ဝတ်ဆင်မှုမြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုရန်အတွက် အလွှာကို စံပြဖြစ်စေသည်။

မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှု: TaC coatings များသည် အရေးကြီးသော မီးဖိုနှင့် ဓာတ်ပေါင်းဖို အစိတ်အပိုင်းများကို အပူချိန် 2200°C အထိ ကာကွယ်ပေးပြီး တည်ငြိမ်မှုကို ပြသသည်။ ၎င်းသည် ပြင်းထန်သောအပူချိန်အခြေအနေများအောက်တွင် ဓာတုဗေဒနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားသောကြောင့် ၎င်းသည် အပူချိန်မြင့်မားသော အပြောင်းအလဲနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် သင့်လျော်စေသည်။

အလွန်ကောင်းမွန်သောဓာတုတည်ငြိမ်မှု: Tantalum carbide သည် အက်ဆစ်နှင့် အယ်ကာလီအများစုကို ခိုင်ခံ့သောချေးခံနိုင်ရည်ရှိပြီး CVD TaC Coating သည် သံချေးတက်သောပတ်ဝန်းကျင်ရှိ အလွှာများကို ထိရောက်စွာကာကွယ်နိုင်သည်။

မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ်Tantalum carbide သည် မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ် (3880°C ခန့်) ရှိပြီး CVD TaC ကို အရည်ပျော်ခြင်း သို့မဟုတ် ပျက်စီးခြင်းမရှိဘဲ အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်အခြေအနေများတွင် အသုံးပြုရန် ခွင့်ပြုသည်။

အထူးကောင်းမွန်သောအပူကူးယူမှု: TaC coating သည် မြင့်မားသောအပူစီးကူးနိုင်စွမ်းရှိပြီး အပူချိန်မြင့်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ထိရောက်စွာအပူကို ပြေပျောက်စေပြီး ဒေသတွင်း အပူလွန်ကဲမှုကို ကာကွယ်ပေးသည်။

အလားအလာရှိသော အသုံးချပရိုဂရမ်များ:

• Gallium Nitride (GaN) နှင့် Silicon Carbide epitaxial CVD ဓာတ်ပေါင်းဖို အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည့် wafer carriers များ၊ ဂြိုလ်တုပန်းကန်များ၊ ရေချိုးခေါင်းများ၊ မျက်နှာကျက်များနှင့် susceptors များ

• ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၊ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ်နှင့် အလူမီနီယံနိုက်ထရိတ် (AlN) Crucibles၊ အစေ့ကိုင်ဆောင်သူများ၊ လမ်းညွှန်ကွင်းများနှင့် ဇကာများ အပါအဝင် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများ

• ခံနိုင်ရည်ရှိအပူပေးသည့်ဒြပ်စင်များ၊ ဆေးထိုး Nozzles၊ masking rings နှင့် brazing jig များ အပါအဝင် စက်မှုအစိတ်အပိုင်းများ

လျှောက်လွှာအင်္ဂါရပ်များ:

• အပူချိန် 2000°C အထက်တွင် တည်ငြိမ်ပြီး လွန်ကဲသော အပူချိန်တွင် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်
• ဟိုက်ဒရိုဂျင် (Hz)၊ အမိုးနီးယား (NH3)၊ မိုနိုဆီလိန်း (SiH4) နှင့် ဆီလီကွန် (Si) တို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပြင်းထန်သော ဓာတုပတ်ဝန်းကျင်တွင် အကာအကွယ်ပေးသည်။
• ၎င်း၏ အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်သည် လည်ပတ်လည်ပတ်မှု မြန်ဆန်စေသည်။
• Graphite သည် ခိုင်ခံ့သော adhesion ရှိပြီး တာရှည်ခံပြီး coating delamination မရှိစေရန် အာမခံပါသည်။
• မလိုအပ်သော အညစ်အကြေးများ သို့မဟုတ် ညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားရန် အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှု
• တင်းကျပ်သော Dimension ခံနိုင်ရည်များအတွက် Conformal coating coverage

နည်းပညာဆိုင်ရာသတ်မှတ်ချက်များ:

CVD ဖြင့် သိပ်သည်းသော တန်တလမ်ကာဘိုင်အလွှာများကို ပြင်ဆင်ခြင်း။:

မြင့်မားသော crystallinity နှင့်အလွန်ကောင်းမွန်သောတူညီမှုရှိသော TAC coating

CVD TAC COATING နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ_Semicera-

အထက်ဖော်ပြပါတန်ဖိုးများသည် ပုံမှန်တန်ဖိုးများဖြစ်သည်။.