Semicera Semicera သည် အစိတ်အပိုင်းအမျိုးမျိုးနှင့် သယ်ဆောင်သူများအတွက် အထူးပြု တန်တလမ်ကာဘိုင် (TaC) အပေါ်ယံပိုင်းကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။Semicera Semicera ဦးဆောင်သော coating လုပ်ငန်းစဉ်သည် tantalum carbide (TaC) အပေါ်ယံပိုင်းကို မြင့်မားသော သန့်စင်မှု၊ အပူချိန်မြင့်မားမှုနှင့် ဓာတုဒဏ်ခံနိုင်မှုတို့ကို ရရှိစေရန်၊ SIC/GAN ပုံဆောင်ခဲများနှင့် EPI အလွှာများ၏ ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးသည် (Graphite coated TaC susceptor) နှင့် အဓိက ဓာတ်ပေါင်းဖို အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးခြင်း။tantalum carbide TaC coating ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် အစွန်းပြဿနာကိုဖြေရှင်းရန်နှင့် crystal ကြီးထွားမှုအရည်အသွေးကိုတိုးတက်စေရန်ဖြစ်ပြီး Semicera Semicera သည် tantalum carbide coating technology (CVD) ကို နိုင်ငံတကာအဆင့်မြင့်အဆင့်သို့ရောက်ရှိအောင်ဖြေရှင်းနိုင်ခဲ့သည်။
နှစ်ပေါင်းများစွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ပြီးနောက်၊ Semicera သည် နည်းပညာကို သိမ်းပိုက်နိုင်ခဲ့သည်။CVD TaCR&D ဌာန၏ ပူးပေါင်းကြိုးပမ်းမှုဖြင့်။SiC wafers ၏ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင်ချို့ယွင်းချက်များဖြစ်ပေါ်ရန်လွယ်ကူသည်၊ သို့သော်အသုံးပြုပြီးနောက်TaCကွာခြားချက်က သိသာပါတယ်။အောက်တွင်ဖော်ပြထားသော wafers နှင့် TaC မပါသော wafers များအပြင် တစ်ခုတည်းသော crystal growth အတွက် Simicera အစိတ်အပိုင်းများ
TaC နှင့် မပါဘဲ
TaC သုံးပြီးနောက် (ညာဘက်)
ထို့အပြင်၊ Semicera ၏ TaC coating ထုတ်ကုန်များ၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းသည် SiC coating ထက် မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ပိုမိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပိုရှည်သည်။ဓာတ်ခွဲခန်းတိုင်းတာမှုဒေတာကို အချိန်အတော်ကြာပြီးနောက်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ TaC သည် အများဆုံး 2300 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် အချိန်ကြာမြင့်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။အောက်ပါတို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏နမူနာအချို့ဖြစ်သည်။
(က) PVT နည်းလမ်းဖြင့် SiC တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ ပေါက်နေသော ကိရိယာ၏ ဇယားကွက် (ခ) ထိပ်တန်း TaC အုပ်ထားသော မျိုးစေ့ကွင်း (SiC မျိုးစေ့ အပါအဝင်) (ဂ) TAC အုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက် လမ်းညွှန်လက်စွပ်
